《集成电路的电磁兼容：低发射、低敏感度技术》的宗旨是综述集成电路的电磁兼容现象，介绍最新的EMC测量方法和EMC建模方法。《集成电路的电磁兼容：低发射、低敏感度技术》给出了集成电路辐射和敏感度的历史与现状、基本概念及原理，并通过各种案例给出了详细的建模方法、测量方法，以及一些企业和科研实验室的仿真与测量结果，有助于集成电路和电子系统设计人员减少IC和电子系统的寄生发射，以及对射频干扰的敏感度。<br>    《集成电路的电磁兼容：低发射、低敏感度技术》是在集成电路的EMC方面的专门的信息汇总，希望能够为广大集成电路电磁兼容的专家、学者、设计工程师、电子工程学爱好者提供帮助。

    集成电路（IC）往往在电子系统的电磁兼容（EMC）中扮演着重要角色。通常，IC是产生干扰的信号与噪声的根源，它们会把供给的直流（DC）电源转化为作用于无意发射和耦合的高频电流和电压。<br>    电磁干扰最大的牺牲者也往往是集成电路。在典型电子系统的所有器件中，集成电路最易因过电压和过电流条件而损坏。即使没有损坏，耦合到IC的输入或电源引脚的噪声也可能使它们发生故障。<br>    虽然IC通常是EMC问题的根源或牺牲者，但是绝大多数与EMC相关的研究和解决的问题的焦点都在IC封装之外。传统上，EMC工程师把他们的努力集中在了电路板、机壳和线缆的设计上。除了一些值得注意的例外（例如，过电压保护和转换速率控制），EMC在集成电路本身的设计中没有发挥主要作用。<br>    伴随集成电路的EMC问题一般分为“芯片内”或“外部耦合”。当一个或多个电路里产生的信号或噪声与同一芯片内的另一个电路的运行彼此干扰时，就产生了芯片内的EMC问题。当集成电路里产生的信号或噪声干扰芯片外的电路或器件时，或者反之，当外部产生的噪声干扰集成电路的正常工作时，就产生了外部耦合的EMC问题。<br>    1.1 芯片内的EMC<br>    两个最普遍的芯片内的EMC问题是串音和同时开关噪声。当一个电路中的电压或电流无意地耦合到另一个电路中时，就产生了串音。如果耦合足够强，耦合的信号还会影响被干扰电路接收到的信号幅度和定时，从而引起电路故障或使其功能异常。<br>    ……

第1章 集成电路电磁兼容的基本概念<br>1.集成电路的电磁兼容<br>1.1 芯片内的EMC<br>1.2 外部耦合的EMC<br>2.集成电路的电磁兼容测量基础<br>2.1 骚扰测量<br>2.2 抗扰度试验<br>3. IC的EMC模型<br>4.总结<br>5.参考文献<br><br>第2章 历史与现状<br>1.早期的研究工作<br>2.1 990一1995年间ICS在集成电路EMC方面的研究<br>3.集成电路的敏感度（从1995年开始）<br>4.集成电路的寄生发射<br>5.集成电路EMC的标准化<br>5.1 测量方法<br>5.2 器件的EMC模型<br>5.3 趋于融合<br>6.特别事件和出版物<br>7.IC的发展历程<br>8.封装蓝图<br>9.EMC问题<br>10.总结<br>11.参考文献<br>12.参考标准<br><br>第3章 基础和理论——EMC现象的数学背景<br>1.基本电磁场理论<br>1.1 电磁辐射的物理概念<br>1.2 电偶极子的计算公式<br>1.3 磁场环的辐射<br>1.4 辐射功率<br>1.5 讨论<br>2.傅里叶分析<br>3.传输线<br>3.1 传输线模型<br>3.2 电报方程<br>3.3 信号在无损耗线路上的传播<br>3.4 负载条件<br>3.5 集成电路中的传输线<br>3.6 史密斯图<br>4.RLC表达式<br>4.1 介绍<br>4.2 分布式模型和集总模型<br>4. 