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书       名 :
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I  S  B  N:
文献来源:
出版时间 :
CMOS器件及应用
0.00    
图书来源: 浙江图书馆(由图书馆配书)
  • 配送范围:
    全国(除港澳台地区)
  • ISBN:
    9787030243072
  • 作      者:
    彭军编著
  • 出 版 社 :
    科学出版社
  • 出版日期:
    2009
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编辑推荐
    《CMOS器件及应用》主要介绍CMOS模拟电路和数字电路。模拟电路部分主要包括放大电路及其频率特性、模拟电路的噪声、差动放大电路、偏置电路和参考电源电路、比较电路,着重介绍OP放大器。
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内容介绍
    《CMOS器件及应用》主要介绍CMOS模拟电路和数字电路。模拟电路部分包括放大电路及其频率特性、模拟电路的噪声、差动放大电路、偏置电路和参考电源电路、比较电路,以及OP放大器。数字电路部分介绍基本逻辑电路、CMOS器件的特点、标准逻辑IC的功能及使用方法、CMOS逻辑IC的特性,以及CMOS器件的失效模式。为了便于理解,引用了大量图、表,内容偏重于各种器件、电路的应用。<br>    《CMOS器件及应用》可作为电子电路设计、应用微电子等专业的本科生、研究生的教学参考书,对于在相关领域工作的年轻的电子工程技术人员也具有实用参考价值。
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精彩书摘
    4.2.4 信号通过输入输出间电容的传输<br>    我们知道,高频范围电容器的电导(jwc)变大,电容器的两端会变为短路状态。所以放大电路输入输出端间电容Cgd不仅能将输出信号的影响反馈到输入端,还可以使信号从输入端向输出端传送。<br>    前者的反馈业已作为“米勒效应”说明过。经由电容器流过的信号电流jwcgdvin在高频端变得更明显,如果到了超过MOs晶体管电流供给量gmVin的频率,那么输出电压将受到通过Cgd的前馈信号的支配,该频率叫做零点wz(=gm/Cgd)。在零点以上的频率范围,经由电容器的信号(图4.7中的箭头)将大于M()s晶体管本来的功能所放大输出的信号。当然,在非常高的频率范围,由于输出端的低通滤波特性,经由该电容的信号在频率升高的同时也在变小。<br>    4.3 放大电路的频率特性<br>    以上讨论了输入输出端的低通滤波特性、经由输入输出间电容的信号传输,以及MOS晶体管的放大功能,现在综合起来讨论频率特性。
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目录
第1章 MOS晶体管的结构与工作<br>1.1 CMOS器件的特点与种类<br>1.2 CMOS晶体管的工作原理<br>1.2.1 MOS晶体管的结构与符号<br>1.2.2 MOS晶体管的工作原理<br>1.2.3 PMOS晶体管<br>1.2.4 夹断与沟道长度调制<br>1.3 模拟电路中的衬底偏置效应<br>1.3.1 当源极一基底间加偏置时,阈值电压变化<br>l.3.2 加反向偏置时,阈值电压上升<br>1.4 MOS晶体管的噪声<br>1.4.1 沟道电阻产生的热噪声<br>1.4.2 闪烁噪声(1/f噪声)<br>1.4.3 PMOS晶体管的1/f噪声小<br>1.4.4 降低1/f噪声的要点<br><br>第3章 MOS器件的小信号等效电路<br>2.1 小信号等效电路<br>2.1.1 三个小信号参数gm、gmb、go<br>2.1.2 在强反型状态下饱和区中的工作<br>2.1.3 源区与基底等电位时<br>2.2 弱反型状态下的漏极电流<br>2.2.1 漏极电流与VGS呈指数关系<br>2.2.2 弱反型区与强反型区的分界<br>2.3 耗尽型晶体管<br>2.3.1 增强型是基本的MOS晶体管<br>2.3.2 耗尽型——即使VGS=OV也有漏极电流流动的器件<br><br>第3章 MOS放大电路基础<br>3.1 基本放大电路<br>3.1.1 源极接地放大电路<br>3.1.2 栅极接地放大电路<br>3.1.3 漏极接地放大电路<br>3.2 栅源放大电路<br><br>第4章 放大电路的频率特性<br>4.1 滤波器的特性<br>4.2 