史蒂文·H_沃尔德曼博士1979年在巴法罗大学获得工学学士学位；1981年在麻省理工学院获得电气工程硕士学位；在IBM实习项目的帮助下，1986年在佛蒙特州大学获得工程物理学硕士，1991年获得博士学位。在麻省理工学院他是等离子体聚变中心和高电压研究实验室（HvRL）的成员。在IBM，他作为可靠性／器件工程师的工作内容是在双极性／CMOSSRM的a粒子和宇宙射线SER仿真方面进行开创性工作，另外涉及栅诱导漏极漏电（GIDL）机制、热电子、外延／阱设计、CMOS闩锁和ESD等方面。自1986年以来，他负责为IBM确定CMOS、SOI、BiCMOS、RF CMOS和SiGe工艺的ESD／闩锁对策。在比例缩小MOS晶体管、器件模拟、铜、低介电系数、磁组式磁头、CMOS、SOI、SiGe和SiGeC技术等领域，他出版了ESD和闩锁方面的著作。沃尔德曼为SEMATECH（美国半导体行业技术联盟）ESD工作组主席（1996—2000），ESD联合技术组成员（2000）、副主席（2001）和主席（2002），ESDA（电子系统设计自动化）理事会（1998—2004）、国际可靠性物理（IRPS）ESD／闩锁分委员会主席（2002—2004），国际物理与失效分析（IPFA）研讨会ESD分委员会主席（2003—2005），ESD学会的传输线脉冲测试标准发展会议主席（2000—2004），ESD国际教育委员会（ICE）亚洲大学联络人和“校园ESD”大学讲座项目发起人，并且服务于电过压／静电放电（EOS／ESD）学术会议、中国台湾ESD会议（T-ESDC）、双极性电路技术会议（BCTM）和国际电磁兼容（ICEMAC，台北，中国台湾）程序委员会。在美国、新加坡、马来西亚、中国台湾和大陆，沃尔德曼给许多大学研究所开设了ESD讲座。他拥有超过144项美国专利，超过125本出版物，并于最近写了题为《ESD：物理与器件》的首本ESD教科书，题为《ESD：射频技术和电路》的第三本教科书，并且作为合作者写了《锗硅：建模，技术和模拟》一书。沃尔德曼也提供专利、企业发明和发明家的话题。在“EE Times”、“Intellectual Property L,awand Business”两家网站他的知名度很高。在《Scientific American》（2002年10月）他撰写了有关ESD现象的第一篇文章“Lightning Rods for Nanoelectronics”，并且发表在Pour La Science、Le Scienze和Swim Nauk国际版。2003年为表彰其在CMOS、SOI和SiGe静电保护方面所做的贡献，沃尔德曼博士成为第一个研究半导体ESD现象的IEEE院士。
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