第1章 低温等离子体蚀刻技术发展史
1.1 绚丽多彩的等离子体世界
1.2 低温等离子体的应用领域
1.3 低温等离子体蚀刻技术混沌之初
1.4 低温等离子体蚀刻技术世纪初的三国演义
1.5 三维逻辑和存储器时代低温等离子体蚀刻技术的变迁
1.6 华人在低温等离子体蚀刻机台发展中的卓越贡献
1.7 未来低温等离子体蚀刻技术展望
参考文献
第2章 低温等离子体蚀刻简介
2.1 等离子体的基本概念
2.2 低温等离子体蚀刻基本概念
2.3 等离子体蚀刻机台简介
2.3.1 电容耦合等离子体机台
2.3.2 电感耦合等离子体机台
2.3.3 电子回旋共振等离子体机台
2.3.4 远距等离子体蚀刻机台
2.3.5 等离子体边缘蚀刻机台
2.4 等离子体先进蚀刻技术简介
2.4.1 等离子体脉冲蚀刻技术
2.4.2 原子层蚀刻技术
2.4.3 中性粒子束蚀刻技术
2.4.4 带状束方向性蚀刻技术
2.4.5 气体团簇离子束蚀刻技术
参考文献
第3章 等离子体蚀刻在逻辑集成电路制造中的应用
3.1 逻辑集成电路的发展
3.2 浅沟槽隔离蚀刻
3.2.1 浅沟槽隔离的背景和概况
3.2.2 浅沟槽隔离蚀刻的发展
3.2.3 膜层结构对浅沟槽隔离蚀刻的影响
3.2.4 浅沟槽隔离蚀刻参数影响
3.2.5 浅沟槽隔离蚀刻的重要物理参数及对器件性能的影响
3.2.6 鳍式场效应晶体管中鳍（Fin）的自对准双图形的蚀刻
3.2.7 鳍式场效应晶体管中的物理性能对器件的影响
3.2.8 浅沟槽隔离蚀刻中的负载调节
3.3 多晶硅栅极的蚀刻
3.3.1 逻辑集成电路中的栅及其材料的演变
3.3.2 多晶硅栅极蚀刻
3.3.3 台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响
3.3.4 多晶硅栅极的线宽粗糙度
3.3.5 多晶硅栅极的双图形蚀刻
3.3.6 鳍式场效应晶体管中的多晶硅栅极蚀刻
3.4 等离子体蚀刻在锗硅外延生长中的应用
3.4.1 西格玛形锗硅沟槽成型控制
3.4.2 蚀刻后硅锗沟槽界面对最终西格玛形沟槽形状及硅锗外延生长的影响
3.5 伪栅去除
3.5.1 高介电常数金属栅极工艺
3.5.2 先栅极工艺和后栅极工艺
3.5.3 伪栅去除工艺
3.6 偏置侧墙和主侧墙的蚀刻
3.6.1 偏置侧墙的发展
3.6.2 侧墙蚀刻
3.6.3 先进侧墙蚀刻技术
3.6.4 侧墙蚀刻对器件的影响
3.7 应力临近技术
3.7.1 应力临近技术在半导体技术中的应用
3.7.2 应力临近技术蚀刻
3.8 接触孔的等离子体蚀刻
3.8.1 接触孔蚀刻工艺的发展历程
3.8.2 接触孔掩膜层蚀刻步骤中蚀刻气体对接触孔尺寸及圆整度的影响
3.8.3 接触孔主蚀刻步骤中源功率和偏置功率对接触孔侧壁形状的影响
3.8.4 接触孔主蚀刻步骤中氧气使用量的影响及优化
3.8.5 接触孔蚀刻停止层蚀刻步骤的优化
3.8.6 晶圆温度对接触孔蚀刻的影响
3.9 后段互连工艺流程及等离子体蚀刻的应用
3.9.1 后段互连工艺的发展历程
3.9.2 集成电路制造后段互连工艺流程
3.10 第一金属连接层的蚀刻
3.10.1 第一金属连接层蚀刻工艺的发展历程
3.10.2 工艺整合对第一金属连接层蚀刻工艺的要求
3.10.3 第一金属连接层蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.11 通孔的蚀刻
3.11.1 工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求
3.11.2 通孔蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.12 金属硬掩膜层的蚀刻
3.12.1 金属硬掩膜层蚀刻参数对负载效应的影响
3.12.2 金属硬掩膜层材料应力对负载效应的影响
3.12.3 金属硬掩膜层蚀刻侧壁轮廓对负载效应的影响
3.13 介电材料沟槽的蚀刻
3.13.1 工艺整合对介电材料沟槽蚀刻工艺的要求
3.13.2 先通孔工艺流程沟槽蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.13.3 金属硬掩膜先沟槽工艺流程沟槽蚀刻工艺对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.14 钝化层介电材料的蚀刻
3.15 铝垫的金属蚀刻
参考文献
第4章 等离子体蚀刻在存储器集成电路制造中的应用
4.1 闪存的基本介绍
4.1.1 基本概念
4.1.2 发展历史
4.1.3 工作原理
4.1.4 性能
4.1.5 主要厂商
4.2 等离子体蚀刻在标准浮栅闪存中的应用
4.2.1 标准浮栅闪存的浅槽隔离蚀刻工艺
4.2.2 标准浮栅闪存的浅槽隔离氧化层回刻工艺
4.2.3 标准浮栅闪存的浮栅蚀刻工艺
4.2.4 标准浮栅闪存的控制栅极蚀刻工艺
4.2.5 标准浮栅闪存的侧墙蚀刻工艺
4.2.6 标准浮栅闪存的接触孔蚀刻工艺
4.2.7 特殊结构闪存的蚀刻工艺
4.2.8 标准浮栅闪存的SADP蚀刻工艺
4.3 3D NAND关键工艺介绍
4.3.1 为何开发3D NAND闪存
4.3.2 3D NAND的成本优势
4.3.3 3D NAND中的蚀刻工艺
4.4 新型存储器与
展开
