在全球功率半导体器件供需不平衡、SiC功率半导体器件机遇凸显的背景下，本书应运而生。全书共5章，首先讲解了包括功率半导体器件基础，如种类、结构、在电路中的作用等；接着阐述了硅功率半导体器件现状，重点聚焦SiC功率半导体器件，并深入探讨了SiC-MOSFET的结构、原理、应用、发展现状、面临挑战及解决方法，详细论述了其耐受能力指标，如短路、关断等耐受能力，最后讲解了SiC-MOSFET封装技术的关键技术要素。本书以丰富图文，为大专院校师生、行业研发人员，系统地呈现SiC功率半导体器件与封装技术知识，助力相关领域发展。

前言
第1章 功率电子学及功率半导体器件
1.1 引言
1.2 逆变器电路的种类
1.3 功率半导体器件的作用和面临的问题
1.4 功率半导体器件的开发方向
1.5 功率半导体器件的重要参数
1.6 功率半导体器件的种类
1.7 现代功率半导体器件的主角：MOSFET和IGBT
第2章 硅功率半导体器件的现状及进展
2.1 硅功率半导体器件的研发趋势不减
2.2 支撑硅基功率器件的最新技术
2.2.1 基本元胞结构
2.2.2 Si-MOSFET的进展
2.2.3 Si-IGBT的进展
2.3 IGBT模块封装技术的进展
2.4 提升器件性能的研究方向
参考文献
第3章 SiC功率半导体的进展
3.1 引言
3.2 SiC材料的优点
3.3 SiC-MOSFET还是SiC-IGBT
3.4 SiC-MOSFET
3.4.1 SiC-MOSFET的研究现状
3.4.2 SiC-MOSFET市场化的困难
3.4.3 晶体生长与晶圆加工工艺
3.4.4 降低导通电阻和芯片成本
3.4.5 更快的开关速度
3.4.6 内置PIN二极管正向导通压降的退化
3.4.7 内置肖特基势垒二极管（SBD）的SiC-MOSFET
3.5 SiC-MOSFET的未来
3.5.1 超结SiC-MOSFET
3.5.2 FinFET结构
3.5.3 SiC功率集成电路技术
参考文献
第4章 SiC-MOSFET器件耐受能力
4.1 引言
4.2 安全工作区
4.3 短路耐受能力
4.3.1 当直流电压较高时
4.3.2 当直流电压较低时
4.3.3 内置SBD的SiC-MOSFET器件短路耐受能力分析及改进策略
4.3.4 增加导热铜片后器件的短路耐受能力
4.4 关断耐受能力
4.5 非钳位感性负载开关（UIS）耐受能力
4.6 SiC-MOSFET内置二极管的正向浪涌电流耐受能力
4.6.1 正向浪涌电流耐受能力
4.6.2 内置SBD的槽栅SiC-MOSFET器件正向浪涌电流耐受能力测试
4.6.3 增加导热铜片后器件的正向浪涌电流耐受能力
参考文献
第5章 SiC-MOSFET封装技术
5.1 引言
5.2 关键技术要素
5.3 SiC-MOSFET封装关键技术
5.3.1 高强度焊接技术
5.3.2 低电感技术
5.3.3 耐高温技术
5.3.4 高效散热技术
参考文献