本书是关于宽禁带(WBG)半导体器件及其设计、应用等主题的综合性参考书籍,能够满足读者对基础及前沿知识的需求。本书内容以实用性为出发点,阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件,从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析,重点介绍了仿真手段和各种典型应用,最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。针对SiC器件,主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等,并对核心应用,如新能源汽车、储能等方面进行了介绍。
本书既适合电力电子、微电子、功率器件设计与制造等领域的研究及技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的教学参考书。此外,也适合对半导体、电力电子等技术感兴趣的管理者、投资者阅读,以拓宽视野。
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