魏先存，工学博士，西北工业大学教授、博士生导师。多年从事模拟与混合信号VLSI的研究和开发，在混合高压工艺、数模混合信号CMOS集成电路方面，研制成功多款TFT-LCD驱动控制芯片、高速高精度ADC和DAC芯片、高精度稳压电源芯片以及高速接口电路芯片。目前主要从事混合信号Soc设计方法学、低压低功耗模拟集成电路、CMOS图像传感器以肢数字电源等方面的研究与开发。发表论文七十余篇，获授权国家发明专利5项，省部级科学技术一等奖1项。
　　陈莹梅，主要从事模拟与混合信号集成电路设计方面的研究，主要研究内容包括2.5-40 Gb／s超高速单片集成光接收机芯片的研制，GPs接收机芯片研制等，其中负责研制的两种芯片分别被鉴定为具有“国际先进水平”和“国内先进水平”。主持翻泽了国外经典教材《模拟集成电路设计精粹》，已出版教材《集成电路设计》，现讲授“模拟集成电路设计”和“通信电子线路”等课程，在国外核心学术期刊及学术会议上发表研究论文二十余篇，其中被SCI、EI收录十余篇。
　　胡正飞，研究方向为电磁场与微波技术、卫星通信、集成电路设计与应用等。先后主持或参与了海上卫星移动通信关键技术研究、便携式卫埋移动通信系统等十几个项目或产晶的研究开发工作；发表学术论文十余篇；获国家发明专利8项，实用新型专利7项；获江苏省科技进步二等奖1项、三等奖1项，广东省科技进步一等奖1项。

　　《模拟CMOS集成电路设计》是作者结合自己多年的科研实践，在参考国内外同类教材的基础上，精心编著而成的。《模拟CMOS集成电路设计》结合现代CMOS工艺的发展，从元器件出发，详细分析了各种典型模拟CMOS集成电路的工作原理和设计方法，对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。
　　全书共分10章，其中前6章介绍CMOS元器件和基本单元电路的基础知识，后4章介绍它们的典型应用，包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。
　　《模拟CMOS集成电路设计》可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用（大约需要60学时），也可供模拟集成电路设计工程师参考。
　　《模拟CMOS集成电路设计》的读者应具备电路和信号方面的基础知识，如果读者还具备半导体物理方面的知识，则更容易理解《模拟CMOS集成电路设计》的内容。

　　自从1958年美国TI公司试制成功第一块集成电路以来，集成电路技术得到快速发展。晶体管的最小尺寸从1960年的25“m减小到2008年的45nm，正如Intel公司的创始人戈登·摩尔（Cor·don Moor·e）在1975年所预期的那样（摩尔定律），晶体管尺寸每隔3年减小1／2，每个芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番。过去30多年的发展历史证实了摩尔定律的有效性，而且这种趋势还将继续下去。
　　随着集成电路制造技术的飞速发展，晶体管的尺寸按比例缩小，集成电路的集成度不断提高，目前可在一块晶片上集成数亿个晶体管，可实现的功能更加丰富和强大。如今，集成电路已被视为与钢铁和石油工业同等重要的、具有战略意义的国家命脉工业，其技术水平和产业规模已成为衡量一个国家经济发展、技术进步、工业先进、国防实力的重要标志，微电子技术已成为21世纪最活跃的高科技产业之一。
　　从20世纪的后期开始，信息和电子技术领域发生了革命性的进步和飞速发展，这些领域包括：（1）以个人计算机和互联网为代表的信息技术；（2）以手机、PDA（personal digitalassistant）和全球卫星定位系统（global position systerrl，GPS）为代表的现代移动通信技术；（3）以数码相机、数码摄像机和MP3／MP4为代表的便携式消费类电子技术；（4）以平板电视、数字电视和DVD为代表的数字家电多媒体技术；（5）其他工业和国防领域的电子技术。作为信息和电子产业的核心元器件，集成电路有力地推动和促进了上述新型技术的进步和发展，而这些新型技术的发展要求进一步提高集成电路的集成度和性能。
　　集成电路处理或加工两类信号，一类是时间和幅值均离散的数字信号，另一类是时间和幅值均连续的模拟信号。根据所处理信号的类型不同，集成电路分为数字集成电路和模拟集成电路，前者处理数字信号，而后者则处理模拟信号。但随着半导体加工工艺的不断微细化，集成电路从最初的数字或模拟专用集成电路（application specific integrated circuit，ASIC）发展到目前的系统芯片（system on chip，SOC以及混合信号系统芯片（mixed-signal SOC），单颗芯片的功能愈加强大，性价比不断提高，可极大地提高系统的整体性能和降低系统成本。