决定频率特性的要素<br>4.2.1 输出端一侧的低通滤波特性<br>4.2.2 高频截止频率Wpo<br>4.2.3 输入端的滤波特性<br>4.2.4 信号通过输入输出间电容的传输<br>4.3 放大电路的频率特性<br>4.3.1 源极接地放大电路的频率特性<br>4.3.2 栅源放大电路的频率响应特性<br><br>第5章 模拟电路的噪声<br>5.1 噪声传播的要素<br>5.1.1 通过寄生电容混入的噪声<br>5.1.2 通过寄生电感混入的噪声<br>5.1.3 通过寄生(基底)电阻混入的噪声<br><br>第6章 差动放大电路<br>6.1 差动放大电路<br>6.2 差动电压增益与同相电压增益<br>6.3 差动放大电路的容许输入范围<br><br>第7章 偏置电路与参考电源电路<br>7.1 基本电流源电路<br>7.2 栅源电流源电路<br>7.3 低电源电压用电流源电路<br>7.4 参考电压源电路<br>7.5 参考电流源电路<br><br>第8章 比较电路<br>8.1 采样一保持电路<br>8.1.1 理想的采样一保持电路的基本动作<br>8.1.2 实际的采样一保持电路的问题<br>8.2 放大器与锁存电路的瞬态响应特性<br>8.2.1 放大电路的瞬态响应特性<br>8.2.2 锁存电路的瞬态响应特性<br>8.3 前置放大器与锁存电路组合的高速比较器<br>8.4 高速锁存电路消除失调的方法<br>8.5 比较器的输出缓冲电路<br><br>第9章 OP放大器电路<br>9.1 2级结构的CMOSOP放大器<br>9.1.1 基本电路是差动放大+源极接地<br>9.1.2 没有相位补偿时会产生振荡<br>9.1.3 相位补偿电容器利用米勒效应<br>9.1.4 两个极点相互远离——极点分隔<br>9.1.5 给Cc串联Rc的效果<br>9.2 AB级输出电路<br>9.2.1 源极接地电路中的负载驱动<br>9.2.2 基于CMOS的一般的AB级输出电路<br>9.2.3 漏极接地(源极跟随器)AB级输出电路<br>9.3 OP放大器的其他重要特性<br>9.3.1 输入失调电压<br>9.3.2 同相输入电压范围<br>9.3.3 共模抑制比(CMRR)<br>9.3.4 转换速率<br>9.4 单级CMOSOP放大器<br>9.4.1 望远镜式OP放大器<br>9.4.2 折叠式栅源OP放大器<br><br>第10章 cMos逻辑电路的基本结构<br>10.1 CMOS反相器<br>10.1.1 CMOS反相器的结构<br>10.1.2 CMOS反相器的特性<br>10.1.3 逻辑阈值电压<br>10.1.4 过渡区中的输出电压<br>10.1.5 电阻近似<br>10.2 CMOS的特点<br>10.2.1 功耗低<br>10.2.2 能够在低电压下工作/工作电压范围宽<br>10.2.3 噪声余量大<br>10.2.4 容易集成化<br>10.2.5 输入阻抗高<br>10.2.6 基于输入电容的暂存记忆<br>10.3 基本逻辑电路<br>10.4 正逻辑与负逻辑<br>10.5 基本电路<br>10.5.1 反相器<br>10.5.2 NAND门<br>10.5.3 NOR门<br>10.5.4 AND,OR门<br>10.5.5 传输门<br>10.5.6 时钟脉冲门<br>10.5.7 ExclusiveOR,NOR门<br>10.5.8 触发器<br>10.6 CMOS的保护电路<br>10.6.1 输入保护电路<br>10.6.2 输出的保护<br>10.6.3 电源/GND浮动时的保护<br><br>第11章 cMos器件的种类与特征<br>11.1 CMOS标准逻辑<br>11.2 存储器<br>11.2.1 ROM<br>11.2.2 RAM<br><br>第12章 标准逻辑IC的功能与使用方法<br>12.1 组合逻辑电路<br>12.1.1 门电路<br>12.1.2 门电路的应用例<br>12.1.3 特殊门<br>12.1.4 开路漏极<br>12.1.5 模拟开关<br>12.1.6 总线缓冲器<br>12.1.7 双向总线缓冲器<br>12.1.8 总线缓冲器与总线的连接<br>12.1.9 多路转换器/逆多路转换器/选择器<br>12.1.1 0在多变数1输出逻辑电路中的应用<br>12.1.1 1译码器/编码器<br>12.1.1 2使用译码器的CPU周边LSI的选择<br>12.2 时序逻辑电路<br>……<br><br>第13章 CMOS逻辑IC的接口技术<br>第14章 CMOS器件的失效模式
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