《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。

    电力电子器件是指在各种电力电子电路中起整流或开关作用的有源电子器件。现代电力电子器件基本上都是半导体器件，因而又叫电力半导体器件。虽然目前绝大多数电力电子器件都是用硅（Si）材料做成的，但是用碳化硅（sic）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料可以做成性能更加优越的电力电子器件。自20世纪90年代初开始，对宽禁带半导体电力电子器件的研发工作迅速展开，进展很快，并随着新世纪的到来，逐渐进入商品化阶段。本书重点介绍宽禁带半导体的特点、用宽禁带半导体制造电力电子器件的目的和意义、主要宽禁带半导体电力电子器件的研发进程和最新成果，以及宽禁带电力电子器件的应用范例和效果。阻断电压较高、在电路中主要起整流或开关作用的一类有源器件，通常以分立器件的形式使用，但其中一些也可用微电子工艺与电阻、电容等无源元件和半导体传感器等实行单片集成，制成功率集成电路。电力电子功能模块（组件）本质上也是分立器件的一种应用形式，两个以上分立器件芯片的组合式封装，不属于集成技术的范畴。
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电力电子新技术系列图书序言
前言
第1章 绪论
1.1 电力电子器件概述
1.1.1 电力电子器件的基本构成
1.1.2 电力电子器件的分类及特点
1.2 发展沿革与趋势
参考文献

第2章 电力电子器件基础
2.1 半导体物理基础
2.1.1 半导体与金属中的载流子
2.1.2 电子在金属和半导体中的能量分布与跃迁
2.1.3 半导体的热敏感性
2.2 电力电子器件的基本原理与特性
2.2.1 整流原理与阻断特性
2.2.2 开关原理与频率特性
2.2.3 电导调制原理与通态特性
2.2.4 功率损耗原理与高温特性
2.3 典型电力电子器件及其特性
2.3.1 二极管
2.3.2 双极型晶体管（BJT）
2.3.3 场效应晶体管（FET）
2.3.4 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
2.3.5 其他电力电子器件
参考文献

第3章 电力电子器件的材料优选
3.1 单极型器件的材料优选
3.1.1 低频器件
3.1.2 高频器件
3.1.3 场效应器件的最高工作频率
3.2 双极型器件的材料优选
3.2.1 Johnson因子
3.2.2 Keyes因子
3.3 耐高温器件的材料优选
3.3.1 热优选因子
3.3.2 不同材料器件高温特性的比较
3.4 电力电子器件的优选材料．
3.4.1 碳化硅
3.4.2 氮化镓及其固溶体
3.4.3 半导体金刚石
参考文献

第4章 宽禁带半导体电力电子器件
4.1 碳化硅单极型器件
4.1.1 肖特基势垒二极管
4.1.2 功率MOSFET
4.1.3 JFET和SIT
4.1.4 MESFET
4.2 碳化硅双极型器件
4.2.1 pn结二极管
4.2.2 双极型晶体管（BJT）
4.2.3 晶闸管和GTO晶闸管
4.2.4 碳化硅GCT （SICGT）
4.3 碳化硅IGBT
4.4 碳化硅功率集成电路中的高压器件结构
4.5其他宽禁带半导体电力电子器件
4.5.1 氮化镓大功率微波器件
4.5.2 其他氮化镓电力电子器件
4.5.3 金刚石电力电子器件
4.6 宽禁带半导体功率模块
参考文献

第5章 宽禁带半导体电力电子器件的应用
5.1 在开关电源功率因数校正器上的典型应用
5.1.1 开关电源功率因数校正器的基本工作原理
5.1.2 二极管的反向恢复特性及其影响分析
5.1.3 SiC肖特基二极管在开关源PFC中的应用效果
5.2 在DC/DC变换器中的典型应用
5.2.1 DC/DC变换器的基础知识
5.2.2 宽禁带半导体器件在DC/DC变换器中的应用实例
5.3 在AC/DC变换器中的典型应用
5.4 在DC/AC变换中的典型应用
5.4.1 DC/AC变换及目前存在的一些问题
5.4.2 宽禁带半导体器件在DC/AC变换中的应用实例
参考文献