前言
第1章 量子力学基础
1-1 波的表示方式
1-2 相速度与群速度
1-3 电子的物质波性质
1-4 不确定性原理
1-5 薛定谔方程式与波函数
1-6 一维方势阱
1-7 自旋与泡利不相容原理
1-8 三维方势阱
1-9 量子隧穿效应
1-10 定态微扰理论
1-11 含时微扰理论
章末问题
第2章 从氢原子到物质
2-1 氢原子
2-2 氢分子
2-3 由s轨道或p轨道组成的物质
章末问题
第3章 能带理论
3-1 晶体的周期性和晶体结构
3-2 金属自由电子理论
3-3 布洛赫定理
3-4 一维空格子的电子结构
3-5 一维晶格的带隙
3-6 二维和三维晶格的带隙
3-7 一维强关联近似
3-8 二维强关联近似
章末问题
第4章 半导体的能带结构
4-1 强关联近似下的能带结构
4-2 k·p微扰（1）：带边的详细结构
4-3 k·p微扰（2）：基于面心立方结构空格子的计算
4-4 有效质量与运动方程
4-5 空穴
4-6 本征半导体载流子浓度与温度的关系
章末问题
第5章 掺杂半导体
5-1 施主与受主
5-2 浅能级杂质中心的有效质量近似
5-3 被施主杂质束缚的电子的空间分布
5-4 掺杂半导体中载流子浓度与温度的关系
章末问题
第6章 晶格振动
6-1 什么是晶格振动
6-2 一维单原子晶格
6-3 一维双原子晶格
6-4 三维晶格振动
6-5 声子
6-6 晶格比热
章末问题
第7章 载流子输运现象
7-1 欧姆定律
7-2 霍尔效应
7-3 迁移率的温度相关性
7-4 玻尔兹曼方程
7-5 散射过程的计算
7-6 弛豫时间的计算
章末问题
第8章 半导体的光学性质
8-1 物质中的电磁波
8-2 带间跃迁
8-3 受施主束缚电子的光激发
第9章 pn结
9-1 pn结的形成方法
9-2 扩散电流
9-3 pn结附近发生的现象
9-4 热平衡状态下的pn结能带图
9-5 连续性方程
9-6 正向电流
9-7 反向电流
9-8 结电容
9-9 pn结中的隧穿效应
章末问题
第10章 MOS结构
10-1 MOS结构概述
10-2 积累层、耗尽层和反型层中的电场分布及势能分布
10-3 Si表面的电子
10-4 理想MOS的电容
10-5 非理想MOS的情况
章末问题
第11章 MOS场效应晶体管
11-1 MOS场效应晶体管的结构
11-2 MOS场效应晶体管的工作原理（1）：线性区
11-3 MOS场效应晶体管的工作原理（2）：一般情况下的电流-电压特性
11-4 MOS场效应晶体管的工作原理（3）：饱和区
11-5 迁移率
11-6 阈值电压
11-7 亚阈值斜率
11-8 衬底偏压效应
章末问题
第12章 集成电路
12-1 CMOS反相器的结构
12-2 CMOS反相器中p沟道型MOSFET的工作原理
12-3 CMOS反相器中p沟道型MOSFET工作原理的
公式推导
12-4 CMOS反相器工作原理的公式推导
12-5 CMOS反相器的开关特性
12-6 等比例缩小
章末问题
第14章 界面的量子化
13-1 Si-MOS反型层电子的量子化
13-2 准二维电子系统的电子状态
13-3 Si-MOS反型层的电子状态
13-4 磁场下的二维电子系统和边缘态
13-5 异质结
章末问题
章末问题的答案
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