约翰·D.克雷斯勒,(JohnD.Cressler),美国佐治亚理工学院电子和计算机工程专业的拜尔斯讲席教授(KenByersProfessor)。1990年在纽约哥伦比亚大学获得应用物理学博士学位。曾在IBM的托马斯·J.沃森研究中心工作8年。目前他的研究集中在开发下一代高速电子元件。已出版的著作有《硅锗异质结双极晶体管》(SiliconGermaniumHeterojunctionBiplarTransistor,2003)、《重塑青少年:培养青少年个性的高雅艺术》(ReinventingTeenagers:TheGentleArtofInstillingCharacterinOurYoungPeople,2004)、《硅异质结手册:材料、制作、器件、电路以及硅锗和硅应变层外延附生的应用》(Silicon,HeterostructureHandbook:Materials,Fabrication,Devices,Circuits,andApplicationofSiGeandSiStrainedLayerEpitaxy,2006)等。他2001年被选为IEEE会员,并因在教学和研究领域成就斐然而获得多个奖项。
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