本书立足于产业制造，系统全面地介绍芯片的制造工艺和核心技术。全书共十章，涵盖集成电路简介、半导体器件、硅及硅片制备、电介质薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂、金属化、化学机械研磨和芯片先进封装制造等核心内容。我们将芯片制造技术的完整工艺流程、每个部分涉及的设备等经过系统性整理融入各个章节之中。本书通过大量产业资料的汇集，采用图文并茂的形式，全面且简明地介绍了芯片制造材料、制造工艺技术以及技术新进展、新应用及发展前景等，并编辑了“学习目标”和“练习题”，便于重点内容的快速提取和巩固，力求做到深入浅出、通俗易懂。 本书第1章介绍集成电路的发展历史，在此基础上介绍了集成电路的分类和制造工艺流程。第2章介绍半导体器件的发展，对半导体材料的类型和器件的种类进行了详细的介绍。第3章介绍硅及硅片制备，详细介绍了从原材料硅到晶圆的制造加工过程。第4到9章围绕芯片核心工艺，介绍电介质薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂、金属化和化学机械研磨六大部分，并对每部分制程所涉及的材料、器件和设备进行了详细的论述。第10章介绍芯片制造的后道工艺，重点围绕产业热度较高的芯片先进封装制造技术展开。 本书的知识结构和工艺技术内容特别适合国内半导体与微电子相关专业的在校学生学习和参考，也可供集成电路产业相关研究机构的技术人员和产业分析研究人员参考，及集成电路产业链上下游实体的工程技术和管理人员参考。

前言
1 集成电路简介
1.1 集成电路发展史与趋势
1.1.1 集成电路的发展史
1.1.2 摩尔定律
1.1.3 后摩尔时代
1.2 集成电路的分类与应用
1.2.1 集成电路按制作工艺分类
1.2.2 集成电路按导电类型分类
1.2.3 集成电路按集成规模分类
1.2.4 集成电路按功能用途分类
1.2.5 集成电路按结构和基板分类
1.3 集成电路制造工艺流程
1.3.1 晶圆加工
1.3.2 晶圆清洗和氧化
1.3.3 光刻
1.3.4 刻蚀
1.3.5 掺杂
1.3.6 薄膜沉积
1.3.7 金属化
1.3.8 化学机械研磨
1.3.9 测试
1.3.10 封装
2 半导体器件
2.1 概述
2.2 半导体材料
2.3 PN结二极管
2.4 双极型三极管
2.5 半导体场效应晶体管
2.6 鳍式场效应晶体管
2.7 结型场效应晶体管
2.8 肖特基势垒栅场效应晶体管
2.9 高电子迁移率晶体管
2.10 无结场效应晶体管
2.11 量子阱场效应晶体管
2.12 新型半导体材料技术与应用
2.12.1 氧化镓
2.12.2 金刚石
2.12.3 氮化铝
2.12.4 锑化镓
2.12.5 新型半导体材料的应用
3 硅及硅片制备
3.1 概述
3.2 电子级硅的制备
3.2.1 改良西门子法
3.2.2 硅烷法
3.3 单晶硅的制备
3.3.1 直拉法
3.3.2 区熔法
3.4 抛光硅片
3.5 外延硅片
3.6 SOI硅片
3.7 新型半导体单晶制备工艺
3.7.1 氧化镓衬底的长晶工艺
3.7.2 单晶金刚石衬底的制备工艺
3.7.3 氮化铝材料的制备工艺
4 电介质薄膜沉积
5 光刻
6 刻蚀
7 掺杂
8 金属化
9 化学机械研磨
10 芯片先进封装制造
参考文献
附录 芯片制造技术常用名词英汉对照表