本书系统阐述了金属氧化物半导体(TiO2、Bi2O3和SnO2)基紫外探测器的制备工艺与性能优化研究。首先介绍了紫外探测器的基本工作原理及三类氧化物的研究现状,随后重点分析了三种材料的制备方法、结构表征技术及其光电性能测试体系。在单相材料研究基础上,进一步探讨了异质结器件的构筑策略与性能增强机制,包括TiO2/Ag、TiO2/Ag/ZnS、Bi2O3/ZnO、g-C3N4/Bi2O3和ZnO/SnO2等典型体系。通过对比异质结与单相器件的响应度、探测率等关键参数,揭示了界面工程对紫外探测性能的提升作用,为新型高性能紫外探测器的设计提供了理论指导和技术参考。
本书可供从事光电功能材料方向研究的科研人员和工程技术人员阅读,也可供大专院校有关专业的师生参考。
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