伍国珏，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位，1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位：自1980年起，在位于新泽西州墨累山（MurrayH）的杰尔系统（最早属于AT&T的贝尔实验室，后因AT＆T被拆分归属于朗讯科技，已于2007年被Lsl Logic兼并）担任技术主管：主要从事siMOS器件、SiGe异质结双极型晶体管、以及新近出现的化合物半导体高速高功率器件方面的研究：还担任了IEEE Electron Device Letterls的编辑以及IEEE出版社的联络员。

　　本书全面介绍了从第一只电阻器出现至今的200多种半导体器件，并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件，更包括新近的量子器件：不仅包括通用器件，还包括专用器件等。并且在附录中收录了一些最基本的器件物理知识。《半导体器件完全指南(原书第2版)》的编排可以让广大读者快速了解各类半导体器件，同时也可就某一类器件展开深入的学习与研究。《半导体器件完全指南(原书第2版)》具有如下特点：收录最全；反映最新器件研究水平；编排独特。
　　《半导体器件完全指南(原书第2版)》是微电子学、电子科学与技术、材料学等专业的高校师生和从业工程师等在理论学习、科学研究以及实际工作中必备的教科书和参考书。

　　二极管Ⅰ：整流器
　　第1章 p—n结二极管
　　1.1  历史
　　1940年，Ohl利用光闪射到硅棒上观察光电效应时，发现了p-n结。当时晶体不纯，同一晶体的不同部分有不同的杂质，无意中形成了天然p-n结。Ohl还发现，当金属触须按压在晶体的不同部位时，便会观察到相反的行为。当相对于金属触须在晶体上加正偏置产生大电流时，Ohl称之为p型材料；相反，当传导类似电流需要负偏置时，则称其为n型材料。后来，贝尔实验室的这个研究小组建立起p型与受主杂质以及n型与施主杂质之间的联系。1949年，Shockley提出p-n结二极管的理论，并促成了双极型晶体管的发明。随后，该理论由Sah等及Moll加以完善。在参考文献中可以查到有关该类器件的最近评述文章。p-n结已成为电子工业中最通用的整流器。在许多其他器件中，它还作为一种非常重要的基本结构单元。
　　1.2　结构
　　该器件的早期结构形式是将金属引线按压到半导体表面上构成。电流脉冲通过引线和半导体时，便形成结。一般认为，掺杂是通过金属引线进行扩散而形成的，如图1.1(a)所示，这种结构称为点接触，金属引线称为触须(点接触具有p-n结或肖特基势垒的特性，取决于成形工艺，见3.2节)。早期的另一种工艺是合金法。该方法将含有适当杂质的金属放置在半导体表面上，加热到共熔温度以上，在界面处形成一层薄的重掺杂的合金。以上两种技术都已不再使用。平面结构如图1.1(b)所示。表面掺杂通常利用离子注入引入，也可通过高温进行扩散，杂质源可以是通过气体携带，也可以使用淀积材料。另一种通用技术是在外延生长过程中掺杂。二极管的面积通常由注入或扩散过程中绝缘层窗口决定。

再版前言
前言
引言
二极管Ⅰ：整流器
第1章 p—n结二极管
1．1 历史
1．2 结构
1．3 特性
1．4 应用
1．5 相关器件
1．5．1 齐纳二极管
1．5．2 阶跃恢复二极管
1．5．3 异型异质结
1．5．4 变容二极管

第2章 p-i-n二极管
第3章 肖特基势垒二极管
3．5．1 莫特势垒
3．5．2 金属．绝缘体．半导体隧道二极管
第4章 平面掺杂势垒二极管
4．5．1 双峰式二极管
4．5．2 平面掺杂势垒场效应晶体管
第5章 同型异质结
5．5．1 缓变结构势垒

二极管Ⅱ：负阻N形
第6章 隧道二极管
6．5．1 反向二极管
第7章 转移电子器件
第8章 共振隧穿二极管
8．5．1 共振隧穿场效应晶体管
第9章 共振带间隧穿二极管
第10章 单势垒隧道二极管
第11章 单势垒带间隧穿二极管
第12章 实空间转移二极管

二极管Ⅲ：负阻效应S形
第13章 金属一绝缘体一半导体开关
13．5．1 金属．绝缘体．半导体．金属开关
13．5．2 金属．绝缘体．半导体．绝缘体．金属开关
第14章 平面掺杂势垒开关
14．5．1 多晶硅n-p开关
14．5．2 双异质结构光电子开关
第15章 无定形半导体阈值开关
15．5．1 无定形半导体存储开关
第16章 异质结构热电子二极管

二极管Ⅳ：负阻渡越时间
第17章 碰撞电离雪崩渡越时阿二极管
17．5．1 俘获等离子体雪崩触发渡越二极管
17．5．2 双速雪崩渡越时间二极管
17．5．3 混合隧道雪崩渡越时间二极管

第18章 势垒注入渡越时间二极管
18．5．1 双速渡越时间二极管
18．5．2 隧道注入渡越时间二极管
18．5．3 量子阱注入渡越时间二极管电阻和电容器件

第19章 电阻器
19．5．1 变阻器
19．5．2 电势计
19．5．3 n-i-n二极管

第20章 金属一氧化物一半导体电容器
20．5．1 金属．绝缘体．半导体电容器
20．5．2 平板电容器

第21章 电荷耦合器件
21．5．1 埋沟电荷耦合器件
21．5．2 蠕动电荷耦合器件
21．5．3 成型蠕动式电荷耦合器件
21．5．4 戽链器件

晶体管Ⅰ：场效应
第22章 金属．氧化物一半导体场效应晶体管
22．5．1 双扩散金属．氧化物．半导体晶体管
22，5．2 横向扩散金属．氧化物．半导体晶体管
22．5．3 六角形场效应晶体管
22．5．4 v形槽(或纵向)金属、氧化物．半导体晶体管
22．5．5 u形槽金属、氧化物、半导体晶体管
22．5．6 薄膜晶体管
22．5．7 金属、绝缘体、半导体场效应晶体管
22．5．8 压敏场效应晶体管
第23章 结型场效应晶体管
23．5．1 V形槽场效应晶体管
第24章 金属、半导体场效应晶体管
第25章 调制掺杂场效应晶体管
25．5．1 倒置异质结场效应晶体管
25．5．2 平面掺杂异质结场效应晶体管
25．5．3 单量子阱异质结场效应晶体管
25．5．4 超晶格异质结场效应晶体管
25．5．5 赝异质结场效应晶体管
25．5．6 异质结绝缘栅场效应晶体管
25．5．7 半导体．绝缘体．半导体场效应晶体管
25．5．8 掺杂沟道异质结场效应晶体管

第26章 可渗基区晶体管
第27章 静电感应晶体管
第28章 实空间转移晶体管
第29章 平面掺杂场效应晶体管
第30章 表面隧道晶体管
30．5．1 肖特基隧道晶体管
第31章 横向共振隧穿场效应晶体管
第32章 斯塔克效应晶体管
第33章 速度调制晶体管

晶体管Ⅱ：电势效应
非易失性存储器
晶闸管和功率器件
光电子器件Ⅰ：光源
光电子器件Ⅱ：光电探测器
光电子器件Ⅲ：双稳态光学器件
光电子器件Ⅳ：其他器件
传感器
索引
译后记