本书以器件和集成电路为轴线，从基本概念到器件的原理、设计、制造和电路应用。比较全面地介绍了新近发展起来的SiGe微电子技术。全书共九章，内容涉及SiGe材料的性质、SiGe材料的制备、SiGe异质结构、SiGe异质结双极型晶体管、SiGe场效应晶体管、SiGe集成电路、SiGe器件及其电路的发展动态等，并对SiGe在光电子领域的应用作了简明的介绍。讲述简明扼要，并反映出了最新的研究成果和发展趋势。<br>    本书可供在半导体器件、集成电路和相关领域工作的科技工作者参考，也可作为微电子技术、光电子技术、电子材料、电子元器件、电子物理、电子工程等领域大学本科生及研究生的教材。

第一章 SiGe技术的发展及其应用概述<br>1.1 SiGe器件<br>1.1.1 SiGe双极型器件<br>1.1.2 SiGe场效应器件<br>1.1.3 SiGe光电器件<br>1.1.4其他SiGe器件<br>1.2 SiGe-HBT的主要应用<br>1.2.1 SiGe放大器<br>1.2.2 SiGe-A/D转换器<br>1.2.3 SiGe振荡器<br>1.2.4 SiGe混频器和倍增器、倍减器<br>1.2.5 SiGe-HBT的其他应用<br>1.3 IBMSiGe技术的早期历史<br>1.3.1 SiGe技术的起源<br>1.3.2 SiGe-UHV/CVD技术的发明<br>1.3.3 最早采用UHV/CVD技术制作的Si外延基区晶体管<br>1.3.4 IBM最早的SiGe基区晶体管<br>1.3.5 PNP-SiGe晶体管<br>1.3.6 fT为75GHZ的SiGe基区晶体管<br>1.3.7 SiGe外延基区晶体管（ETX）<br>1.3.8 SGe技术的后续工作<br>1.4 SiGe的主要厂商、工艺及代表产品<br>1.4.1 SiGe技术的两种主要工艺<br>1.4.2 IBM的SiGe—BiCMOS工艺及产品<br>1.4.3 Atmel的SiGe技术<br>1.4.4 Maxim的SiGe技术<br>1.4.5 Jazz半导体公司的SiGe技术<br>1.4.6 TSMC（台积电）的SiGe技术<br>1.4.7 SiGe半导体公司<br>1.4.8 Sirerm.Microdevices的SiGe技术<br>1.5 SiGe技术的市场和前景<br>1.6 SiGe薄膜的制备工艺概述<br>1.7 开发SiGe-HBT工艺的途径<br>1.7.1 采用低温外延技术淀积SiGe<br>1.7.2 SiGe—BiCMOS的工艺集成<br>1.7.3 SiGe-HBT的制作<br>1.7.4 其他元件的工艺技术<br>1.8 SiGe技术的国内发展动态<br>参考文献<br>第二章 Si1-xGex的基本物理特性<br>2.1 Si1-xGex合金的晶格和一般性质<br>2.1.1 Si1-xGex合金的相图<br>2.1.2 Si1-xGex合金的晶体<br>……<br>第三章 应变硅技术原理<br>第四章 SiGe异质结构<br>第五章 SiGe材料的主要制备技术<br>第六章 Si-SiGe异质结双极型晶体管<br>第七章 Si-SiGe异质结场效应晶体管<br>第八章 应变硅器件与电路<br>第九章 SiGe在光电子领域的应用