费尔南达·古斯芒·德·利马·卡斯腾斯密得，是位于巴西阿雷格里港（Porlto Alegre）的南大河洲联邦大学（UFRGS）计算机科学系的教授。1997年，她从巴西阿雷格里港南大河洲联邦大学获电气工程学学士学位，1999年和2003年分别获计算机科学硕士学位和微电子学博士学位。1999年，她曾工作于法国的格勒诺布尔（Grenoble）国家理工学院（INPG）；2001年，工作于美国圣何塞（San Jose）的赛灵思（Xilinx）公司。她的研究兴趣包括超大规模集成电路（VLSI）测试和设计、故障效应、

　　广泛应用于民用和工业领域的基于SRAM的FPGA，因其逻辑集成度高、使用方便、开发成本低且能够被重新编程，正逐步应用于空间领域。空间领域的应用除了要求其具有很高的可靠性以外，抗辐射是必须重点考虑的问题。《基于SRAM的FPGA容错技术》针对这种需求，尤其是针对空间环境中单粒子效应的影响，详细介绍了基于SRAM的FPGA这种可编程结构的多种容错技术和方法。
　　《基于SRAM的FPGA容错技术》提及的技术和方法多是从实际容错系统中总结出来的，并进行了归类、分析和总结，同时附有参考文献。内容详尽丰富，实践

　　容错技术的开发与目标器件紧密相关，需要详细分析相关系统结构中的翻转效应。对于每一种电路，有其最适合的解决方法。在过去的几年中，集成电路工业为了追求更好的性能、更高的逻辑密度和更低的成本而使其结构越来越复杂，例如应用专用集成电路（ASIC），有数百万个晶体管的微处理器，高密度现场可编程门阵列（FPGA）组件以及最新的由嵌入式微处理器、存储器和模拟电路块组成的片上系统（SOC）。这些在单一芯片上提供大量信息处理能力的结构，给系统设计带来了重大的影响。它们的用途涵盖了广泛的应用领域，从便携系统到专用嵌入控制

第1章  引言
第2章  集成电路中的辐射效应
2.1  辐射环境概述
2.2  集成电路中的辐射效应
2.2.1  SEU的分类
2.3  基于SRAM的FPGA的特有影响
第3章  单粒子翻转(SEU)减缓技术
3.1  基于设计的技术
3.1.1  检测技术
3.1.2  减缓技术
3.2  ASIC中SEU减缓技术实例
3.3  FPGA中SEU减缓技术实例
3.3.1  基于反熔丝的FPGA
3.3.2  基于SRAM的FPGA
第4章  结构层SEU减缓技术
第5章  高层SEU减缓技术
5.