第1章 研究概况
1.1 研究背景
1.1.1 芯片制造技术发展现状
1.1.2 研究意义
1.2 研究内容
1.2.1 研究的目的
1.2.2 研究的重点
1.2.3 研究的方法
1.3 相关解释和约定
1.3.1 专利数据解释
1.3.2 相关术语约定
1.3.3 相关申请人约定
第2章 高端芯片晶圆制造技术专利总体分析
2.1 专利申请总体情况分析
2.1.1 专利申请总体态势分析
2.1.2 全球申请人技术流向分析
2.2 光刻工艺专利申请分析
2.2.1 申请态势分析
2.2.2 国家或地区分析
2.2.3 主要申请人分析
2.2.4 技术分布分析
2.2.5 主要申请人技术分析
2.3 小结
第3章 光刻胶胶体关键技术专利分析
3.1 浸没武ArF光刻胶
3.1.1 简介
3.1.2 专利状况分析
3.1.3 技术发展路线分析
3.1.4 重要申请人分析
3.1.5 小结
3.2 EUV光刻胶
3.2.1 简介
3.2.2 专利状况分析
3.2.3 技术发展路线分析
3.2.4 重要申请人分析
3.2.5 小结
3.3 技术迭代中的企业合作与竞争
3.3.1 浸没式ArF光刻胶技术申请人与发明人合作关系
3.3.2 EUV光刻胶技术申请人与发明人合作关系
3.3.3 国家布局中的合作模式分析
3.4 基于机器学习的核心专利识别
3.4.1 集成学习
3.4.2 专利分析指标及模型训练集的构建
3.4.3 基于集成学习的模型构建及训练
3.4.4 EUV核心专利分析及验证
3.4.5 小结
第4章 掩模版关键技术专利分析
4.1 石英玻璃基板
4.1.1 简介
4.1.2 专利状况分析
4.1.3 技术发展路线分析
4.1.4 全球重点申请人专利分析
4.1.5 中国重点企业分析
4.1.6 小结
4.2 缺陷检测
4.2.1 简介
4.2.2 专利状况分析
4.2.3 技术发展路线分析
4.2.4 中国专利分析
4.2.5 重点申请人专利分析
4.2.6 小结
4.3 缺陷修复
4.3.1 简介
4.3.2 专利状况分析
4.3.3 技术发展路线分析
4.3.4 重点申请人分析
4.3.5 小结
第5章 浸没式曝光关键技术专利分析
5.1 简介
5.2 专利态势分析
5.2.1 全球专利申请态势分析
5.2.2 全球专利技术主要来源地分布分析
5.2.3 全球主要申请人排名分析
5.2.4 全球主要申请人历年专利申请量分析
5.2.5 技术目标地分布
5.2.6 中国专利申请态势分析
5.3 技术路线
5.3.1 流场稳定性控制
5.3.2 减少气泡
5.3.3 减少污染
5.3.4 温度控制
5.4 重点企业技术介绍
5.4.1 ASML
5.4.2 尼康
5.4.3 台积电
5.4.4 浙江启尔
5.4.5 国内其他申请人
5.5 小结
第6章 主要结论与建议
6.1 研究结论
6.1.1 专利申请整体态势结论
6.1.2 技术分支结论
6.2 发展建议
6.2.1 加强政策引领，助力原创性、引领性科技攻关
6.2.2 支持全面创新
6.2.3 积极参与全球科技治理
6.2.4 加强知识产权保护
附录 申请人名称约定表
图索引
表索引
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