本书主要介绍了通过分析在不同绝缘层制备的有机场效应晶体管性能，得出绝缘层与半导体层表面能匹配可以提高场效应迁移率的规律。全书共4章，具体内容包括：有机场效应晶体管简介及发展现状分析，Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析，表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论，以及利用表面能匹配为指导制备高迁移率DNTT单晶场效应晶体管等。 本书可供从事有机半导体材料合成和性能研究的技术开发和科研人员阅读，也可供从事有机场效应晶体管制备及其应用的科研院所师生参考。

1 绪论
1.1 场效应晶体管简介
1.1.1 场效应晶体管的基本原理
1.1.2 场效应晶体管的基本参数
1.1.3 场效应晶体管的基本构型
1.1.4 有机场效应晶体管的优势
1.1.5 有机场效应晶体管的发展现状
1.2 有机薄膜场效应晶体管
1.2.1 有机薄膜场效应晶体管的优势
1.2.2 有机薄膜的制备方法
1.2.3 有机薄膜场效应晶体管的制备方法和发展现状
1.3 有机单晶场效应晶体管
1.3.1 有机单晶场效应晶体管的优势
1.3.2 有机单晶的生长方法
1.3.3 有机单晶场效应晶体管的制备方法和发展现状
1.4 半导体/绝缘层的界面性质对有机场效应晶体管性能的影响
1.4.1 有机场效应晶体管中的界面工程
1.4.2 绝缘层的性质对有机场效应晶体管性能的影响
1.4.3 绝缘层的表面能对有机场效应晶体管性能的影响
参考文献
2 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析
2.1 Ph5T2单晶的生长及表征
2.1.1 Ph5T2单晶的生长
2.1.2 Ph5T2单晶的表征
2.2 绝缘层的制备及表征
2.2.1 绝缘层的选择及制备
2.2.2 绝缘层的表征
2.3 绝缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响
2.3.1 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及表征
2.3.2 Ph5T2材料表面能的计算及选取
2.3.3 绝缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响
2.3.4 半导体和绝缘层表面能及其分量匹配提高迁移率的机理分析
2.4 本章小结
参考文献
3 表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论
3.1 并五苯单晶场效应晶体管
3.1.1 并五苯单晶的生长及表征
3.1.2 并五苯单晶场效应晶体管的制备及表征
3.1.3 并五苯表面能的计算及选取
3.1.4 绝缘层表面能对并五苯单晶场效应晶体管器件性能的影响
3.2 酞菁锌单晶场效应晶体管
3.2.1 酞菁锌单晶的生长及表征
3.2.2 酞菁锌单晶场效应晶体管的制备及表征
3.2.3 酞菁锌表面能的计算及选取
3.2.4 绝缘层表面能对酞菁锌单晶场效应晶体管器件性能的影响
3.3 表面能及其分量匹配与其他实验结论的兼容
3.4 不同半导体和绝缘层表面能的汇总
3.5 本章小结
参考文献
4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备
4.1 DNTT单晶的生长及表征
4.1.1 DNTT单晶的生长
4.1.2 DNTT单晶的表征
4.2 DNTT表面能的计算及选取
4.3 绝缘层的选取、制备及表征
4.3.1 绝缘层的选取及制备
4.3.2 绝缘层的表征
4.4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备
4.5 本章小结
参考文献