2.6.1 高能粒子加速器 高能粒子加速器一般采用分段同步加速的方法。为了把粒子加速到很高能量,需要粒子在真空管道中不断做加速运动,粒子在真空管道中运动的路程愈长,被加速粒子所得到的能量愈高。在正、负质子,正、负电子对撞加速器中,不同电荷的正、负质子及电子沿相反方向在加速束流管道中做循环运动。为了增加正、负粒子对撞的反应概率,要求粒子束长时间的贮存积累,达到对撞时所需要的束流强度。粒子长时间或长路程的在加速束流管道中作被加速运动时,如果和加速束流管道中空间残余的气体分子发生碰撞,会减小束流强度。一般正、负电子对撞机管道要求的压力为10—8~10—9 Pa,正、负质子对撞机加速器要求压力10—9 Pa以下。我国北京高能物理所的正、负电子对撞加速器及兰州近代物理所的重离子加速器(冷却环)的束流管道的真空度到10—9 Pa。欧洲联合核子研究中心(CERN)建造的正、负质子交叉贮存环加速器真空度优于10—10 Pa。2.6.2 气体分子束外延技术用来生长极纯半导体单晶材料 半导体晶体材料的光电性能对外来杂质气体分子极为敏感。在单晶生长过程中,除材料本身要求纯度高外,在制造过程中,不能引入环境的杂质气体分子,因而要在极高真空环境下生长晶体。气体分子束外延设备中晶体生长室的压力在10—9 Pa,压力更低些最好。这样低的压力条件在地面很难实现。科学家又提出了利用太空清洁环境生长极纯材料的思想。利用近地球轨道分子屏技术,可以实现10—10 Pa的极高真空环境。我们提出的可变翼轨道分子屏设计,可以在近地球轨道获得10—12 Pa的轨道分子屏空间实验室。美国科学家利用航天飞机进行了8次空间GaAs晶体外延生长实验,就是应用轨道分子屏技术,取得了满意的结果。
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