本书基于作者团队多年的光刻工艺（包括先进光刻工艺）研发经验，从集成电路工厂的基本结构、半导体芯片制造中常用的控制系统、图表等基本内容出发，依次介绍光刻基础知识，一个6晶体管静态随机存储器的电路结构与3个关键技术节点中SRAM制造的基本工艺流程，光刻机的发展历史、光刻工艺8步流程、光刻胶以及掩模版类型，光刻工艺标准化与光刻工艺仿真举例，光刻技术的发展、应用以及先进光刻工艺的研发流程，光刻工艺试流片和流片的基本过程，光刻工艺试流片和流片中出现的常见问题和解决方法，光刻工艺中采用的关键技术举例以及其他两种与光刻相关的技术等内容。 本书不仅介绍光刻工艺相关基础知识，还介绍了一种符合工业标准的标准化研发方法，通过理论与仿真相结合，力求更加清楚地展示研发过程。本书可供光刻技术领域科研院所的研究人员、高等院校的学生、集成电路工程的技术人员等作为学习光刻技术的参考书。

第1章 集成电路工厂引论
1.1 现代集成电路工厂的布局
1.2 工厂结构
1.3 工厂中的基本知识
1.3.1 产品
1.3.2 前表面可开放的统一硅片盒
1.3.3 批次
1.3.4 分片机
1.4 工厂中的系统简介
1.4.1 制造执行系统
1.4.2 机台自动化程序
1.4.3 先进过程控制
1.5 工厂中光刻相关参数的控制
1.5.1 光刻显影后线宽的SPC图表举例
1.5.2 光刻显影后套刻的SPC图表举例
本章小结
参考文献
第2章 光刻基础知识简介
2.1 光的特性
2.2 光学成像的类型
2.2.1 古代光学成像类型的描述
2.2.2 小孔成像的原理
2.2.3 镜头（透镜）成像的原理
2.3 镜头成像过程中不同方向（X、Y、Z方向）成像倍率之间的关系
2.4 投影物镜双远心结构成像的原理和必要性
2.5 光学系统的分辨率
2.5.1 光学系统的衍射极限分辨率
2.5.2 光学系统的k1因子
2.6 镜头中的主要像差以及像差表征方法
2.6.1 泽尼克像差
2.6.2 常见像差产生原理与消除方法讨论
2.7 傅里叶光学基础
2.8 照明方式类型及其对光刻工艺窗口的影响
2.8.1 相干照明的分辨率与对比度
2.8.2 非相干照明的分辨率与对比度
2.8.3 部分相干照明的分辨率与对比度
2.8.4 部分相干照明与非相干照明对比度的关系
2.8.5 照明条件演变过程
2.9 表征光刻工艺窗口的三个重要参数
2.9.1 曝光能量宽裕度的定义与影响因素
2.9.2 掩模误差因子的定义与影响因素
2.9.3 焦深的定义、影响因素以及计算方式
2.10 禁止周期产生的原因以及改善方法
2.10.1 光学邻近效应重要表现形式之一——禁止周期
2.10.2 禁止周期线宽减小的原因
2.10.3 禁止周期线宽“波谷”现象与照明光瞳的关系
2.10.4 光学邻近效应修正之后的禁止周期
本章小结
参考文献
第3章 6T SRAM电路结构与关键技术节点中的工艺流程简述
3.1 光刻工艺处于工艺流程中的位置
3.2 6T SRAM的电路结构和基本工作原理
3.2.1 一个6T SRAM的电路结构和基本原理
3.2.2 对SRAM单元进行“读”的操作
3.2.3 对SRAM单元进行“写”的操作
3.3 晶体管结构的发展趋势及关键技术节点中的工艺流程
3.3.1 晶体管结构的发展趋势
3.3.2 某接近193nm水浸没式光刻极限的设计规则及HKMG平面晶体管的工艺流程简述
3.3.31 4nm技术节点关键层次设计规则以及FinFET的工艺流程简述
3.3.43 nm关键层次设计规则以及CFET的工艺流程简述
本章小结
参考文献
第4章 光刻工艺简介
4.1 光刻机及其重要子系统的发展历史和最先进光刻机的工作原理
4.1.1 光刻机发展历史和重要的时间节点
4.1.2 光刻机中曝光光源的发展历史
4.1.3 光刻机中照明系统的发展历史
4.1.4 光刻机中投影物镜镜头的发展历史
4.1.5 光刻机中双工件台的基本工作原理
4.2 轨道机光刻机一体机简介
4.3 光刻工艺8步工艺流程
4.4 线宽和套刻的测量设备与原理
4.4.1 线宽测量的原理
4.4.2 套刻测量的原理
4.5 先进光刻工艺中不同显影类型的光刻胶
4.6 掩模版类型与制作流程简介
4.6.1 掩模版类型简介
4.6.2 掩模版制作流程简介
本章小结
参考文献
第5章 光刻工艺发展历程与工艺标准
5.1 主要技术节点中关键层次的工艺细节
5.1.1 250～65nm技术节点的工艺细节
5.1.2 45～7nm技术节点的工艺细节
5.1.3 5～1.5nm技术节点的工艺细节
5.1.4 250～1nm技术节点的光刻工艺实现方式
5.2 符合工业标准的光刻工艺探讨
5.3 照明光瞳的选择
5.3.1 照明光瞳选择的理论基础
5.3.2 通过简单的仿真结果判断如何选择合适的照明光瞳
5.3.3 仿真举例照明光瞳对线端线端的影响
本章小结
参考文献
第6章 光刻技术的发展和应用、工艺的研发流程
6.1 确定设计规则
6.1.1 设计规则中图形类型
6.1.2 设计规则形状与排布方向
6.2 确立基本光刻工艺模型
6.3 对光刻机中像差的要求
6.3.1 彗差（Z7，Z8）对光刻工艺的影响
6.3.2 球差（Z9）对光刻工艺的影响
6.4 选择合适的光刻材料
6.4.1 选择合适的光刻胶
6.4.2 选择合适的抗反射层
6.5 线宽均匀性、套刻以及焦深的分配方式
6.5.1 线宽均匀性的分配方式
6.5.2 套刻的分配方式
6.5.3 焦深的分配方式
6.6 对掩模版的类型与规格的要求
6.7 先进光刻工艺的研发流程
6.7.1 先进芯片工艺研发的重要时间节点
6.7.2 光刻工艺研发的一般流程
6.7.3 制作测试掩模版
6.7.4 光刻工艺仿真条件的确定
6.7.5 光刻材料的选择和评估
6.8 光学邻近效应修正简介
6.8.1 OPC修正的必要性
6.8.2