译者序
前言
第1章 绪论
1.1 技术趋势：摩尔定律的扩展
1.1.1 器件改进
1.1.2 材料科学的贡献
1.1.3 深亚波长光刻技术
1.2 可制造性设计
1.2.1 DFM的价值和经济性
1.2.2 制造偏差
1.2.3 基于模型的DFM方法的必要性
1.3 可靠性设计
1.4 本章小结
参考文献
第2章 半导体制造技术
2.1 引言
2.2 图形化工艺
2.2.1 光刻技术
2.2.2 刻蚀技术
2.3 光学图案形成
2.3.1 照明
2.3.2 衍射
2.3.3 成像透镜
2.3.4 曝光系统
2.3.5 空间像与还原成像
2.3.6 光刻胶图形形成
2.3.7 部分相干性
2.4 光刻建模
2.4.1 现象学建模
2.4.2 全物理光刻胶建模
2.5 本章小结
参考文献
第3章 CMOS工艺与器件偏差：分析与建模
3.1 引言
3.2 栅极长度偏差
3.2.1 光刻引起的图案偏差
3.2.2 线边缘粗糙度：理论与表征
3.3 栅极宽度偏差
3.4 原子波动
3.5 金属和介质的厚度偏差
3.6 应力引起的偏差
3.7 本章小结
参考文献
第4章 可制造性设计理念
4.1 引言
4.2 光刻工艺窗口控制
4.3 分辨率增强技术
4.3.1 光学邻近效应修正
4.3.2 亚分辨率辅助图形
4.3.3 相移掩膜
4.3.4 离轴照明
4.4 基于DFM的物理设计
4.4.1 几何设计规则
4.4.2 限制性设计规则
4.4.3 基于模型的规则检查和适印性验证
4.4.4 可制造性感知的标准单元设计
4.4.5 缓解天线效应
4.4.6 基于DFM的布局和布线
4.5 先进光刻技术
4.5.1 双重图形技术
4.5.2 反演光刻技术
4.5.3 其他先进技术
4.6 本章小结
参考文献
第5章 产业界的计量方法、缺陷及弥补
5.1 引言
5.2 工艺缺陷
5.2.1 误差来源分类
5.2.2 缺陷相互作用和电效应
5.2.3 颗粒缺陷的模型化
5.2.4 改善关键区域的版图方法
5.3 图形缺陷
5.3.1 图形缺陷类型
5.3.2 图形密度问题
5.3.3 图形缺陷建模的统计方法
5.3.4 减少图形缺陷的版图方法
5.4 计量
5.4.1 测量中的精度和允许偏差
5.4.2 CD计量
5.4.3 套刻对准计量
5.4.4 其他在线计量
5.4.5 原位计量
5.5 失效分析技术
5.5.1 无损检测技术
5.5.2 有损检测技术
5.6 本章小结
参考文献
第6章 缺陷建模与提高良率技术
6.1 引言
6.2 缺陷对电路行为影响的建模
6.2.1 缺陷-故障关系
6.2.2 缺陷-故障模型的作用
6.2.3 测试流程
6.3 提高良率
6.3.1 容错
6.3.2 避错
6.4 本章小结
参考文献
第7章 物理设计和可靠性
7.1 引言
7.2 电迁移
7.3 热载流子效应
7.3.1 热载流子注入机制
7.3.2 器件损坏特性
7.3.3 时间依赖性介电击穿
7.3.4 缓解由HCI引起的退化
7.4 负偏置温度不稳定性
7.4.1 反应-扩散模型
7.4.2 静态和动态NBTI
7.4.3 设计技术
7.5 静电放电
7.6 软错误
7.6.1 软错误的类型
7.6.2 软错误率
7.6.3 可靠性的SER缓解和纠正
7.7 可靠性筛选和测试
7.8 本章小结
参考文献
第8章 可制造性设计：工具和方法论
8.1 引言
8.2 集成电路设计流程中的DFx
8.2.1 标准单元设计
8.2.2 库表征
8.2.3 布局、布线和冗余填充
8.2.4 验证、掩膜合成和检验
8.2.5 工艺与器件仿真
8.3 电气DFM
8.4 统计设计与投资回报率
8.5 优化工具的DFM
8.6 DFM感知的可靠性分析
8.7 面向未来技术节点的DFx
8.8 本章小结
参考文献
展开
