《辐射发射控制设计技术》是一部关于电磁兼容（辐射发射控制）设计的经典著作。全书共分13章，主要内容包括：辐射干扰概论、简单电路的电场和磁场、非正弦波源的辐射声、设计低辐射产品的基本策略、芯片和集成电路级辐射发射控制、印制电路板设计、母板和背板的发射控制、控制开关电源的辐射场、通过内部布线和封装减小辐射电磁干扰、机箱屏蔽、控制外部线缆的辐射、主要辐射发射规范和测试方法、辐射电磁干扰问题排故。<br>    《辐射发射控制设计技术》的重点不在基础论上，而是侧重于实际应用。近200幅图表以及大量的工程实例便于读者更加形像地理解《辐射发射控制设计技术》所讲述的知识，并针对在工程设计中所遇到的问题给出了正确有效的解决方案。

第1章  辐射干扰概论<br>1.1 辐射EMI问题<br>1.2 辐射EMI的基本知识<br>1.3 EMI术语和单位<br>1.4 美国和世界其他国家应对辐射EMI的措施和标准<br>1.4.1 世界民用标准<br>1.4.2 FCC发射标准<br>1.4.3 相互认可协议（MRA：Mutual Recognition Agreement）<br>1.4.4 其他美国政府标准（非军方）<br>1.4.5 军方发射标准<br>1.5 系统内和系统间EMI<br>第2章  简单电路的电场和磁场<br>2.1 环路的辐射场<br>2.2 直导线的辐射场<br>2.3 推广至实际真实电路<br>2.4 简单电路的差模辐射<br>2.5 外部线缆的共模辐射<br>2.5.1 怎样估计线缆上的CM电流<br>2.5.2 辐射几何结构的正确近似<br>2.5.3 长线辐射<br>第3章  非正弦波源的辐射场<br>3.1 周期脉冲的频谱和辐射<br>3.2 宽带源的频谱和辐射<br>3.3 随机与周期频谱<br>3.4 某些频谱的特殊性<br>3.4.1 窄带随机信号<br>3.4.2 重复符号增强电磁干扰（EMI）辐射<br>3.4.3 展布频谱时钟（SSC）减小EMI<br>3.4.4 占空比不为0.5时的偶次与奇次谐波<br>第4章  设计低辐射产品的基本策略<br>4.1 影响EMI控制的基本系统决策<br>4.2 辐射发射减缩的设计控制区域<br>4.3 辐射EMI控制的设计关键点<br>4.4 常驻软件对辐射EMI的影响<br>第5章  芯片和集成电路级辐射发射控制<br>5.1 逻辑系列<br>5.2 理想旁路电容的计算<br>5.3 IC地弹反射共模的产生<br>5.4 减小IC自身产生的EMI<br>5.4.1 微处理器的EMI控制<br>5.4.2 时钟振荡器的EMI影响<br>5.4.3 IC发射测量的标准方法<br>5.5 IC封装的影响<br>5.6 IC级屏蔽<br>5.7 芯片和IC级辐射控制小结<br>第6章  印制电路板设计<br>6.1 电路板分区<br>6.2 导体的自感<br>6.3 单层板<br>6.3.1 电源分布去耦<br>6.3.2 平行旁路电容的问题<br>6.3.3 卡式电源输入去耦<br>6.3.4 Vcc和地的布线（单层板）<br>6.3.5 地平面和地面积需求（单层板）<br>6.3.6 走线到外壳的寄生去耦<br>6.3.7 时钟线<br>6.4 多层板<br>6.4.1 多层堆叠<br>6.4.2 多层板需要的去耦电容<br>6.4.3 穿孔平面：瑞士乳酪综合征<br>6.4.4 适当的槽缝<br>6.4.5 高速走线的布置<br>6.4.6 模拟数字混合<br>6.4.7 薄箔PCB<br>6.5 串扰<br>6.5.1 容性串扰<br>6.5.2 磁性串扰<br>6.6 阻抗匹配<br>6.7 卡式连接器的管脚分配<br>6.7.1 串扰<br>6.7.2 特性阻抗和失配<br>6.7.3 连接阻抗<br>6.8 