本书共分10章，主要内容包括塔形、铅笔形、三维分支结构、Se掺杂、螺旋形、直和绳形、竹叶形GaN纳米线的制备工艺与性能测试及制备工艺对GaN纳米线取向的影响，此外，还介绍了BN包覆GaN纳米线和InN包覆GaN纳米线的制备及表征。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，每章内容融会贯通、分类叙述，讲述了不同形貌GaN纳米线的制备技术及制备工艺的影响。 本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类专业本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。

1 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料简介
1.2.1 纳米材料概述
1.2.2 纳米材料的特性
1.3 GaN材料性质
1.3.1 物理性质
1.3.2 化学性质
1.3.3 电学性质
1.3.4 光学性质
1.4 GaN纳米线的合成方法
1.4.1 分子束外延法
1.4.2 金属有机化学气相沉积法
1.4.3 氢化物输运气相外延生长法
1.4.4 模板限制生长法
1.4.5 激光烧蚀法
1.4.6 氧化物辅助生长法
1.4.7 化学气相沉积法
1.4.8 溶胶-凝胶法
1.5 纳米线的生长机制
1.5.1 气-液-固机制
1.5.2 气-固机制
1.6 场发射简介
1.6.1 功函数
1.6.2 场增强因子
1.6.3 场发射阴极材料研究进展
1.7 GaN纳米材料研究进展
1.7.1 GaN材料实验研究进展
1.7.2 GaN材料理论研究进展
1.7.3 GaN纳米材料场发射研究进展
1.8 GaN纳米材料表征与性能测试
1.8.1 扫描电子显微镜
1.8.2 X射线衍射
1.8.3 透射电子显微镜和选区电子衍射
1.8.4 光致发光谱
1.8.5 X射线光电子能谱技术
参考文献
2 塔形和铅笔形GaN纳米线的制备及性能
2.1 引言
2.2 塔形GaN纳米线的制备
2.2.1 塔形GaN纳米线的制备过程
2.2.2 工艺条件对制备塔形GaN纳米线的影响
2.2.3 塔形GaN纳米线XRD表征
2.2.4 塔形GaN纳米线SEM表征
2.2.5 塔形GaN纳米线TEM表征
2.2.6 塔形GaN纳米线生长机理分析
2.3 塔形GaN纳米线性能测试
2.3.1 塔形GaN纳米线光致发光谱分析
2.3.2 塔形GaN纳米线拉曼光谱分析
2.3.3 塔形GaN纳米线场发射性能分析
2.4 铅笔形GaN纳米线的制备
2.4.1 铅笔形GaN纳米线的制备过程
2.4.2 工艺条件对制备铅笔形GaN纳米线的影响
2.4.3 铅笔形GaN纳米线XRD表征
2.4.4 铅笔形GaN纳米线SEM表征
2.4.5 铅笔形GaN纳米线生长机理分析
2.5 铅笔形GaN纳米线场发射性能分析
参考文献
3 三维分支结构GaN纳米线的制备及性能
3.1 引言
3.2 三维分支结构GaN纳米线的制备
3.3 三维分支结构GaN纳米线表征
3.3.1 三维分支结构GaN纳米线XRD表征
3.3.2 三维分支结构GaN纳米线SEM表征
3.3.3 三维分支结构GaN纳米线TEM表征
3.4 三维分支结构GaN纳米线生长机理分析
3.5 三维分支结构GaN纳米线性能测试
3.5.1 三维分支结构GaN纳米线光致发光谱分析
3.5.2 三维分支结构GaN纳米线场发射性能分析
参考文献
4 Se掺杂GaN纳米线的制备及性能
4.1 引言
4.2 第一性原理研究Se掺杂GaN纳米线
4.2.1 密度泛函理论
4.2.2 计算模型和方法
4.2.3 形成能
4.2.4 模型优化
4.2.5 能带结构
4.2.6 态密度
4.2.7 功函数
4.3 Se掺杂GaN纳米线的制备
4.3.1 Se掺杂GaN纳米线的制备过程
4.3.2 工艺条件对Se掺杂GaN纳米线制备的影响
4.3.3 不同浓度Se掺杂GaN纳米线制备
4.3.4 Se掺杂GaN纳米线XRD表征
4.3.5 Se掺杂GaN纳米线TEM表征
4.4 Se掺杂GaN纳米线场发射性能分析
参考文献
5 螺旋形GaN纳米线的制备及性能
5.1 引言
5.2 样品的制备
5.3 螺旋形GaN纳米线的SEM表征
5.4 螺旋形GaN纳米线的XRD表征
5.5 螺旋形GaN纳米线的TEM表征
5.6 螺旋形GaN纳米线的场发射性能测试
5.7 螺旋形GaN纳米线的生长机制分析
参考文献
6 直和绳形GaN纳米线的制备及性能
6.1 引言
6.2 制备工艺
6.2.1 制备过程
6.2.2 氨化时间对GaN纳米线的影响
6.2.3 NH3流量对GaN纳米线的影响
6.3 直GaN纳米线
6.3.1 直GaN纳米线的SEM表征
6.3.2 直GaN纳米线的XRD表征
6.3.3 直GaN纳米线的TEM表征
6.4 绳形GaN纳米线
6.4.1 绳形GaN纳米线的SEM表征
6.4.2 绳形GaN纳米线的XRD表征
6.4.3 绳形GaN纳米线的TEM表征
6.4.4 绳形CaN纳米线的XPS表征
6.5 直和绳形GaN纳米线的生长机理分析
6.5.1 气-液-固生长机理
6.5.2 GaN纳米线生长机理
参考文献
7 制备工艺对GaN纳米线取向的影响
7.1 引言
7.2 实验方案
7.2.1 催化剂颗粒的制备
7.2.2 GaN纳米线的生长
7.3 实验过程
7.3.1 催化剂颗粒的制备
7.3.2 GaN纳米线的生长
7.4 实验结果及分析
7.4.1 温度对纳米线取向的影响
7.4.2 不同Ga源制备对纳米线取向的影响
7.4.3 纳米线的取向对场发射的影响
参考文献
8 竹叶形GaN纳米线的制备
8.1 引言
8.2 实验过程
8.3 结果与分析
8.3.1 氨化温度对GaN纳米线形貌的影响
8.3.2 NH3流量对GaN纳米线形貌的影响
8.3.3 氨化时间对GaN纳米线形貌的影响
参考文献
9 BN包覆GaN复合纳米线的制备