忆阻器可能改变半导体产业。由于晶体管缩小导致功耗增加，且难以安排所有必需的互联，在一个芯片上集成更多的晶体管已变得越来越困难。忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻，由于结构更简单，更易在一个芯片上进行高密度封装，因此基于亿阻器的内存芯片开发成为半导体产业重要的发展方向，其密度要比目前基于晶体管的芯片至少高出一个数量级（10倍）。2009年4月，美国密歇根大学的科研人员发出了一种由纳米级忆阻器构成的芯片，能存储1000比特的信息。该技术易于扩展以存储更多数据，为通用内存的开发提供了可能，给仿生逻辑电路带来了希望，有可能改变半导体产业。4.信息储存与显示技术信息储存向体积更小、容量更大、寿命更长方面发展。数据呈爆炸式增长，全球每天约有15千兆字节的数据产生，2010年全球编码信息数据库每隔11小时就会增加一倍。有效存储和管理数据成为未来信息技术领域需要着重解决的问题，缩小存储器体积、提高储存量、延长存储寿命是信息存储技术发展的三个重要方向。在缩小存储器体积方面，英国诺丁汉大学的科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态，可以用来生产低成本、小体积的存储器元件，且具有耗电量极低、记录信息高速的特点。在提高信息储存量方面，美国通用电气公司的研究人员利用显微全息存储技术，制造出储容量可达500GB的光盘，是目前DVD光盘的存储容量100倍左右。目前的DVD光盘一般仅将信息存储在光盘表面，而显微全息存储技术利用三维的全息图来编码信息，将全息图刻人光盘表面以及内部，大大提高数据存储能力。在存储寿命极限方面，当前酚性记录存储技术大约为10年，胶卷拍摄的照片大约能够保存60年，提高信息储存时间一直是科学家们努力的方向，能永久保存数据的存储器问世有可能彻底解决此问题。2009年5月，美国加利福尼亚大学伯克利分校的科学家开发出了一种技术，将只有几十亿分之一米宽的铁单晶放人一个空的纳米管的内部，发现在碳纳米管内部移动的铁晶体能够永久地保存计算机数据。
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