与si接触时的热稳定性对内存应用不是一个重要考虑的方面,因为在内存应用中,介质材料是直接与氮化硅或者金属相连接的。不过对于MOSFET应用。热稳定性就是一个大问题,详见第3.4节。
表格中材料的k值从7到80是一个很大的跨度。单纯从k的角度来说,当然是希望k尽可能高,不过栅介质的可替代材料不仅要考虑k值,而且还要考虑材料本身的能带结构和与si的能带偏移。由于栅介质的用途是切断导电沟道与栅电极之间的直接电联系,它本身必须是良好的绝缘体。SiO2是优良的绝缘体,带隙高达8.9eV,远高于Si的带隙(1.12eV),且与Si的能带偏移也大。一般来说,大带隙不等于绝缘良好,还与相接触的材料有关。这涉及到隧穿过程。
有两种隧穿过程需要考虑:直接隧穿和Fowler—Nordheim(FN)隧穿。图1—5给出了这两种隧穿过程的示意图。
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