无

第1章绪论001
1.1氧化物半导体TiO2和WO3的概述003
1.1.1TiO2 和WO3 的晶体结构003
1.1.2半导体材料光电响应机理006
1.1.3TiO2 和WO3 的应用、性能与研究现状009
1.1.4半导体材料光电性能影响因素与改善策略014
1.2TiO2和WO3中的缺陷017
1.2.1氧空位缺陷类型017
1.2.2氧空位对TiO2 和WO3 物理化学性能的影响017
1.3富含氧空位缺陷TiO2和WO3的研究现状024
1.3.1富含氧空位缺陷TiO2 和WO3 的磁学性能024
1.3.2富含氧空位缺陷TiO2 和WO3 的表面增强拉曼性能025
参考文献026

第2章TiO2和WO3薄膜制备方法与实验方法045
2.1薄膜的制备方法047
2.1.1溅射法制备WO3 薄膜047
2.1.2水热法制备TiO2 纳米薄膜052
2.2TiO2和WO3氧空位缺陷的调控方法053
2.2.1氢热处理法053
2.2.2金属和非金属离子掺杂法054
2.2.3反应条件驱动法054
2.2.4高能粒子轰击法055
2.2.5缺氧条件下热处理法056
2.3实验方法057
2.3.1扫描电子显微镜057
2.3.2透射电子显微镜058
2.3.3吸收光谱058
2.3.4拉曼散射谱059
2.3.5X 射线光电子能谱060
2.3.6X 射线衍射谱060
2.3.7电阻率测试061
2.3.8霍尔效应测量系统062
2.3.9综合物性测量系统063
2.3.10基于SERS 效应的分子检测063
2.4第一性原理计算方法064
参考文献067

第3章离子注入诱导氧空位对WO3薄膜电导率的影响075
3.1概述077
3.2实验过程079
3.3结果与讨论080
3.3.1离子注入模拟080
3.3.2样品微结构081
3.3.3SEM 图082
3.3.4电阻率083
3.3.5XPS 图谱086
参考文献088

第4章Ar+ 辐照WO3薄膜中氧空位增强的室温铁磁性093
4.1概述095
4.2实验过程096
4.3结果和讨论097
4.3.1离子注入模拟097
4.3.2SEM 图098
4.3.3XRD 图谱099
4.3.4Raman 图谱101
4.3.5AFM 图102
4.3.6PL 图谱103
4.3.7室温磁学性能104
4.3.8XPS 图谱105
4.3.9铁磁性的机制107
参考文献110

第5章W18O49纳米线中缺陷引起的铁磁性117
5.1概述119
5.2实验过程121
5.3结果和讨论122
5.3.1XRD 图谱122
5.3.2SEM 和TEM 图谱124
5.3.3XPS 图谱125
5.3.4室温磁学特性127
5.3.5EPR 图谱128
参考文献130

第6章富含氧空位的W18O49纳米结构的光催化抗菌性能137
6.1概述139
6.2实验过程140
6.3结果和讨论141
6.3.1XRD 图谱141
6.3.2SEM 和TEM 图像142
6.3.3XPS 图谱143
6.3.4EPR 图谱145
6.3.5抗菌特性146
6.3.6抗菌机制146
参考文献148

第7章热处理制备具有高SERS 灵敏度的稳定非化学
计量WO3-x 薄膜153
7.1概述155
7.2实验过程156
7.3结果和讨论157
7.3.1XRD、Raman 和PL 图谱157
7.3.2XPS 图谱160
7.3.3EPR 图谱164
7.3.4SERS 性能和机制165
7.3.5氧空位形成能计算168
参考文献171

第8章真空退火增强TiO2纳米棒薄膜的SERS 灵敏度177
8.1概述179
8.2实验过程180
8.3结果和讨论182
8.3.1SERS 性能182
8.3.2SEM 图像184
8.3.3XRD、Raman、PL 和紫外可见吸收图谱186
8.3.4XPS 图谱189
8.3.5SERS 增强机制191
参考文献193