《微米纳米器件设计》是MEMS设计的专著，主要介绍MEMS器件、系统和工艺的模型、模拟以及设计方法。在器件级设计中，介绍微传感器和微执行器的工作原理，偏微分方程和耦合偏微分方程的有限元网格划分、算法及后处理方法；在系统级设计中介绍MEMS系统级建模方法，例如接点分析法、等效电路法、VHDL等；在MEMS工艺模型中，介绍主要加工方法如硅各向异性腐蚀、DRIE、UV-LIGA等工艺模型及相关算法（元胞自动机、线算法等）。最后介绍MEMS设计软件结构、模块以及使用方法和算例。

　　《微米纳米器件设计》：
　　固体、液体和气体都被分解为分子（或原子）的聚集体，而原子又被分解为原子核和电子，表面／界面上的分子（或原子）不同于内部。MEMS利用固体、液体或气体在微米尺度下的特性（基本上是体特性），因此，描述MEMS工作的模型是基于连续介质的理论，在物理上的连续意味着在数学上可采用微积分，因此MEMS模型、模拟及其设计方法主要是以有限元为代表的数值方法。NEMS（纳机电系统）是纳米科学技术的重要分支之一，纳米材料独特的性质和优异的性能由其尺寸、表面结构及其粒子间的相互作用决定。例如，在纳米尺度下，分子（或原子）的高表面／体积比率带来很多尺寸依赖现象，同时极大的裸露面积增加了表面活性，使高灵敏生物化学传感器成为可能；有限尺寸限制了电子的空间分布，导致量子能级出现，这种量子限制在半导体、光电子和非线性光学领域展现出良好的应用前景。以硅纳米线为例，纳米线的长度方向尺度远大于原子间距，可认为是连续介质，而截面尺度在纳米尺度范围，原子特性显现。在描述力学特性时，原则上可以用分子动力学方法计算每个原子与其他原子的相互作用行为，进而了解其力学性质，但是，这种情况下的原子数太多以至无法实现。因此，在NEMS器件中，几何空间的多尺度导致使用不同的物理描述方法。表1.2列出的MEMS设计工具一般不能用于NEMS分析与设计，NEMS是前沿发展领域，目前以实验室研究为主，设计者提出新型器件的构思，通过设计工具模拟分析出该器件性能，从而验证他们的构思原理或揭示新的现象。
　　本书不是对微米纳米器件设计的全面介绍，而是以MEMS器件级设计、系统级设计和工艺级设计为主线，分别论述器件级建模与模拟，系统级建模与模拟，工艺级建模与模拟。由于NEMS设计使用了不同于MEMS设计的框架，因此，最后一章单独介绍NEMS设计。
　　第2章论述MEMS器件工作的基本方程，求解条件和数值方法，最后简单介绍常用的多物理场分析软件工具。
　　第3章论述MEMS器件宏模型建模方法和系统级设计，给出了静电执行器、电热执行器、磁执行器宏模型建模，初步讨论了MEMS器件与封装体耦合模型。
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第1章 MEMS设计框架
1.1 科技问题的计算
1.2 MEMS建模层次和设计方法
1.2.1 MEMS建模与分析
1.2.2 MEMS可制造性设计
1.2.3 MEMS设计的发展
1.3 NEMS设计
1.4 本书框架
1.5 总结
参考文献

第2章 MEMS器件级模型与模拟
2.1 基本方程
2.1.1 弹性力学方程
2.1.2 振动力学方程
2.1.3 流体力学方程
2.1.4 传热方程
2.1.5 电磁学方程
2.1.6 多场耦合
2.2 求解条件
2.2.1 初始条件
2.2.2 边界条件
2.2.3 连接条件
2.3 数值方法
2.3.1 有限差分法
2.3.2 有限元法
2.3.3 边界元法
2.4 设计工具介绍
2.4.1 Ansys
2.4.2 Coventor
2.4.3 IntelliSuite
2.5 总结
参考文献

第3章 MEMS器件宏模型与系统级设计
3.1 微机电系统构成及其分解
3.2 宏模型建模方法
3.2.1 解析法
3.2.2 等效电路法
3.2.3 节点分析法
3.2.4 模型降阶法
3.3 常用MEMS器件宏模型
3.3.1 静电执行器件模型
3.3.2 电热器件模型
3.3.3 MEMS器件与封装体耦合模型
3.4 系统级设计工具介绍
3.4.1 Saber
3.4.2 Spice
3.4.3 Simulink
3.4.4 VHDL
3.5 总结
参考文献

第4章 MEMS工艺级模型与模拟
4.1 集成电路制造工艺概述
4.1.1 集成电路芯片制造基本工艺
4.1.2 集成电路制造流程
4.1.3 光刻母版和掩模版
4.1.4 集成电路制造实例
4.2 MEMS制造工艺概述
4.2.1 硅表面微机械加工技术
4.2.2 硅体微机械加工技术
4.2.3 uGA与uV-IIGA技术
4.3 工艺模拟算法
4.3.1 线算法
4.3.2 元胞自动机算法
4.3.3 水平集算法
4.3.4 快速推进算法
4.4 常用MEMS工艺的模型与模拟
4.4.1 硅各向异性腐蚀
4.4.2 深反应离子刻蚀
4.4.3 硅一硅直接键合工艺模型和模拟
4.4.4 薄膜淀积、刻蚀模型与模拟
4.4.5 Su-8厚胶光刻
4.4.6 牺牲层腐蚀
4.5 MEMS工艺软件包
4.5.1 Sentaurus Process
4.5.2 SEAES
4.5.3 Exposure
4.6 总结
参考文献

第5章 NEMS设计基础
5.1 NlEMS
5.1.1 NEMS特征
5.1.2 NEMS实例
5.1.3 NEMS建模需要考虑的问题
5.2 统计力学基础
5.2.1 分子动力学理论
5.2.2 分子速率与能量分布
5.2.3 热涨落与噪声
5.2.4 统计分布
5.2.5 玻耳兹曼方程
5.3 量子力学基础
5.3.1 波函数与薛定谔方程
5.3.2 计算实例
5.3.3 量子阱、量子线和量子点
5.3.4 wKB近似
5.3.5 Casimir效应
5.4 晶格动力学基础
5.4.1 固体中的键及类型
5.4.2 晶格振动
5.4.3 固体热容
5.4.4 固体热膨胀
5.4.5 固体弹性
5.5 分子动力学模拟方法
5.5.1 拉格朗日运动方程和牛顿运动方程
5.5.2 力和势能函数
5.5.3 周期性边界条件和力场截断
5.5.4 有限差分算法
5.5.5 系综
5.5.6 宏观物理量求解
5.6 典型NEMS结构与器件模型
5.6.1 纳米硅尖场致发射模型
5.6.2 纳米硅膜力学特性的多尺度方法
5.6.3 纳米硅悬臂梁吸附模型
5.6.4 纳米硅膜压阻模型
5.7 纳米材料分析工具介绍
5.7.1 Materials Studio软件功能模块
5.7.2 设计实例
5.8 总结
参考文献