0V参考接地至外壳<br>6.9 用于PCB设计的EMC软件工具<br>6.10 PCB级辐射控制小结<br>第7章  母板和背板的发射控制<br>7.1 绕线背板<br>7.2 带有Vcc和地平面的单层或多层母板<br>7.3 串扰和阻抗匹配<br>7.3.1 串扰<br>7.3.2 阻抗匹配<br>7.4 背板接口处的连接器区域<br>7.5 连接器区域增加的辐射<br>第8章  控制开关电源的辐射场<br>8.1 基本辐射源<br>8.2 实际电流波形影响<br>8.3 封装与电路布局<br>8.3.1 变压器和扼流圈的磁泄漏<br>8.3.2 供电PC板<br>8.3.3 次级环路<br>8.3.4 机电封装<br>8.4 屏蔽电源模块<br>8.5 电源滤波器对辐射EMI的影响<br>第9章  通过内部布线和封装减小辐射EMI<br>9.1 卡一卡及背板互连<br>9.2 内部同轴和屏蔽线缆<br>9.3 某些隐蔽的辐射天线<br>9.4 参考地和相应的环路的内部连接<br>9.5 I／O连接器区域<br>9.6 其他的辐射EMI源<br>第10章  机箱屏蔽<br>10.1 如何确定机箱衰减要求<br>10.2 材料的屏蔽效能<br>10.3 导电塑料的屏蔽效能<br>10.4 场衰减槽形孔缝<br>10.5 改变理想的“墙洞”模型<br>10.5.1 源接近孔缝对泄漏的影响<br>10.5.2 机箱的固有谐振效应<br>10.6 减少泄漏和孔缝处理的方法<br>10.6.1 接合面板和盖的接缝<br>10.6.2 冷却孔缝的屏蔽<br>10.6.3 部件孔洞的屏蔽<br>10.6.4 线缆入口、连接器及非导电穿孔的屏蔽<br>10.6.5 线缆穿孔附近的机箱泄漏的不利影响<br>10.7 特殊屏蔽处理的设备机壳<br>10.8 应用实例：给定SE目标值的机箱设计<br>10.9 用于大批量生产的消费产品的屏蔽组件<br>10.10 机箱屏蔽辐射控制小结<br>第11章  控制外部线缆的辐射<br>11.1 平衡接口的优点<br>11.2 线路平衡器件<br>11.2.1 信号隔离变压器<br>11.2.2 纵向非隔离变压器<br>11.3 通过加装铁氧体减小CM辐射<br>11.4 采用绞合减小DM辐射<br>11.5 通过屏蔽减小线缆辐射<br>11.5.1 同轴电缆的辐射场<br>11.5.2 屏蔽对或多芯屏蔽线缆的辐射场<br>11.5.3 屏蔽扁平电缆<br>11.5.4 屏蔽连接的重要性<br>11.5.5 由SE目标设定Zt<br>11.6 关于屏蔽与非屏蔽双绞线的讨论<br>11.7 采用光纤消除电缆辐射<br>第12章  主要辐射发射规范和测试方法<br>12.1 MIL-STD 461-C，D和462<br>12.2 CISPR国际限制标准、测试仪器和方法<br>12.3 FCC第15部分的子部分B<br>12.4 欧洲标准（EN）55022<br>12.5 德国VDE 871<br>12.6 EN 55014／CISPR 14<br>12.7 日本非官方干扰控制委员会（VCCI）<br>12.8 FCC第18部分<br>12.9 CISPR 25：汽车电子<br>12.10 RTCA／DO-160<br>第13章  辐射EMI问题排故<br>13.1 符合规范的线缆辐射与机箱辐射<br>13.2 产品不能通过辐射发射测试时的策略：确定dB减缩量<br>13.3 I／O线缆CM电流（VHF频段）的辐射RFI电平的近似<br>附录A 修正的偶极子模型<br>附录B 一些支持简化辐射模型的验证结果<br>附录C PCB走线的电感和电容<br>附录D 几个由SPICE、MicroCap或类似仿真工具建立的元件模型的等效电路<br>参考文献