《氢化硅薄膜介观力学行为研究和耐高温压力传感器研制》主要针对氢化硅薄膜介观力学行为和耐高温压力传感器这两个问题展开了理论与实验研究。氢化硅薄膜广泛应用于光电子器件，如二极管、薄膜晶体管、太阳能电池、液晶显示器等，人们对其光电特性作了深入的研究，但关于其力学特性涉及很少。已有的研究表明氢化硅薄膜，尤其是纳米硅薄膜具有很强的应力敏感特性，在高灵敏度压力传感器、位移传感器和量子隧道传感器等相关器件应用上有极大的应用前景，因此通过对氢化硅薄膜显微结构与介观力学性能的研究，探明二者之间关系（内禀关联特性）可为器件开发提供基本数据。

1 绪 论
1.1  氢化硅薄膜力学行为的研究背景和意义
1.2  耐高温压力传感器的研究背景和意义
1.3  本书的主要内容
参考文献

2 氢化硅薄膜的制备和微观表征
2.1  引言
2.2  射频等离子体增强化学气相沉积法
2.3  拉曼测试晶态比和平均晶粒大小
2.4  薄膜厚度研究
2.5  XRD衍射谱
小结
参考文献

3 衬底对纳米硅薄膜生长的影响
3.1  引言
3.2  纳米硅薄膜的微观表征
3.3  薄膜的AFM和HRTEM研究
3.4  结果和讨论
小结
参考文献

4 不同单光子激光线的氢化硅薄膜拉曼光谱
4.1  引言
4.2  薄膜制备
4.3  结果和讨论
4.4  薄膜内应力
小结
参考文献

5 氢化硅薄膜介观力学行为及其与微结构内禀关联特性
5.1  引言
5.2  纳米压痕
5.3  结果和讨论
小结
参考文献

6 耐高温压阻式压力传感器
6.1  耐高温压阻式压力传感器简介
6.1.1  引言
6.1.2  压阻式压力传感器基本原理
6.1.3  硅扩散压阻式压力传感器
6.1.4  耐高温压阻式压力传感器
6.2  基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作
6.2.1  压力传感器芯片设计
6.2.2  SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作
6.3  耐高温压阻式压力传感器封装
6.3.1  引言
6.3.2  硅／玻璃环静电键合
6.3.3  内引线键合
6.3.4  外引线转接
6.4  耐高温压力传感器静态标定及温度漂移补偿
6.4.1  耐高温压力传感器的静态标定指标
6.4.2  热灵敏度漂移系数及补偿
6.4.3 零位输出及其补偿
6.4.4  热零点漂移系数及补偿
6.4.5  耐高温压力传感器标定结果
6.4.6  与国外同类产品的比较
6.5  通用型分体式耐高温压力传感器研制
6.5.1  引言
6.5.2  耐高温分体式压力传感器结构设计
6.5.3  传感器前置电路
6.5.4  耐高温分体式压力传感器高温标定
小结
参考文献
7 结 论