前言
第1章 CMOS射频集成电路设计概述
1.1 发展背景
1.2 设计挑战
1.2.1 高频信号处理
1.2.2 集成化与小型化
1.2.3 工艺技术的限制
1.3 未来发展趋势
1.4 本章小结
主要参考文献
第2章 射频收发机前端芯片架构
2.1 射频收发机概述
2.2 射频前端主要性能指标
2.2.1 增益
2.2.2 线性度
2.2.3 噪声系数
2.2.4 系统级联
2.3 射频发射机常见结构
2.3.1 直接上变频发射机
2.3.2 超外差发射机
2.3.3 Sliding IF发射机
2.3.4 带偏移频率合成器的发射机
2.3.5 开关键控发射机
2.4 射频接收机常见结构
2.4.1 超外差接收机
2.4.2 零中频接收机
2.4.3 低中频接收机
2.5 本章小结
主要参考文献
第3章 低噪声放大器设计与仿真实例
3.1 低噪声放大器简述
3.2 设计实例:4~8GHz两级低噪声放大器
3.2.1 小信号增益
3.2.2 噪声仿真
3.2.3 增益压缩点和总谐波失真(Xdb 和Swept hb)
3.2.4 IP3仿真
3.3 本章小结
第4章 混频器设计与仿真实例
4.1 混频器概述
4.2 设计实例:全差分双平衡无源混频器
4.2.1 电压转换增益
4.2.2 功率转换增益
4.2.3 S参数仿真
4.2.4 噪声仿真
4.2.5 端口隔离度仿真
4.2.6 具有阻塞信号的混频器性能仿真
4.2.7 线性度仿真
4.3 本章小结
第5章 功率放大器设计与仿真实例
5.1 功率放大器概述
5.2 设计实例:2~6GHz功率放大器
5.2.1 功率相关仿真
5.2.2 线性度仿真
5.2.3 稳定性及S参数仿真
5.2.4 大信号S参数仿真
5.2.5 负载牵引分析
5.3 本章小结
第6章 压控振荡器设计与仿真实例
6.1 压控振荡器概述
6.2 设计实例:Dualcore LC压控振荡器
6.2.1 输出频率、输出功率、相位噪声和抖动仿真
6.2.2 频率偏移
6.2.3 调频灵敏度和线性度
6.2.4 功耗
6.2.5 频率牵引
6.2.6 稳定性分析
6.2.7 调谐模式分析
6.3 本章小结
第7章 相控阵前端芯片架构
7.1 研究意义与发展概况
7.1.1 研究背景
7.1.2 国内外发展概况
7.1.3 发展趋势
7.2 相控阵收发前端系统架构
7.2.1 载波频率和阵列天线
7.2.2 相控阵收发前端系统架构
7.2.3 相控阵发射接收链路典型结构
7.3 相控阵收发前端设计指标
7.4 幅度控制与相位控制电路
7.4.1 幅度控制和相位控制的正交性
7.4.2 幅度控制电路
7.4.3 相位控制电路
7.5 本章小结
主要参考文献
第8章 硅基毫米波相控阵收发前端芯片设计实例
8.1 Ku波段8通道收发前端芯片
8.1.1 Ku波段8通道收发前端电路与版图设计
8.1.2 Ku波段8通道收发芯片测试
8.2 K波段8通道接收前端芯片
8.2.1 K波段8通道接收前端电路与版图设计
8.2.2 K波段8通道接收芯片测试
8.3 Ka波段8通道发射前端芯片
8.3.1 Ka波段8通道发射前端电路与版图设计
8.3.2 Ka波段8通道发射芯片测试
8.4 本章小结
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