碳化硅以其优异的温度特性、电迁移特性、机械特性等，越来越被微电子和微机电系统研究领域所关注，不断有新的研究群体介入这一材料及其应用的研究。《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》是目前译者见到的唯一一本系统论述碳化硅微机电系统的著作，作者是来自英国、美国从事碳化硅微机电系统研究的几位学者，他们系统综述了碳化硅生长、加工、接触、腐蚀和应用等环节的技术和现状，汇聚了作者大量的经验和智慧。<br>    《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》可供从事微电子、微机械研究的科研人员参考阅读，也可以作为研究生专业课程教材或参考书目。

    由于SiC的特性，所以，SiC是一种比多晶Si更难合成的材料。SiC的形成需要在合适的热学、化学条件下，Si原子和C原子发生反应才能得到。形成化学意义上的SiC薄膜一般需要高于700℃的温度，而多晶SiC则需要更高的温度（大于800℃）。SiC和SiC最普通的MEMS基底）之间晶格和热性质的不一致会导致SiC薄膜里的残余应力。对微结构来说，SiC在高温下是热力学稳定的，因而限制了退火这种减小无定形SiC薄膜应力技术的应用。由于几乎所有元素在SiC里的扩散系数是极其低的，使得固态源扩散成为一种不实用的掺杂技术，只剩下离子注入和原位掺杂成为可行的选择。然而，对Si晶片上的SiC薄膜，离子注人也是很有挑战性的，这是因为工艺中最有效的注入和退火温度接近了基底的熔点。

译者序<br>前言<br>第1章 SiCMEMS概述<br>1.简介<br>2.SiC材料性能<br>3.制作微机电（MEM）器件<br>4.表面改性<br>5.SiCMEMS的频率调谐<br>6.MEMS的机械测试<br>7.应用举例<br>8.小结<br>参考文献<br><br>第2章 SiCMEMS沉积技术<br>1.概述<br>2.与SiC沉积相关的问题<br>3.APCVD<br>4.PE（2VD<br>5.LPCVD<br>6.LPCⅧSiC薄膜的掺杂<br>7.其他沉积方法<br>8.小结<br>参考文献<br><br>第3章 与SiC接触开发相关的问题综述<br>1.概述<br>2.热稳定性<br>3.p型SiC的欧姆接触<br>4.使用Ni的欧姆接触<br>5.肖特基接触缺陷的影响<br>6.小结<br>参考文献<br><br>第4章 SiC的干法刻蚀<br>1.概述<br>2.等离子刻蚀基础<br>3.SiC的等离子刻蚀<br>4.等离子体化学<br>5.掩膜材料<br>6.近期发展及未来展望<br>7.小结<br>参考文献<br><br>第5章 SiCMEMS的设计、性能和应用<br>1.概述<br>2.SiCMEMS器件<br>3.结论和展望<br>参考文献<br>附录