《半导体锗材料与器件》是全面深入探讨这一技术领域的首部著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的最新进展，阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的国际知名专家。
    《半导体锗材料与器件》还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从《半导体锗材料与器件》中受益。锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。

    本章讨论锗中辐照和粒子损伤、产生的缺陷以及缺陷损伤的退火消除以避免其对材料和器件性能的影响，重点放在能够沉积足够能量并影响锗晶体晶格点阵移位的辐照上。在这种最简单的情况下，锗原子连续从替位位置迁移到间隙位置，从而留下空位。换句话说产生一个弗仑克尔对。空位和间隙原子在室温下都有足够的动能在晶格中移动以及和其他的相发生反应，从而导致缺陷和缺陷复合体的产生。高能电子、Y射线和任一原子的中子和高能离子都可能发生这种迁移和反应。特别是后者的机制与半导体技术相关，非常重要，因为它是离子注入技术制造器件的基础。
    本章的结构是这样的：首先是半导体中辐照损伤和注入的一般性问题，紧接着转向介绍与锗有关的具体内容。在第一部分（7.2 节）中，对形成弗仑克尔对缺陷的射线和电子辐照与产生原子簇缺陷的仅粒子、中子和离子注入辐照进行了对比。
    第二部分（7.3 节）回顾并分类讲述了锗中的缺陷及缺陷间的反应，在本节的部分讨论中进行了si与siGe的对比。
    最后一部分（7.4 节）讨论了辐照损伤对锗材料和锗器件的影响，再次关注了产生原子移位的损伤的影响，同时考虑了器件的电离辐照，进行这种辐照时器件吸收能量，产生电离现象，从而生成一个空穴.电子对，而不是替位原子。
    在后一种情况，我们需要区分瞬间离子化与时间较长的离子化效果的不同。瞬间离子化时，空穴和电子会迁移，一旦在器件的有源区发生瞬间离子化，器件就可能产生错误信号或噪声。而在绝缘体中，如M0s器件上的氧化物门，产生的电子和空穴不能像半导体中的那样自由迁移，出现这种情况的区域，性能上可能发生永久性的改变。

0 导论
0.1 引言
0.2 历史沿革和重大事件
0.3 锗用作新型超大规模集成电路（ULSI）衬底：机遇与挑战
0.4 本书梗概
参考文献

1 锗材料
1.1 引言
1.2 体锗片的制备
1.2.1 锗原材料：供应及生产流程
1.2.2 锗晶体生长
1.2.3 锗片制造
1.3 GOI衬底
1.3.1 背面研磨SOI
1.3.2 以薄层转移技术制备GOI衬底
1.4 结论
参考文献

2 锗中长入缺陷
2.1 引言
2.2 锗中本征点缺陷
2.2.1 本征点缺陷特性的模拟
2.2.2 有关空位特性的实验数据
2.2.3 Voronkov模型对锗的应用
2.3 非本征点缺陷
2.3.1 掺杂剂
2.3.2 中性点缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氢
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 硅
2.4 直拉生长过程中位错的形成
2.4.1 热模拟
2.4.2 机械应力的发生
2.4.3 锗的力学性质
2.4.4 拉晶过程中的位错成核和增殖
2.4.5 锗中位错的电学影响
2.5 点缺陷团
2.5.1 空位团的实验观察
2.5.2 空位团形成的模型和模拟
2.6 结论
参考文献

3 锗中掺杂剂的扩散和溶解度
3.1 引言
3.2 半导体中的扩散
3.2.1 扩散机制
3.2.2 自扩散
3.3 锗中的本征点缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 辐照
3.4 在锗和硅中的自扩散和Ⅳ族原子扩散
3.4.1 放射性示踪实验
3.4.2 锗中同位素作用和Ⅳ族元素的扩散
3.4.3 掺杂和压力的影响
3.4.4 锗在硅中的扩散
3.5 锗中杂质的溶解度
3.6 锗中Ⅲ、Ⅴ族掺杂剂的扩散
3.6.1 Ⅲ族受主的扩散
3.6.2 V族施主的扩散
3.6.3 锗中掺杂电场对掺杂扩散的作用
3.6.4 小结
3.7 结论
参考文献

4 锗中氧
4.1 引言
4.2 间隙氧
4.2.1 氧浓度的测量
4.2.2 扩散率和溶解度
4.2.3 振动谱结构和缺陷模型
4.3 TDs和氧二聚物
4.3.1 TDs的电子态
4.3.2 TDs的振动谱
4.3.3 氧二聚物的振动谱
4.4 氧沉淀的红外吸收
4.5 空位.氧缺陷
4.6 结论
参考文献

5 锗中金属
5.1 引言
5.2 锗中的铜杂质
5.2.1 分配系数Kd
5.2.2 锗中铜原子结构
5.2.3 游离铜的扩散机理
5.2.4 掺杂浓度对铜扩散和溶解度的影响
5.2.5 锗中铜扩散Kick-0ut机理
5.2.6 锗中铜的沉淀
5.2.7 替位铜的能级和俘获截面
5.2.8 间隙铜原子与Cu-Cui原子对的能级
5.2.9 铜对锗中载流子寿命的影响
5.3 锗中的银、金和铂
5.3.1 分凝系数、溶解度和扩散系数
5.3.2 能级和俘获截面
5.3.3 对载流子寿命的影响
5.4 锗中的镍
5.4.1 镍在锗中的溶解度和扩散率
5.4.2 镍在锗中的能级和俘获截面
5.4.3 对载流子寿命的影响
5.5 锗中的过渡金属
5.5.1 铁
5.5.2 钴
5.5.3 锰
5.5.4 其他金属
5.6 锗中金属性能的化学趋势
5.6.1 电学性能
5.6.2 锗中金属的光学性质
5.6.3 影响锗中载流子寿命的因素
5.7 结论
参考文献

6 锗中缺陷从头计算的建模
6.1 引言
6.2 量子力学方法
6.3 Kohn-Sham能级和占据能级
6.4 形成能、振动模和能级
6.5 锗中的缺陷模拟
6.6 锗中的缺陷
6.6.1 锗中的空位和双空位
6.6.2 自间隙
6.6.3 氮缺陷
6.6.4 锗中的碳
6.6.5 锗中的氧
6.6.6 热施主
6.6.7 锗中的氢
6.7 缺陷的电学能级
……
7 锗中辐射缺陷及行为
8 锗器件的电学性能
9 器 件模拟
10 纳米尺度锗MOS栅介质和MOS结
11 先进的锗MOS器件
12 锗的其他应用
13 发展趋势与展望
附录