第一部分 基本概念和定义
第1章 信号与波形
1.1 能量与信息的概念
1.2 信号无线传输
1.2.1 无线技术简史
1.2.2 波的性质
1.3 波形的定义
1.3.1 振幅
1.3.2 频率
1.3.3 波长
1.3.4 波的包络线
1.3.5 相位、相位差和信号速度
1.3.6 正弦函数的平均值
1.3.7 “高频”的概念
1.4 电子信号
1.4.1 直流和交流信号
1.4.2 单端和差分信号
1.4.3 建设性和破坏性信号相互作用
1.5 信号指标
1.5.1 功率
1.5.2 均方根(RMS)
1.5.3 交流信号功率
1.5.4 分贝范围
1.6 复频域传递函数
1.6.1 一阶函数,形式一
1.6.2 一阶函数,形式2
1.6.3 一阶函数,形式3
1.6.4 一阶函数,形式4
1.6.5 二阶传递函数
1.6.6 增益和相位裕度
1.7 总结
第2章 基本特性和设备模型
2.1 “黑盒”技术
2.2 双端模型
2.2.1 理想的电阻
2.2.2 理想的开关
2.2.3 理想电压源
2.2.4 理想电流源
2.2.5 电压/电流源
2.2.6 理想模型综述
2.3 阻抗
2.3.1 线性电阻
2.3.2 非线性电阻
2.3.3 电容器
2.3.4 电感
2.4 总结
第3章 多级接口
3.1 系统分区的概念
3.2 电压传输接口
3.2.1 电阻分压器
3.2.2 RC分压器
3.2.3 RL分压器
3.3 电流传输接口
3.3.1 电阻分流器
3.3.2 RC分流器
3.3.3 RL分流
3.4 最大功率传输
3.4.1 失配造成的功率损失
3.5 案例研究:信号缓冲的需要
3.6 总结
第4章 基本的半导体器件
4.1 有源器件
4.2 二极管
4.2.1 数学模型
4.2.2 偏置点
4.2.3 小信号通用增益
4.2.4 变容二极管
4.3 双极性结型晶体管
4.3.1 数学模型
4.3.2 电流增益β
4.3.3 小信号模型
4.3.4 小信号增益
4.3.5 发射极电阻
4.3.6 基极电阻
4.3.7 集电极电阻
4.3.8 集电极电阻:“退化发射极”情况
4.3.9 总结
4.4 MOSFET晶体管
4.4.1 数学模型
4.4.2 MOS小信号模型
4.4.3 小信号增益
4.4.4 源极电阻
4.4.5 漏极电阻
4.4.6 漏极电阻:“信号源退化”情况
4.4.7 小结
4.5 结型场效应晶体管
4.5.1 小信号模型
4.5.2 BJT和MOSFET晶体管的比较
4.6 总结
第5章 晶体管的偏置
5.1 偏置的问题
5.1.1 偏置点的设置
5.1.2 分压偏置技术
5.1.3 基极电流偏置技术
5.2 偏置电路的灵敏度
5.3 用“退化发射极”技术稳定偏置电流
5.4 集电极电阻RC
5.5 BJT偏置
5.5.1 单N型晶体管放大器的偏置设置
5.5.2 PNP型晶体管的偏置
5.5.3 单P型晶体管放大器的偏置设置
5.6 总结
第6章 基本放大电路
6.1 放大器
6.1.1 放大器的分类
6.1.2 电压放大器
6.1.3 电流放大器
6.1.4 跨导放大器
6.1.5 跨阻放大器
6.2 单级BJT/MOS放大器
6.3 共基极/栅极放大器
6.3.1 交流等效电路
6.3.2 输入电阻
6.3.3 输出电阻
6.3.4 电压增益
6.3.5 共基级放大器总结
6.4 共发射极放大器
6.4.1 共发射极放大器基本原理
6.4.2 交流等效电路
6.4.3 输入电阻
6.4.4 输出电阻
6.4.5 电压增益
6.4.6 共发射极放大器总结
6.5 共集电极放大器
6.5.1 交流电路模型
6.5.2 输入电阻
6.5.3 输出电阻
6.5.4 电压增益
6.5.5 共集电极放大器总结
6.6 共射(源)共基(栅)放大器
6.6.1 交流电路模型
6.6.2 共源共栅场效应管的输出电阻
6.7 案例研究:双极结型晶体管和共发射极放大器参数
6.8 放大器设计流程
6.9 总结
第7章 放大器频域分析
7.1 放大器的带宽
7.2 频域分析基本概念
7.3 单级放大器的频域分析
7.3.1 共发射极放大器的时间常数
7.3.2 共发射电极放大器的时间常数
7.3.3 案例研究:共射电极放大器的零极点
7.4 单级放大器的高频分析
7.4.1 高频晶体管模型
7.4.2 米勒定理
7.4.3 米勒电容和反相放大器
7.4.4 高频共基极放大器模型
7.4.5 高频共发射极放大器模型
7.4.6 高频共集电极放大器模型
7.4.7 级联放大器高频模型
7.5 总结
第8章 电子噪声
8.1 热
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