本书系统而全面地总结了现代电子封装科学的基础知识以及先进技术。第1部分概述了电子封装技术，其中包括了最重要的封装技术基础，如引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊点键合、微凸块键合和Cu-Cu直接键合。第2部分介绍电子封装的电路设计，重点是关于低功耗设备和高智能集成的设计，如2.5D/3D集成。第3部分介绍电子封装的可靠性，涵盖电迁移、热迁移、应力迁移和失效分析等。最后还探讨了人工智能（AI）在封装可靠性领域的应用。各章中包含大量来自工业界的实际案例，能够加强读者对相关概念的理解，以便在实际工作中应用。 本书可供半导体封装、测试、可靠性等领域的工程技术人员、研究人员参考，也可作为微电子、材料、物理、电气等专业的高年级本科生和研究生的专业教材。

第1章 概论
1.1 引言
1.2 摩尔定律对硅技术的影响
1.3 5G技术和AI应用
1.4 三维集成电路封装技术
1.5 可靠性科学与工程
1.6 电子封装技术的未来
1.7 全书概要
参考文献
第1部分
第2章 电子封装中的Cu-Cu键合与互连技术
2.1 引言
2.2 引线键合
2.3 载带自动键合
2.4 倒装芯片焊点键合
2.5 微凸块键合
2.6 铜-铜直接键合
2.6.1 铜-铜键合的关键因素
2.6.2 铜-铜键合机理分析
2.6.3 铜-铜键合界面的微观结构
2.7 混合键合
2.8 可靠性——电迁移和温度循环测试
问题
参考文献
第3章 随机取向和（111）取向的纳米孪晶铜
3.1 引言
3.2 纳米孪晶铜的形成机理
3.3 纳米孪晶沉积过程中应力演化的原位测量
3.4 随机取向纳米孪晶铜的电沉积
3.5 单向（111）取向纳米孪晶铜的形成
3.6 ［111］取向纳米孪晶铜中的晶粒生长
3.7 （111）取向纳米孪晶铜上微凸块中η-Cu6Sn5的单向生长
3.8 使用［111］取向纳米孪晶铜的低热预算Cu-Cu键合
3.9 用于扇出封装和3D IC集成的纳米孪晶铜重布线层
问题
参考文献
第4章 铜和焊料间的固-液界面扩散（SLID）反应
4.1 引言
4.2 SLID中扇贝状IMC生长动力学
4.3 单尺寸半球生长简单模型
4.4 通量驱动的熟化理论
4.5 两个扇贝间的纳米通道宽度测量
4.6 扇贝状Cu6Sn5在SLID中的极速晶粒生长
问题
参考文献
第5章 铜与焊料之间的固态反应
5.1 引言
5.2 固态相变中IMC的层状生长
5.3 瓦格纳扩散系数
5.4 Cu3Sn中柯肯达尔空洞的形成
5.5 微凸块中形成多孔Cu3Sn的侧壁效应
5.6 表面扩散对柱状微凸块中IMC形成的影响
问题
参考文献
第2部分
第6章 集成电路与封装设计的本质
6.1 引言
6.2 晶体管和互连缩放
6.3 电路设计和LSI
6.4 片上系统（SoC）和多核架构
6.5 系统级封装（SiP）和封装技术演进
6.6 3D IC集成与3D硅集成
6.7 异构集成简介
问题
参考文献
第7章 性能、功耗、热管理和可靠性
7.1 引言
7.2 场效应晶体管和存储器基础知识
7.3 性能：早期IC设计中的竞争
7.4 低功耗趋势
7.5 性能和功耗的权衡
7.6 电源传输网络和时钟分配网络
7.7 低功耗设计架构
7.8 IC和封装中的热问题
7.9 信号完整性和电源完整性（SI/PI）
7.10 稳定性：可靠性和可变性
问题
参考文献
第8章 2.5D/3D系统级封装集成
8.1 引言
8.2 2.5D IC：重布线层和TSV-转接板
8.3 2.5D IC：硅、玻璃和有机基板
8.4 2.5D IC：在硅转接板互连HBM
8.5 3D IC：高性能计算面临的内存带宽挑战
8.6 3D IC：电气TSV与热TSV
8.7 3D IC：3D堆叠内存和集成内存控制器
8.8 现代芯片/小芯片的创新封装
8.9 3D IC集成的电源分配
8.10 挑战与趋势
问题
参考文献
第3部分
第9章 电子封装技术中的不可逆过程
9.1 引言
9.2 开放系统中的流动
9.3 熵增
9.3.1 电传导
9.3.2 原子扩散
9.3.3 热传导
9.3.4 温度变化时的共轭力
9.4 不可逆过程中的交互效应
9.5 原子扩散与导电之间的交互效应
9.6 热迁移中的不可逆过程
9.7 热传导与电传导之间的交互效应
9.7.1 塞贝克效应
9.7.2 珀耳帖效应
问题
参考文献
第10章 电迁移
10.1 引言
10.2 原子扩散与导电的参数比较
10.3 电迁移基础
10.3.1 电子风力
10.3.2 有效电荷数计算
10.3.3 原子通量发散诱发的电迁移损伤
10.3.4 电迁移中的背应力
10.4 三维电路中的电流拥挤与电迁移
10.4.1 低电流密度区域的空洞形成
10.4.2 电迁移中的电流密度梯度力
10.4.3 倒装芯片焊点中电流拥挤诱导的薄饼状空洞形成
10.5 焦耳热与热耗散
10.5.1 焦耳热与电迁移
10.5.2 焦耳热对电迁移中平均失效时间的影响
问题
参考文献
第11章 热迁移
11.1 引言
11.2 热迁移的驱动力
11.3 传输热分析
11.4 相邻通电和未通电焊点间由于热传输引起的热迁移
问题
参考文献
第12章 应力迁移
12.1 引言
12.2 应力作用下固体中的化学势
12.3 薄膜中双轴应力的Stoney方程
12.4 扩散蠕变
12.5 室温下锡晶须的自发生长
12.5.1 晶须的形态学
12.5.2 锡晶须生长驱动力的测量
12.5.3 锡晶须的生长动力学
12.5.4 焊点中电迁移引起的锡晶须生长