第1章 研究概述
1.1 产业概况
1.1.1 半导体产业简介
1.1.2 全球量检测设备行业概况
1.1.3 中国量检测设备行业概况
1.1.4 量检测技术发展概况
1.2 政策背景
1.2.1 全球主要国家和地区产业规划和政策
1.2.2 中国产业规划和政策
1.3 研究必要性及研究目标
1.3.1 研究必要性
1.3.2 研究目标
1.3.3 研究边界
1.4 研究对象和方法
1.4.1 技术分解
1.4.2 数据检索
1.4.3 查全查准评估
1.4.4 相关事项和约定
第2章 量检测技术专利申请概况
2.1 全球专利申请态势
2.1.1 申请趋势
2.1.2 技术生命周期
2.1.3 申请区域分布
2.1.4 主要申请人
2.1.5 重点技术分支
2.2 中国专利申请态势
2.2.1 申请趋势
2.2.2 技术生命周期
2.2.3 申请区域分布
2.2.4 主要申请人
2.3 小结
第3章 面向先进制程的量测重点技术
3.1 关键尺寸量测
3.1.1 全球专利申请态势
3.1.2 在华专利申请态势
3.1.3 基于小角X射线散射量测(CD-SAXS)
3.1.4 小结
3.2 套刻误差量测
3.2.1 全球专利申请趋势
3.2.2 中国专利申请趋势
3.2.3 基于光学衍射的套刻误差量测方法
3.2.4 基于光学图像的套刻误差量测方法
3.2.5 小结
第4章 面向先进制程的检测重点技术
4.1 掩模板缺陷检测
4.1.1 专利申请趋势
4.1.2 DUV掩模板缺陷检测
4.1.3 EUV掩模板缺陷检测
4.1.4 雷泰光电专利分析
4.1.5 小结
4.2 晶圆缺陷检测
4.2.1 全球专利申请趋势
4.2.2 中国专利申请趋势
4.2.3 散射法晶圆缺陷检测
4.2.4 小结
第5章 国外重点申请人分析
5.1 科磊
5.1.1 科磊概况
5.1.2 专利申请态势
5.1.3 重点发明人及团队
5.1.4 重点专利技术
5.1.5 专利布局策略
5.1.6 小结
5.2 日立
5.2.1 日立概况
5.2.2 专利申请态势
5.2.3 重点发明人
5.2.4 重点专利技术
5.2.5 小结
5.3 阿斯麦
5.3.1 阿斯麦概况
5.3.2 专利申请态势
5.3.3 重点发明人
5.3.4 重点专利技术
5.3.5 小结
第6章 国内重点申请人分析
6.1 中科飞测
6.1.1 专利申请态势
6.1.2 重点发明人及团队
6.1.3 小结
6.2 御微半导体
6.2.1 专利申请态势
6.2.2 专利布局策略
6.2.3 小结
第7章 “先进制程”专利特色分析方法
7.1 “双线联动”分析
7.2 “内外双维”定位
7.3 特色分析成果
第8章 结论与建议
8.1 主要结论
8.1.1 量检测技术发展现状
8.1.2 先进制程量检测技术堵点
8.1.3 先进制程量检测技术突破路径
8.2 主要建议
8.2.1 创新主体
8.2.2 产业战略
展开
