《MgB2超导体的成相与掺杂机理》首先介绍了MgB2的超导性能及发展概况，系统地研究了其成相热力学和动力学，同时对其烧结成相过程进行了全面的论述。在此基础上进一步研究了原位Al2O3、Cu和SiC掺杂对MgB2超导体成相过程以及超导性能的影响，并以此为出发点，对目前世界上各类物质掺杂MgB2超导体的研究现状进行了全面的阐述与总结。<br>    《MgB2超导体的成相与掺杂机理》可作为高校超导材料和超导物理等相关专业的教学参考书，也可供从事超导材料制备和超导物理研究的科研、生产部门的科技工作者参考。

    第1章  超导体的发展概况及MgB2超导体研究应用前景<br>    1.1  超导体的发展历史及基本特性<br>    1.1.1  超导体的发展简史<br>    自1911年荷兰Leiden大学的Onnes发现汞的超导性以来，人们一直对这种奇妙的现象不懈地进行着艰苦的探索。经过了近百年的努力，人类对超导的认识取得了很大的进展，但是迄今为止还继续有新的超导体被发现，人们还不能完全、完美地解释超导现象。<br>    近百年的超导科技发展史大体经历了三个阶段：第一阶段是1911～1957年超导微观理论（目前通称BCS理论）问世，它是人类对超导电性的基本探索和认识阶段。BCS理论是Bardeen、Cooper、Schrieffer共同发展的低温超导理论，其核心是提出了Cooper电子对作为产生超导电性的基础，1972年三人共获诺贝尔奖，这是人类认识超导电性的基础阶段。第二阶段是自1958～1985年，属于人类对超导技术应用的准备阶段。第三阶段是自1986年Bednorz和Mtlller制备出超导转变温度（Tc）高于30K的超导材料（La—Ba—Cu—O）后开始的高温超导材料阶段，并逐步转入超导技术开发时代，超导转变温度的发展历史如图1.1所示。<br>    结合超导发展的历程，把超导材料按超导现象出现的温度范围可分为两类：液氦温区的低温超导体和液氮温区的高温超导体。

前言<br>第1章 超导体的发展概况及MgB2超导体研究应用前景<br>1.1 超导体的发展历史及基本特性<br>1.1.1 超导体的发展简史<br>1.1.2 超导体的基本特性<br>1.2 MgBz超导体超导性能与机制<br>1.2.1 卓越的超导特性<br>1.2.2 MgB2超导机理<br>1.3 MgB2超导体的研究与应用前景<br>1.3.1 MgB2超导体的制备研究现状<br>1.3.2 MgB2超导体的应用前景<br>参考文献<br><br>第2章 MgB2超导体成相的热力学和动力学研究<br>2.1 Mg-B体系的中间化合物以及相图分析<br>2.1.1 Mg-B体系中间相以及相互演化关系<br>2.1.2 Mg-B体系相图<br>2.2 MgB2超导体成相的热力学条件<br>2.2.1 化学反应热力学分析理论基础<br>2.2.2 Mg-B体系热力学计算与分析<br>2.3 MgB2超导体成相的反应动力学模型研究<br>2.3.1 化学反应动力学分析理论基础<br>2.3.2 多晶MgB2相的反应动力学研究<br>参考文献<br><br>第3章 MgB2超导体的烧结成相过程与生长机理<br>3.1 多晶MgB2成相过程的差热分析<br>3.2 固-固反应阶段<br>3.2.1 固-固反厦初期<br>3.2.2 固-固烧结反应中期<br>3.2.3 固-固烧结反应后期<br>3.3 固-液反应阶段<br>3.4 超导电性对比<br>参考文献<br><br>第4章 纳米Al2O3掺杂对MgB2多晶体形成及性能的影响<br>4.1 纳米Al2O3粉末掺杂对MgB2相形成过程的影响<br>4.2 纳米Al2O3粉末掺杂对MgB2样品组织的影响<br>4.3 纳米Al2O3粉末掺杂对块体MgB2超导电性能的影响<br>4.3.1 超导临界转变温度<br>4.3.2 晶体结构的变化<br>4.3.3 超导临界电流密度<br>参考文献<br><br>第5章 Cu掺杂对MgB2超导体的成相过程及超导性能的影响。<br>5.1 Cu掺杂MgB2超导体的活化烧结机制与模型<br>5.2 Cu掺杂MgB2超导体的低温快速烧结制备<br>5.3 低温烧结Cu掺杂MgB2超导体的超导性能<br>5.4 Cu掺杂改善MgB2超导性能的机理<br>参考文献<br><br>第6章 纳米SiC掺杂对MgB2超导体的成相过程以及超导性能的影响<br>6.1 纳米SiC掺杂对MgB2超导体的成相过程的影响<br>6.2 纳米SiC有效引入碳掺杂的烧结反应机理<br>6.3 纳米SiC提高MgB2在中高场下临界电流密度的机理<br>参考文献<br><br>第7章 各类掺杂物质对MgB2超导性能的不同影响机理<br>7.1 非碳基化合物的掺杂对MgB2超导性能的影响机理<br>7.1.1 硅以及硅化物的掺杂效应及机理<br>7.1.2 氧化物的掺杂效应及机理<br>7.1.3 其他非碳基化合物的掺杂效应和机理<br>7.2 金属元素的掺杂对MgBz超导性能的影响机理<br>7.2.1 引起元素替代的金属掺杂<br>7.2.2 引入磁通钉扎中心的金属掺杂<br>7.2.3 改善晶界连通性的金属掺杂<br>7.3 碳基化合物掺杂对MgB2超导性能的影响机理<br>7.3.1 非定形碳掺杂<br>7.3.2 纳米SiC掺杂<br>7.3.3 碳纳米管掺杂<br>7.3.4 B4C掺杂<br>7.3.5 碳氢化合物以及碳水化合物掺杂<br>7.3.6 其他碳基化合物掺杂<br>参考文献