第1章 硅（Si）晶片处理概论
1.1 简介
1.2 超大规模集成电路的产生
1.3 洁净室
1.4 半导体材料
1.5 晶体结构
1.6 晶体缺陷
1.7 硅的属性及其提纯
1.8 单晶硅制造
1.8.1 直拉法晶体生长技术
1.8.2 区熔技术
1.9 硅整形
1.10 晶片加工注意事项
1.11 本章小结
习题
参考文献
第2章 外延
2.1 简介
2.2 液相外延
2.3 气相外延/化学气相沉积
2.3.1 生长模型及理论
2.3.2 生长化学
2.3.3 掺杂
2.3.4 反应装置
2.4 缺陷
2.5 化学气相沉积硅外延的技术问题
2.5.1 均匀性/质量
2.5.2 埋层图案转移
2.6 自掺杂
2.7 选择性外延
2.8 低温外延
2.9 物理气相沉积
2.10 绝缘体上硅（SOI）
2.11 蓝宝石上硅（SOS）
2.12 二氧化硅基硅
2.13 本章小结
习题
参考文献
第3章 氧化
3.1 简介
3.2 生长和动力学
3.2.1 干法氧化
3.2.2 湿法氧化
3.3 硅氧化层的生长速率
3.4 杂质对氧化速率的影响
3.5 氧化层性质
3.6 氧化层电荷
3.7 氧化技术
3.8 氧化层厚度测量
3.9 氧化炉
3.10 本章小结
习题
参考文献
第4章 光刻
4.1 简介
4.2 光学光刻
4.3 接触式光学光刻
4.4 接近式光学光刻
4.5 投影式光学光刻
4.6 掩模
4.7 光掩模制造
4.8 相移掩模
4.9 光刻胶
4.10 图案转移
4.11 基于粒子的光刻
4.11.1 电子束光刻
4.11.2 电子物质相互作用
4.12 离子束光刻
4.13 紫外光刻
4.14 X射线光刻
4.15 光刻技术的比较
4.16 本章小结
习题
参考文献
第5章 蚀刻
5.1 简介
5.2 蚀刻参数
5.3 湿法蚀刻工艺
5.4 硅蚀刻
5.5 二氧化硅蚀刻
5.6 铝蚀刻
5.7 干法蚀刻工艺
5.8 等离子蚀刻工艺
5.8.1 等离子化学蚀刻工艺
5.8.2 溅射蚀刻工艺
5.8.3 反应离子蚀刻（RIE）工艺
5.9 电感耦合等离子体蚀刻（ICP）
5.10 干法蚀刻（等离子蚀刻）和湿法蚀刻的优缺点
5.11 蚀刻反应实例
5.12 剥离
5.13 本章小结
习题
参考文献
第6章 扩散
6.1 简介
6.2 扩散的原子机制
6.2.1 置换扩散
6.2.2 间隙扩散
6.3 菲克扩散定律
6.4 扩散分布
6.4.1 恒定源浓度分布
6.4.2 有限源扩散或高斯扩散
6.5 两步扩散工艺
6.5.1 本征和非本征扩散
6.5.2 锑在硅中的扩散率
6.5.3 砷在硅中的扩散率
6.5.4 硼在硅中的扩散率
6.5.5 磷在硅中的扩散率
6.6 发射极推进效应
6.7 场辅助扩散
6.8 扩散系统
6.9 氧化物掩模
6.10 氧化物生长过程中的杂质再分布
6.11 横向扩散
6.12 多晶硅中的扩散
6.13 测量技术
6.13.1 染色
6.13.2 电容电压（C-V）图
6.13.3 四探针（FPP）
6.13.4 二次离子质谱（SIMS）
6.13.5 扩展电阻探针（SRP）
6.14 本章小结
习题
参考文献
第7章 离子注入
7.1 简介
7.2 离子注入机
7.2.1 气体系统
7.2.2 电机系统
7.2.3 真空系统
7.2.4 控制系统
7.2.5 射线系统
7.3 离子注入阻止机制
7.4 离子注入的射程与分布
7.5 掩模厚度
7.6 离子注入掺杂轮廓
7.7 退火
7.7.1 炉内退火
7.7.2 快速热退火（RTA）
7.8 浅结形成
7.8.1 低能量注入
7.8.2 斜离子束
7.8.3 硅化物与多晶硅注入
7.9 高能量注入
7.10 埋层绝缘层
7.11 本章小结
习题
参考文献
第8章 薄膜沉积：电介质、多晶硅和金属化
8.1 简介
8.2 物理气相沉积（PVD）
8.2.1 蒸发
8.2.2 溅射
8.3 化学气相沉积（CVD）
8.4 二氧化硅
8.5 氮化硅
8.6 多晶硅
8.7 金属化处理
8.8 金属化技术在VLSI中的应用
8.9 金属化选择
8.10 铜金属化
8.11 铝金属化
8.12 金属化工艺
8.13 沉积方法
8.14 沉积装置
8.15 剥离过程
8.16 多层金属化
8.17 金属薄膜的特性
8.18 本章小结
习题
参考文献
第9章 封装
9.1 简介
9.2 封装类型
9.3 封装设计注意事项
9.4 集成电路封装
9.5 VLSI组装技术
9.6 良品率
9.7 本章小结
习题
参考文献
第10章 VLSI工艺集成
10.1 简介
10.2 IC加工的基本考虑
10.3 nMOS集成电路技术
10.4 CMOS集成电路技术
10.4.1 n阱工艺
10.4.2 p阱工艺
10.4.3 双阱工艺
10.5 双极IC技术
10.6 Bi-CMOS工艺
10.7 Bi-CMOS制造
10.8 鳍式场效应晶体管（FinFET）
10.9 单片集成电路和混合集成电路
10.10 集成电路制造/生产
10.1
展开
