经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重的水电消耗。液态金属印刷半导体技术的出现，以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多类型半导体的大面积低成本印制，由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片，这一模式打破了传统半导体制造理念与应用技术瓶颈，正以其普惠化特点展示出巨大的发展空间，可望为芯片制造业注入新的活力。为促进这一新兴领域的繁荣和发展，本书基于作者团队在该领域深耕20多年的成果，系统总结了液态金属印刷半导体技术的基本原理、制备方法、典型途径和应用，以助力更多基础研发和工业实践，继而推动行业进步。本书可供电子、半导体、物理、材料、化学特别是集成电路、芯片设计、电力电子及绿色制造等领域科研人员、工程师以及大专院校有关专业师生参考。

第1章 绪论
1.1 半导体材料及其基本制造途径
1.2 经典半导体制备工艺面临的困境
1.3 通向普惠制造的印刷电子技术
1.4 变革性的液态金属印刷半导体技术
1.4.1 基本技术概要
1.4.2 液态金属直接印刷第三代半导体技术
1.4.3 液态金属直接印刷第四代半导体技术
1.5 液态金属印刷半导体先进制程的优势
1.6 液态金属印刷半导体面临的机遇与挑战
参考文献
第2章 液态金属元素半导体及化合物半导体
2.1 引言
2.2 物质相态转移与常温制造
2.3 典型的液态金属材料及其化合物半导体
2.4 液态金属超常物质特性
2.5 液态金属正重塑半导体材料学
2.6 种类无限的液态金属合金及复合材料
2.7 液态金属微纳尺度半导体材料学
2.8 液态金属是催生电子及半导体技术变革的强劲引擎
2.9 小结
参考文献
第3章 液态金属基础物理化学特性
3.1 引言
3.2 印刷电子概况
3.2.1 常规印刷技术
3.2.2 常规电子油墨
3.2.3 打印方法
3.2.4 烧结方法
3.3 液态金属印刷电子及半导体
3.4 液态金属电子墨水的基本特点和优势
3.5 液态金属电子墨水物理性质
3.5.1 热物理性质
3.5.2 流体性质
3.5.3 可弯曲及拉伸电子特性
3.5.4 半导体性质
3.5.5 磁学性质
3.5.6 力学性质
3.5.7 其他重要物理属性
3.6 液态金属化学性质
3.7 液态金属典型电子及半导体墨水制备途径
3.7.1 合金化
3.7.2 组合化
3.7.3 纳米化
3.7.4 氧化
3.7.5 氮化
3.7.6 更多化学后处理措施
3.8 液态金属印刷电子及半导体对当代社会的意义
3.8.1 节能意义
3.8.2 对环境保护的意义
3.8.3 对健康技术的影响
3.8.4 新兴应用
3.9 挑战与机遇
3.10 小结
参考文献
第4章 液态金属电子薄膜及物件的印刷
4.1 引言
4.2 传统的电子印刷及油墨
4.3 液态金属印刷电子油墨
4.4 液态金属电子墨水的可打印性
4.4.1 可调节的黏附性
4.4.2 润湿性
4.5 液态金属电子功能薄膜印刷方法
4.5.1 液态金属电子手写方式
4.5.2 液态金属全自动打印电子
4.5.3 普适性液态金属喷墨印刷
4.5.4 液态金属转印方法
4.6 液态金属3D电子及半导体打印方法
4.7 液态金属印刷电子商用设备的发展及应用
4.8 小结
参考文献
第5章 液态金属印刷电子与半导体互联技术
5.1 引言
5.2 液态金属导电图案化打印及与常规半导体器件互联
5.3 碳纳米管薄膜印刷及液态金属制备
5.3.1 碳纳米管薄膜印刷
5.3.2 液态金属的制备
5.4 液态金属碳纳米管光伏电池印制
5.5 高性能柔性液态金属碳纳米管晶体管
5.6 用液态金属和有序排列的碳纳米管制造光电子器件
5.7 小结
参考文献
第6章 液态金属剥离法印刷氧化物半导体
6.1 引言
6.2 SiO2/Si基底上βGa2O3薄膜的表征
6.3 半导体薄膜的形成及晶体管印制与刻画
6.4 βGa2O3器件制造及性能评估
6.5 击穿电压与电容变化
6.6 小结
参考文献
第7章 液态金属掺杂实现氧化物半导体的改性和印制
7.1 引言
7.2 液态金属基n型和p型Ga2O3薄膜的直接印刷
7.3 Ga2O3薄膜形貌、化学成分及晶体结构等性能的表征
7.4 n型和p型Ga2O3在FET电子器件中的应用
7.5 小结
参考文献
第8章 液态金属氮化物半导体室温印刷
8.1 引言
8.2 等离子体介导的Ga液态金属与N2限域直接反应
8.3 室温制造GaN半导体的材料及设备
8.4 GaN半导体室温印制及表征
8.5 超薄2D GaN薄膜的性质
8.6 印刷超薄2D GaN薄膜在电子器件中的应用
8.7 小结
参考文献
第9章 液态金属印刷制备磷化物和硫化物半导体薄膜
9.1 引言
9.2 液态金属Ga表面磷化反应制备二维半导体薄膜
9.2.1 液态金属Ga表面生长二维GaP半导体
9.2.2 液态金属Ga印刷制备2D磷酸镓
9.3 液态金属表面硫化反应制备二维半导体薄膜
9.3.1 液态金属Ga印刷制备2D GaS
9.3.2 液态金属Sn印刷制备2D SnS
9.4 液态金属印刷制备二维半导体器件
9.4.1 液态金属Ga印刷制备2D GaS晶体管
9.4.2 液态金属Sn印刷制备柔性2D SnS压电纳米发电机
9.5 镓基液态金属室温印刷P、S半导体薄膜
9.6 小结
参考文献
第10章 液态金属印刷多元化合物半导体
10.1 引言
10.2 多元合金及GaInSnO和InSnO多层膜制备工艺
10.3 印刷型超薄GaInSnO半导体薄膜的性能
10.4 基于多层膜印制的电子器件集成及应用
10.5 小结
参考文献
第11章 在不同基底表面上的液态金属电子及半导体印刷
11.1 引言
11.2 有较宽基底适应性的半液态金属电子油墨印刷特性
11.3 Ni基液态金属油墨印制电路的刻画
11.4 三维基材表面的