本书系统介绍了掺杂与缺陷对类石墨烯二维材料（石墨烷和砷烯）电磁学性质的影响，为设计制造新型电磁学器件给予理论指导，并基于掺杂和缺陷基底探究了其与不同分子间的相互作用，探究其气敏特性，为新型气体传感器的设计提供理论基础。本书共分为10章：第1章和第2章介绍了石墨烷和砷烯的研究背景及理论方法；第3～5章介绍了掺杂和缺陷对砷烯的电磁学性质的改性；第6～10章介绍了石墨烷和砷烯的气敏特性。 本书可供碳纳米材料领域的科研人员参考，也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的参考书。

第1章 绪论
1.1 石墨烷
1.2 砷烯
参考文献
第2章 理论方法
2.1 密度泛函理论
2.1.1 绝热近似
2.1.2 Kohn-Sham方程
2.1.3 交换关联能泛函
2.2 布洛赫定理
2.3 平面波和赝势
2.3.1 平面波方法
2.3.2 赝势
参考文献
第3章 过渡金属掺杂含空位缺陷石墨烯的电磁学性质
3.1 概述
3.2 计算方法与模型
3.3 结果与讨论
3.3.1 含空位缺陷的砷烯
3.3.2 过渡金属掺杂的空位缺陷砷烯
3.3.3 电学和磁学性质
3.4 本章总结
参考文献
第4章 过渡金属掺杂Stone-Wales缺陷砷烯的电磁学性质
4.1 概述
4.2 计算方法与模型
4.3 结果与讨论
4.3.1 含Stones-Wales缺陷的砷烯
4.3.2 过渡金属掺杂的Stone-Wales缺陷砷烯
4.3.3 电学和磁学性质
4.4 本章总结
参考文献
第5章 含Stone-Wales缺陷砷烯吸附过渡金属原子的电磁学性质
5.1 概述
5.2 计算方法与模型
5.3 结果与讨论
5.3.1 过渡金属原子在砷烯表面的吸附
5.3.2 电学与磁学性质
5.4 本章总结
参考文献
第6章 H缺陷对石墨烷吸附CO和NO气敏特性的影响
6.1 概述
6.2 计算方法与模型
6.3 结果与讨论
6.3.1 CO和NO在完整和含H缺陷石墨烷表面的吸附特性
6.3.2 电学和磁学性质
6.4 本章总结
参考文献
第7章 B、N、S、Al掺杂的石墨烷吸附HCN的气敏特性
7.1 概述
7.2 计算方法与模型
7.3 结果与讨论
7.3.1 掺杂石墨烷的结构
7.3.2 HCN分子的吸附特性
7.3.3 电磁学性质
7.4 本章总结
参考文献
第8章 Cr和Mn掺杂的石墨烷吸附H2CO的气敏特性
8.1 概述
8.2 计算方法与模型
8.3 结果与讨论
8.3.1 H2CO分子的吸附特性
8.3.2 吸附体系的电子结构
8.4 本章总结
参考文献
第9章 Ni、Cu掺杂石墨烷吸附2,3,7,8-四氯二苯并对二英（TCDD）的气敏特性
9.1 概述
9.2 计算方法与模型
9.3 结果与讨论
9.3.1 Ni和Cu掺杂的石墨烷
9.3.2 TCDD分子的吸附特性
9.3.3 电磁学性质
9.4 本章总结
参考文献
第10章 缺陷和掺杂对砷烯吸附HCN气敏特性的影响
10.1 概述
10.2 计算方法与模型
10.3 结果与讨论
10.3.1 缺陷对砷烯吸附HCN的影响
10.3.2 掺杂对砷烯吸附HCN的影响
10.4 本章总结
参考文献