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书       名 :
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文献来源:
出版时间 :
半导体存储与系统/集成电路科学与工程丛书
0.00     定价 ¥ 129.00
图书来源: 浙江图书馆(由浙江新华配书)
此书还可采购15本,持证读者免费借回家
  • 配送范围:
    浙江省内
  • ISBN:
    9787111777366
  • 作      者:
    作者:(意)安德烈·雷达利//法比奥·佩利泽|责编:刘星宁|译者:霍宗亮//王颀//胡伟//陈珂
  • 出 版 社 :
    机械工业出版社
  • 出版日期:
    2025-04-01
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内容介绍
本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后,本书重点介绍了各种主流技术,详述了它们的现状、挑战和机遇,并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、非易失性存储器(NVM)和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及储存类内存(SCM)的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后,本书回顾了SCM的新兴趋势,主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书,也可供半导体和微电子领域的从业人员参考。
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目录
译者序
原书序
原书前言
致谢
第1章 半导体存储器的历史回顾
1.1 20世纪80年代初:先驱者
1.2 20世纪90年代:DRAM技术驱动因素
1.3 新世纪:NAND技术驱动因素
1.4 通用存储器的梦想
1.5 3D集成时代
1.5.1 垂直3D DRAM面临的挑战
1.5.2 NAND技术中的垂直3D演化
1.5.3 3DxP技术
1.6 未来
参考文献
第2章 存储器在当今系统中的应用
2.1 系统的定义及多样性
2.1.1 电子系统的定义
2.1.2 电子系统的多样性
2.1.3 存储器的作用
2.2 存储层次结构
2.2.1 存储分层的目的
2.2.2 本地内存
2.2.3 主内存
2.2.4 固态存储
2.2.5 打破存储层次结构
2.3 系统中存储的架构及目的
2.3.1 实际应用中的存储层次结构
2.3.2 本地内存的系统使用
2.3.3 主内存在系统上的应用
2.3.4 固态存储在系统上的应用
2.4 小结
参考文献
第3章 SRAM技术现状及前景
3.1 引言
3.2 SRAM位单元微缩化的挑战
3.2.1 6T SRAM位单元操作与分析
3.2.2 版图和设计考虑
3.2.3 波动性和可靠性
3.3 在纳米微缩节点的SRAM微缩化和性能提升
3.3.1 有源栅极上接触(COAG)工艺
3.3.2 埋入式供电的SRAM
3.4 新器件环境下的SRAM
3.4.1 器件微缩到3nm之下的新架构
3.4.2 基于纳米片的SRAM
3.4.3 基于叉片型的SRAM
3.4.4 基于CFET的SRAM
3.5 SRAM的混合集成
3.6 小结
参考文献
第4章 DRAM电路及工艺技术
4.1 高带宽和低功耗DRAM的发展趋势
4.2 电路技术
4.2.1 核心电路
4.2.2 数据路径
4.2.3 输入/输出
4.2.4 直流电源
4.3 DRAM工艺技术
4.3.1 单元结构
4.3.2 单元存取晶体管
4.3.3 单元电容器
4.4 封装及模组
4.4.1 DRAM封装历史
4.4.2 模组
4.4.3 用于服务器/PC DRAM的DIMM
4.4.4 用于移动式DRAM的堆叠封装
4.4.5 HBM的堆叠封装
参考文献
第5章 NAND闪存技术现状与展望
5.1 引言
5.2 NAND闪存基本原理
5.2.1 基本的存储单元操作
5.2.2 NAND闪存阵列架构
5.2.3 NAND闪存阵列操作
5.2.4 多比特操作
5.2.5 NAND闪存可靠性
5.3 从2D NAND到3D NAND
5.3.1 垂直NAND阵列基础
5.3.2 与2D NAND相比的性能和可靠性改进
5.3.3 3D NAND独特的可靠性考虑因素
5.3.4 3D NAND阵列结构
5.3.5 3D NAND微缩
5.4 3D NAND闪存的新兴应用
5.5 小结
参考文献
第6章 嵌入式存储解决方案:电荷存储、阻性存储和磁性存储
6.1 引言
6.2 嵌入式非易失性存储的演进(传统存储)
6.3 嵌入式非易失性存储的革命(新型存储)
6.3.1 嵌入式FRAM
6.3.2 嵌入式RRAM
6.4 嵌入式PCM
6.4.1 PCM单元的演变
6.4.2 汽车级ePCM
6.4.3 28nm工艺的FDSOI ePCM
6.5 嵌入式MRAM
6.5.1 MRAM单元演变
6.5.2 RAM类MRAM对比NVM类MRAM
6.5.3 嵌入式MRAM技术现状
6.6 未来展望
6.6.1 MRAM
6.6.2 PCM
参考文献
第7章 SCM在服务器和大型系统中不断演进的作用
7.1 引言
7.2 非易失性存储器技术的现状
7.2.1 前景光明的SCM技术
7.2.2 单比特成本上的考虑
7.2.3 SCM在内存-储存层次结构中的定位
7.3 英特尔傲腾存储器
7.4 SCM运用范例
7.4.1 作为数据储存
7.4.2 用于储存缓存
7.4.3 作为突发缓冲器
7.4.4 作为混合内存-储存的子系统
7.4.5 作为持久性内存
7.5 利用SCMM的应用程序
7.5.1 存内数据库
7.5.2 大型图形应用程序
7.5.3 文件系统
7.6 服务接口
7.6.1 高级编程模型
7.7 对云端的影响
7.7.1 云端和基础设施即服务(IaaS)
7.7.2 虚拟机占用空间
7.7.3 单服务器部署更多容器
7.7.4 网络功能虚拟化(NFV)
7.7.5 分布式计算
7.8 未来前景
7.8.1 嵌入式SCM
7.8.2 存内计算
7.9 小结
参考文献
第8章 3DXpoint技术基础
8.1 分立PCM架构的历史回顾
8.1.1 文献综述
8.1.2 PCM阵列操作
8.1.3 PCM性能和局限
8.1.4 PCM应用
8.2 3DXpoint技术:PCM低成本SCM解决方案
8.2.1 3DXpoint阵列操作
8.2.2 读操作
8.2.3 编程操作
8.2.4 OTS与PCM的要求及材料特性
8.2.5 3DXpoint单元性能
8.3 3DXpoint未来发展
8.4 3DXpoint系统
8.4.1 3DXpoint产品:储存和内存应用
8.5 小结
参考文献
第9章 其他新型存储器
9.1 引言
9.2 导电细丝阻变RAM
9.2.1 导电细丝阻变RAM概述
9.2.2 关键挑战
9.3 用于超低功耗存储器的
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