3集总模型的限制<br>4.4 趋肤效应<br>4.5 互连线<br>5.S参数<br>5.1 S参数的影响<br>5.2 S参数的定义<br>5.3 S1l，S12，S2l和S22的测量<br>5.4 S矩阵的特性<br>5.5 S参数的测量<br>6.总结<br>7.参考文献<br><br>第4章 测量方法——集成电路的发射和敏感度<br>1.简介<br>2.TEM／GTEM小室方法<br>2.1 简述<br>2.2 TEM小室内IC发射测量的配置<br>2.3 使用TEM小室测量微处理器的辐射<br>2.4 GTEMFEM小室的高频变体<br>2.5 不同小室测量结果的相关性<br>3.近场扫描方法<br>3.1 扫描仪和定位系统<br>3.2 近场扫描使用的探头<br>3.3 集成电路发射<br>3.4 讨论<br>4.1 D／150Q传导法<br>5.工作台法拉第笼法<br>5.1 WBFC方法的适用范围<br>5.2 工作台法拉第笼法的基本观念<br>5.3 功率匹配<br>5.4 耦合去耦网络<br>5.5 测量<br>5.6 讨论<br>6.大电流注人法（BCI）<br>6.1 IRF输入系统的校准<br>6.2 测试配置<br>6.3 干扰<br>6.4.：BCI测试算法<br>6.5 不合格判据检测<br>6.6 PCB和其他硬件设置<br>6.7 BCI测试结果<br>7.直接功率注入法（DPI）<br>7.1 DPI测试算法<br>7.2 DPI测试结果<br>8.集成电路的瞬态抗扰度<br>8.1 动机<br>8.2 耦合路径<br>8.3 瞬态抗扰度环境<br>8.4 集成电路的测试方法<br>8.5 新兴的Ic测试方法<br>8.6 讨论<br>9.电波暗室内的发射和抗扰度测试<br>9.1 IC的远场发射<br>9.2 测量IC的远场电场<br>9.3 电波暗室内的发射测量<br>9.4 Ic辐射的抗扰度测试<br>9.5 电波暗室内的抗扰度测试<br>9.6 混响室内的发射和抗扰度测试<br>9.7 讨论<br>10.片上测量<br>10.1 片上示波器<br>11.集成电路的EMC测试计划<br>11.1 标准发射电平<br>11.2 抗扰度电平<br>12.讨论和总结<br>13.参考文献<br><br>第5章 EMC建模——集成电路中骚扰发射和抗扰度现象的建模概览<br>1.静电放电模型<br>1.1 简介<br>1.2 ESD测试模型<br>1.3 人体模型（HBM）<br>1.4 机器模型（MM）<br>1.5 带电器件模型（CDM）<br>1.6 传输线脉冲模型（TLP）<br>2.内部电流整流<br>2.1 起因<br>2.2 寄生发射的基本原理<br>3.印制电路板模型<br>3.1 PCB概述<br>3.2 PCB的标准形状和特征<br>4.封装<br>4.1 标准Ic封装技术<br>4.2 等效封装电路的计算<br>4.3 例1：中等功率IC封装<br>4.4 例2：Cesame芯片封装<br>5.发射模型<br>5.1 简介<br>5.2 ICEM模型<br>5.3 IBIS模型<br>5.4 IMIC模型——集成电路的I／O界面模型<br>5.5 IECCS模型：线性等效电路和电流源模型<br>6.输入／{俞出模型<br>6.1 简介<br>6.2 I／O的模块描述<br>6.3 缓冲器模型<br>6.4 I／O模块模型<br>6.5 LECCS—I／O模型<br>7.抗扰模型<br>7.1 简介<br>7.2 仿真模型元素的介绍<br>7.3 仿真的设置<br>7.4 失败判据的定义<br>7.5 仿真与测量结果的比较<br>7.6 抗扰LECCS模型<br>7.7 内部抗扰分析<br>……<br>第6章 案例研究——EMC测试芯片、低发射的微控制器<br>第7章 准则——用于改进EMC的规程<br>附录