绪论 新一代功率半导体研发趋势
一、对新一代功率半导体的期望
二、应对5G、xEV的需求扩大问题
三、总结
第一篇 新一代功率半导体的开发
第一章 SiC功率半导体
第一节 SiC单晶生长中晶体缺陷的产生机制及其控制方法
一、引言
二、基于物理气相升华法的SiC块状单晶材料生长
三、SiC块状单晶中存在的晶体缺陷
四、SiC块状单晶生长中基平面位错的产生机理
五、总结
第二节 排除氧化工艺的高质量SiCMOS界面形成
一、SiCMOSFET的现状与挑战
二、理解具有不同晶面和受主密度的SiCMOSFET的迁移率限制因素
三、基于氩气热处理的界面碳缺陷检测和减少
四、排除氧化工艺形成高质量SiCMOS界面
五、总结
第三节 SiC电学特性的空间分辨测量
一、引言
二、载流子复合寿命测量技术
三、高空间分辨率测量（破坏性测量）
四、无损深度分析测量
五、表面复合速度
六、总结
第四节 SiC功率半导体器件中电阻主要影响因素分析
一、分析SiCMOSFET反型层迁移率的模型和方法
二、SiCMOS反型层迁移率模型的构建
三、总结
第二章 GaN功率半导体
第一节 GaN功率半导体开发的现状与实用化
一、引言
二、GaN功率器件的优势
三、GaN功率器件的发展趋势
第二节 酸性氨热法制备GaN单晶技术
一、引言
二、基于氨热法的晶体生长
三、晶体质量评估
四、总结
第三节 基于DLTS法的GaN点缺陷评估技术
一、引言
二、p-GaN的DLTS
三、正向电流导通效应
四、总结
第四节 高耐压GaN功率器件
一、引言
二、PSJ器件
三、PSJ器件的量产性
四、总结
第三章 金刚石功率半导体
第一节 金刚石功率FET开发的现状和实用化可能性
一、金刚石作为p型半导体的优势
二、逆变器电路的普及进展意外地缓慢，原因在于噪声
三、将2DHG应用于沟道层的金刚石MOSFET
四、总结与展望
第二节 金刚石异质外延晶体生长及其在金刚石FET中的应用
一、引言
二、目前的异质外延金刚石生长研究
三、蓝宝石衬底上的异质外延金刚石生长
四、在倾斜蓝宝石衬底上使用台阶流模式的异质外延金刚石生长
五、异质外延金刚石上的金刚石FET制作
六、总结
第三节 使用金刚石半导体的耐高温器件制造和性能提高
一、引言
二、耐高温金刚石肖特基二极管的制造
三、耐高温金刚石功率器件的制造
四、耐高温金刚石晶体管的制造
五、总结
第四节 通过NO2吸附和Al2O3钝化改善金刚石FET的热稳定性和大电流工作
一、引言
二、通过NO2吸附和Al2O3钝化实现高密度二维空穴气的热稳定化
三、实现金刚石FET在高温环境下的稳定工作
四、在多晶金刚石衬底上实现超过1A/mm的大电流FET
五、总结
第四章 Ga2O3（氧化镓）功率半导体
第一节 β型氧化镓功率器件开发
一、引言
二、对功率器件应用至关重要的Ga2O3物性
三、Ga2O3晶体管
四、Ga2O3二极管
五、Ga2O3器件实用化的挑战
六、总结
第二节 β型氧化镓晶体的高纯度生长方法
一、引言
二、β型氧化镓的卤化物气相生长
三、β型氧化镓的三卤化物气相外延生长
四、总结
第三节 β型氧化镓衬底晶体和外延膜的高质量化技术
一、β型氧化镓块状单晶衬底
二、β型氧化镓的同质外延生长技术
三、总结
第四节 利用MISTDRY(r)法研制α型氧化镓功率半导体
一、引言
二、α型氧化镓（α-Ga2O3）的特点
三、雾化CVD法
四、α-Ga2O3功率半导体器件
五、总结
第五节 雾化CVD法半导体制造设备
一、引言
二、雾化CVD法的研发
三、雾化CVD法的原理
四、利用雾化CVD法生长Ga2O3的技术
五、总结
第二篇 新一代功率半导体的封装技术和可靠性
第一章 功率半导体与器件的封装技术
第一节 新一代功率半导体所需的封装技术
一、引言
二、WBG功率半导体的接合
三、展望
第二节 高精度功率半导体仿真技术
一、引言
二、SiC-MOSFET模型的建模方法
三、开关操作的验证
四、设备模型的应用案例
五、总结
第二章 功率半导体与器件的评估
第一节 用于功率半导体封装的接合材料特性评估方法
一、引言
二、需要的特性
三、接合材料的发展趋势
四、接合部的特性评估方法
五、总结
第二节 SiC功率半导体封装技术
一、引言
二、W
展开
