R．Jacob Baker博士，世界知名的电子设计专家。他曾在美国军方和国家实验室从事多年尖端电子设备的研制工作。并长期担任Micron．Amkor、Rendition等业界知名公司的技术顾问。在集成电路设计方面拥有200多项专利。1993年转入学界，任教于爱达荷大学，2000年加入博伊西州立大学电子工程系担任教授至今，期间参与创立了该校的电子工程博士学位项目，并任系主任多年。他是IEEE高级会员．曾于2000年获IEEE电力电子学会最佳论文奖。他把业界的经验带进了课堂。于2007年凭借本书获美国工程教育协会Frederick EmmonsTerman奖。他的个人主页是http：／／cmosedu．com／jbaker／jbaker．htm。

　　《CMOS电路设计、布局与仿真(第2版·第2卷)》是CMOS集成电路设计领域的一部力作，是作者20多年教学和研究成果的总结，内容涵盖电路设计流程、EDA软件、工艺集成、器件、模型、数字和模拟集成电路设计等诸多方面，由基础到前沿，由浅入深，结构合理，特色鲜明。
　　《CMOS电路设计、布局与仿真(第2版·第2卷)》对学生、科研人员和工程师各有所侧重。无论对于哪一种类型的读者而言，《CMOS电路设计、布局与仿真(第2版·第2卷)》都是一本极好的参考书。

　　第2章  放大器
　　本章将注意力转向放大器。在每个运算放大器设计中几乎都采用了单级放大器。通过采用MOS管晶体管(被称为有源负载)代替无源电阻负载，可以显著节省芯片面积。而且，与无源电阻相比，有源负载可提供更大的阻值，从而得到更高的增益。
　　本章将研究几种不同类型的有源负载。栅一漏负载是将MOS管的栅极与漏极短接，用这种有源负载构成的放大器，带宽大、输出阻抗低，但缺点是增益小。电流源负载放大器具有很高的增益和输出阻抗，但带宽较小。当用外部反馈来设定放大器的增益时，更倾向于采用电流源负载放大器。本章将分析基本有源负载单级放大器，以及每种情况的折中考虑。另外，将结合多种结构的输出级(包括推挽放大器)，详细讨论共源共栅放大器的特性。
　　2.1  栅一漏短接有源负载
　　如图l—1所示，栅一漏短接MOS管(负载)是半个电流镜。这里，将由上一章介绍的直流工作条件和偏置，转到讨论交流小信号分析。
　　2.1.1 共源放大器
　　栅一漏短接MOS管(工作在非零漏极电流条件下)可以被看作阻值为l／gm的电阻[参见第1卷图9—18和式(9—25)]。图2—1中给出了4种可能的采用栅一漏短接负载的共源(CS)放大器。在每种结构中，假设Ml管和M2管都被偏置在饱和区。注意在每种结构中，放大MOS管(即非负载或栅一漏短接MOS管)的源极如何成为输入和输出的公共端。

第1章　CMOS设计简介
1.1　CMOS集成电路设计流程
1.2　CMOS基础
1.3　SPICE简介
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习题

第2章　阱
2.1　图形制作
2.2　N阱的版图设计
2.3　阻值的计算
2.4　N阱/衬底二极管
2.5　N阱的RC延迟
2.6　双阱工艺
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习题

第3章　金属层
3.1　连接焊盘
3.2　用金属层进行设计和版图绘制
3.3　串扰和地电位上跳
3.4　LASI版图设计实例
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习题

第4章　有源层和多晶硅层
4.1　用active层和poly层绘制版图
4.2　将导线与poly和active相连
4.3　静电放电保护
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习题

第5章　电阻、电容、MOS管
5.1　电阻
5.2　电容
5.3　MOS管
5.4　版图实例
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习题

第6章　MOS管工作原理
6.1　MOS管电容回顾
6.2　阈值电压
6.3　MOS管的IV特性
6.4　MOS管的SPICE模型
6.5　短沟道MOS管
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习题
第7章　CMOS制备
第8章　电噪声概述
第9章　模拟设计模型
第10章　数字设计模型
第11章　反相器
第12章　静态逻辑门
第13章　钟控电路
第14章　动态逻辑门
第15章　VLSI版图设计举例
第16章　存储器电路
第17章　Δ∑调制感测
第18章　专用CMOS电路
第19章　数字锁相环