日本是氧化物TFT技术输出大国,很早就重视氧化物TFT技术的专利布局。1984年开始申请氧化物TFT专利,从2001年开始稳步快速增长,除2004年外日本一直保持专利申请全球第一。日本参与氧化物TFT研究的技术研发主体最多,包括半导体能源研究所、佳能、富士、柯尼卡、索尼、夏普等公司,它们都在氧化物TFT技术研发上有很大投入,具有很强的研发实力。其中夏普公司更是宣布其位于日本龟山的8代线于2012年4月正式量产采用IGZOTFT的液晶面板,成为业界首家量产氧化物TFT液晶面板的厂商。
韩国进入氧化物TFT技术研究的时间比日本稍晚,其专利申请量从2005年开始稳步上升,目前稳居全球申请量第二的位置。这与韩国面板厂商在AMOLED领域的战略布局有直接关系,其中韩国主要申请人三星功不可没,在面板行业产业竞争日趋激烈的过程中,三星必然会加大氧化物TFT的研发力度。目前业内普遍认可的刻蚀阻挡型即为三星SDI率先提出,2008年,三星公布了一款应用刻蚀阻挡层氧化物TFT结构的12.1英寸WXGAAMOLED显示屏,表现了良好的显示性能。2010年底,三星SDI推出70英寸的IGZO-TFT面板,并成功用于驱动液晶显示,基于金属氧化物材料的大尺寸IGZO-TFT面板技术获得重大突破,该大尺寸氧化物TFT背板采用第7代生产线试制成功,标志着氧化物TFT面板具有广阔的产业前景。
美国虽然早在1980年就出现了用于液晶显示驱动的氧化物TFT技术专利申请,但是申请量开始连续增长始于2002年,之后申请处于波浪式发展态势,年申请量增长不大。随着液晶显示产业全球范围内的四次转移浪潮,美国目前虽然没有大型液晶面板生产企业,但氧化物TFT技术专利申请量位居全球第三的事实充分显示,美国依旧研发并掌握着液晶显示产业的前沿技术。
中国从2004年开始出现氧化物TFT技术的专利申请,起步较晚。一部分原因是液晶显示产业前沿研究的带头力量不在中国,中国台湾地区和中国大陆的企业起初将关注重心放在制造而不是研发上,与日、韩、美企业在技术上还有较大差距,还处于对氧化物TFT技术的模仿和起步研发阶段;另一部分原因在于目前国内氧化物TFT技术专利申请的主要力量是国内高等院校及研究所,由于中国建立专利制度的时间较晚,国内发明创造主体的专利意识有限,没能及时将研究成果转化为专利申请。
值得一提的是,尽管存在2010年11月之后专利数据不完整的情况,中国申请人(含中国台湾)对氧化物TFT技术的专利申请量在2010年和2011年仍保持高速增长,相对于全球专利申请趋势逆势而上。
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