负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极的出现,是光电阴极和以光电阴极为基础的光电子器件及仪器发展的重要突破。从此,光电阴极的研发告别了完全以经验为基础的局面,进入了以半导体带隙工程为指导,进行科学设计的新阶段。
GaAs—NEA光电阴极,以及后来发展的由其他半导体制成的各种NEA光电阴极的出现,不仅有力地推动了夜视技术的发展,而且使光电阴极的应用范围扩展到高能物理、天文、航空航天、生物化学等领域。
《负电子亲和势光电阴极及应用》以GaAs—NEA光电阴极为重点,全面介绍半导体NEA光电阴极的发展,各种半导体NEA光电阴极的工作原理、制备技术、性能特点及应用等内容。
《负电子亲和势光电阴极及应用》适合从事电子物理、电真空物理、光电成像和夜视技术领域的科技人员,高等学校教师,大学生和研究生阅读参考。
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