林成鲁，1965年毕业于中国科技大学近代化学系，现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料SOI（silicon on insulator）的研究。20世纪80年代，在国内率先开展SOI技术基础研究；90年代，作为SOI创新项目总设计师，组织领导突破SOI材料工程化的关键技术；2001年开始，作为新傲公司总工程师，为成功实现SOI研究成果转化，打破国外的技术封锁，为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献，实现了我国微电子材料的跨越式发展，取得了重大的经济和社会效益。先后承担国家攻关、“973”、“863”等多项国家重大项目。在国内外刊物上发表论文300余篇，被SCI收录的论文240余篇。申请的国家发明专利19项，其中已授权12项。前后已为国家培养数十名研究生，所培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文2名。曾获得国家科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖等十一项奖励。

    绝缘体上硅（silicon on insulator，SOI）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。《SOI：纳米技术时代的高端硅基材料》收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（silicon germanium on insulator，SGOI）新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。《SOI：纳米技术时代的高端硅基材料》可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。

    SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展<br>    纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI<br>    1 纳米技术时代的高端衬底材料<br>    集成电路的特征尺寸在1999年开始缩小到亚100纳米，英特尔（Intel）在2006年6月实现了90纳米与65纳米的“制造接替”，65纳米技术代的微处理器（CPU）由物理栅长仅为35纳米的近三亿只金属一氧化膜一半导体场效应晶体管（MOSFET）组成，实现了在芯片生产方面的里程碑式的跨越。Intel于2007年1月底发布了其45纳米技术时代MOSFET的几项关键技术的解决方案，包括采用全新的高介电常数栅介质和金属栅极材料；2007年10月Intel启动支持45nm工艺的首个300 mm晶圆量产工厂。根据“国际半导体技术发展路图（ITRS）”的预测，摩尔定律（mooreS law）（即单只晶体管所占面积每18个月缩小一倍）所预测的高速发展至少将持续到2020年，那时的晶体管物理栅长将是6纳米！在6年后的2013年，集成电路将进入32纳米技术时代，并于2016年进入22纳米技术时代。随着芯片集成度的进一步提高，即器件特征尺寸的进一步缩小将会面临大量来自传统工作模式、传统材料乃至传统器件物理基础等方面的问题，因此必须在器件物理、材料、器件结构、关键工艺、集成技术等基础研究领域寻求突破。

SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展<br>纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI<br>SOI技术的发展动态<br>硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势<br>Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si<br>Overview of SOI materials technology in China<br>SOI新材料的制备科学<br>以注氧隔离（SIMOX）技术制备高阻SOI材料<br>硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制<br>以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料<br>多孔硅外延层转移技术制备SOI材料<br>ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构<br>SOI新结构——SOI研究的新动向<br>Fabrication of silicon．on．AlN novel structure and its residual strain characterization·<br>Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smart-cut<br>Void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation<br>Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on P+porous silicon<br>Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon<br>Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator<br>Study of SOI substrates incorporated with buried MoSiz layer<br>SOI材料与器件特有的物理效应<br>S0I MOSFET浮体效应研究<br>SOI MOSFET的自加热效应研究<br>S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展<br>Evolution of hydrogen and helium CO-implanted single-crystal silicon during annealing<br>……<br>SGOI新结构和应变硅的制备科学<br>SOI技术的若干应用研究