第一章 GaN衬底体材料市场的发展
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市场驱动力和展望
1.3体GaN衬底材料的优势和重要性
1.4 体GaN衬底上GaN器件的发展趋势
1.5体GaN衬底的发展趋势
1.6 小结
参考文献
第二章 GaN的氢化物气相外延生长技术
2.1 引言
2.2 HVPE法生长GaN的热力学分析
2.3 GaAs(100)衬底上的立方GaN生长
2.4 生长在GaAs（111）A和（111）B衬底上GaN性质的比较
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生长GaN初始生长过程的Ab Initio计算
2.6 GaAs(111)A衬底上厚GaN层的生长
2.7 Fe掺杂半绝缘GaN衬底的制备
参考文献
第三章 HVPE法在GaN单晶上生长体GaN
3.1 引言
3.2 实验过程
3.3 实验结果
3.4 结论
参考文献
第四章利用空洞辅助分离的HVPE生长自支撑GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技术概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN模板制备
4.4 GaN模板上多孔TiN薄膜的HVPE生长
4.5 HVPE-VAS技术制备GaN晶片的性能
4.6 小结
参考文献
第五章非极性/半极性GaN的HVPE生长法
5.1引言
5.2 异质外延生长薄膜及衬底的选择
5.3 极性/半极性GaN的横向过生长技术
5.4 结论及展望
参考文献
第六章 MOVPE高生长速率技术
6.1 引言
6.2 传统MOVPE生长AlGaN和GaN的特性
6.3 气相反应的量子化学研究
6.4 GaN高生长速率的高流速反应器生长
6.5 讨论和总结
参考文献
第七章氨碱条件下GaN的氨热生长技术
7.1 引言
7.2 生长方法
7.3 晶体表征
7.4 氨热法同质外延生长GaN
7.5 结论
参考文献
第八章氨热法生长体GaN
8.1 引言
8.2 矿化剂对氨热法合成GaN的影响
8.3 GaN在氨碱溶液中的溶解度
8.4 金属Ga为反应物的GaN籽晶生长
8.5 多晶GaN作为反应物的GaN籽晶生长
8.6 体GaN的生长及晶圆的切片
8.7 小结
参考文献
第九章酸性氨热法生长GaN工艺
9.1 简介
9.2 酸性氨热法生长GaN工艺简史
9.3 生长工艺
9.4 溶液化学性质和生长机制
9.5 氨热法制GaN的特性
9.6 氨热法生长GaN的未来发展前景
参考文献
第十章高压溶液生长GaN
10.1 简介
10.2 生长方法
10.3 HPS生长法自发结晶
10.4 HPS法生长GaN籽晶
10.5 压生GaN衬底的应用: TopGaN Ltd的蓝激光二极管
10.6 HPS生长方法综述与展望
参考文献
第十一章钠流法生长大尺寸GaN晶体的简要回顾
11.1 简介
11.2 钠流法历史发展简述
11.3 钠流法液相外延生长GaN的实验条件
11.4 生长机制和位错
11.5 GaN属性
11.6 钠流法的工业潜力
参考文献
第十二章低压液态法生长GaN
12.1 简介
12.2 在常压下溶液生长技术，LPSG法
12.3 GaN层的结构和形貌演变
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 总结和展望
参考文献
第十三章 GaN衬底的光学性质
13.1 简介
13.2 金属有机气相外延和卤化物气相外延生长GaN衬底的光学性质
13.3 氨热法极性方向生长对籽晶GaN衬底光学性能的影响
13.4 位错弯曲对氨热法制GaN籽晶衬底光学属性的影响
13.5 总结
参考文献
第十四章基于正电子湮灭光谱学研究体GaN的点缺陷和杂质
14.1 简介
14.2 正电子湮灭光谱学
14.3 In-Grown Defects缺陷的生长
14.4 缺陷机制
14.5 总结
参考文献