第1章 绪论
1.1 集成电路的发展历史及趋势
1.2 模拟集成电路的功能及应用领域
1.3 模拟集成电路与数字集成电路的比较
1.4 模拟集成电路的设计流程
1.5 HSpice仿真简介
本章小结

第2章 元器件及其模型
2.1 pn结与二极管
2.1.1 pn结的形成
2.1.2 pn结的特性
2.1.3 二极管
2.2 双极型晶体管
2.2.1 结构及工艺实现
2.2.2 基本工作原理
2.2.3 大信号模型
2.2.4 小信号模型
2.3 CMOS器件
2.3.1 物理结构
2.3.2 电路符号
2.3.3 工作原理
2.3.4 大信号模型
2.3.5 二级效应
2.3.6 寄生电容
2.3.7 小信号模型
2.3.8 闩锁效应
2.3.9 传输门电路
2.4 电阻
2.4.1 方块电阻
2.4.2 多晶硅电阻
2.4.3 阱电阻
2.4.4 扩散电阻
2.4.5 金属电阻
2.4.6 电阻模型
2.5 电容器
2.5.1 电容器的结构
2.5.2 传统电容器
2.5.3 CMOS电容
2.5.4 金属金属电容器
2.5.5 电容模型
本章小结
习题
参考文献

第3章 单级放大器
3.1 电流镜
3.1.1 电流镜的结构
3.1.2 电流镜的误差
3.1.3 电流镜的小信号等效电路
3.2 共源放大器
3.2.1 电阻负载共源放大器
3.2.2 二极管负载共源放大器
3.2.3 电流镜负载共源放大器
3.2.4 推挽放大器
3.3 源极跟随器
3.4 共栅放大器
3.5 高输出阻抗电流镜
3.6 共源共栅放大器
3.7 差动放大器
3.7.1 电阻负载差动放大器
3.7.2 有源负载差动放大器
3.7.3 单端输出差动放大器
3.8 放大器的频率特性
3.8.1 共源放大器
3.8.2 源极跟随器
3.8.3 共源共栅放大器
3.8.4 差动放大器
本章小结
习题
参考文献

第4章 运算放大器
4.1 运算放大器的基本结构
4.1.1 概述
4.1.2 普通两级运算放大器
4.2 稳定性与相位补偿
4.2.1 闭环工作时的稳定性
4.2.2 相位补偿方法
4.3 运算放大器的性能参数
4.3.1 直流或低频特性
4.3.2 高频特性
4.3.3 瞬态特性
4.3.4 增益线性度
4.3.5 两级运算放大器设计
4.4 高性能运算放大器
4.4.1 套筒式共源共栅运算放大器
4.4.2 折叠式共源共栅运算放大器
4.4.3 高增益运算放大器
4.4.4 轨对轨运算放大器
4.4.5 全差动运算放大器
4.4.6 微功耗运算放大器
4.5 输出级电路
4.5.1 输出级电路的类型
4.5.2 源极跟随器输出级
4.5.3 甲乙类共源输出级
4.5.4 低功耗输出级
4.6 运算放大器的性能解析
4.6.1 DC特性解析
4.6.2 AC特性解析
4.6.3 瞬态特性解析
本章小结
习题
参考文献

第5章 基准电压与电流
5.1 MOS管型基准源
5.1.1 MOS管型分压器
5.1.2 改进的MOS管型基准源
5.2 二极管型基准源
5.2.1 与CMOS工艺兼容的双极型晶体管和二极管
5.2.2 具有负温度系数的基准源
5.2.3 具有正温度系数的基准源
5.2.4 带隙基准电压源
5.2.5 高精度电流源
本章小结
习题
参考文献

第6章 噪声
6.1 器件噪声模型
6.1.1 电阻
6.1.2 场效应管
6.1.3 二极管
6.2 电路噪声性能
6.2.1 共源放大器
6.2.2 共栅放大器
6.2.3 源极跟随器
6.2.4 共源共栅放大器
6.2.5 差分放大器
6.2.6 CMOS运算放大器
6.3 光纤前置放大器电路噪声分析举例
本章小结
习题
参考文献

第7章 开关电容电路
7.1 开关电容电路的基本原理
7.2 开关电容放大器
7.3 开关电容积分器
7.4 开关电容滤波器
本章小结
习题
参考文献

第8章 数据转换器
8.1 数模转换器的基本工作原理
8.1.1 数模转换器的基本工作原理
……
第9章 振荡器
第10章 锁相环
附录 CMOS工艺技术