第1章 集成电路简介
1.1 集成电路的诞生简史
1.1.1 电子计算机
1.1.2 晶体管
1.1.3 集成电路
1.2 集成电路的发展与挑战
1.2.1 集成电路制造中的尺寸概念
1.2.2 平面工艺
1.2.3 摩尔定律
1.2.4 摩尔定律的延续
1.2.5 超越摩尔定律
1.3 集成电路分类
1.3.1 逻辑处理器
1.3.2 存储器
1.3.3 微元件集成电路
1.3.4 模拟集成电路
1.4 集成电路的产业化
1.4.1 集成电路的产业化分工
1.4.2 集成电路产业化要求
1.4.3 集成电路产业化趋势
1.5 集成电路领域中的等离子体设备简介
1.5.1 集成电路制造中的等离子体设备简介
1.5.2 集成电路封装中的等离子体设备简介
参考文献
第2章 等离子体基础
2.1 气体放电的概念和基本过程
2.1.1 气体放电的基本概念
2.1.2 气体放电基本过程
2.2 等离子体放电的基本性质
2.2.1 等离子体的基本概念
2.2.2 等离子体的基本特征
2.2.3 等离子体鞘层
2.2.4 等离子体振荡
2.3 典型的气体放电
2.3.1 辉光放电
2.3.2 容性放电
2.3.3 感性放电
2.3.4 电子回旋共振等离子体放电
参考文献
第3章 集成电路中的等离子体刻蚀工艺与装备
3.1 刻蚀技术的起源和历史
3.2 等离子体刻蚀装备的分类
3.2.1 容性耦合等离子体源
3.2.2 电感应耦合等离子体源
3.2.3 电子回旋共振等离子体源
3.3 等离子体刻蚀工艺过程
3.4 等离子体刻蚀工艺评价指标
3.4.1 刻蚀速率
3.4.2 刻蚀速率均匀性
3.4.3 刻蚀选择比
3.4.4 刻蚀形貌
3.4.5 刻蚀线宽偏差
3.4.6 负载效应
3.4.7 刻蚀线边缘和线宽粗糙度
3.4.8 终点检测
3.5 等离子体刻蚀技术在集成电路制造中的应用
3.5.1 硅刻蚀
3.5.2 多晶硅刻蚀
3.5.3 介质刻蚀
3.5.4 金属铝刻蚀
3.6 等离子体刻蚀工艺在集成电路封装中的应用
3.6.1 硅整面减薄工艺
3.6.2 深硅刻蚀工艺
3.6.3 等离子体切割工艺
3.6.4 硅微腔刻蚀工艺
3.7 等离子体刻蚀技术的挑战
3.7.1 双重成像曝光技术
3.7.2 鳍式场效应晶体管刻蚀技术
3.7.3 高深宽比刻蚀技术
参考文献
第4章 集成电路中的等离子体表面处理工艺与装备
4.1 集成电路中的等离子体表面处理工艺
4.1.1 等离子体去胶工艺
4.1.2 刻蚀后等离子体表面处理工艺
4.1.3 等离子体表面清洁工艺
4.1.4 等离子体表面改性工艺
4.1.5 翘曲片等离子体表面处理工艺
4.1.6 晶圆边缘等离子体表面处理工艺
4.2 集成电路中的等离子体表面处理设备
4.2.1 远程等离子体源
4.2.2 晶圆边缘表面处理设备
4.3 等离子体表面处理技术的挑战
4.3.1 等离子体表面处理的损伤问题
4.3.2 等离子体表面处理的颗粒问题
4.3.3 等离子体表面处理材料种类多样化
4.3.4 晶圆边缘等离子体表面处理设备均匀性
参考文献
第5章 集成电路中的物理气相沉积工艺与装备
5.1 物理气相沉积设备概述
5.1.1 蒸镀设备
5.1.2 直流磁控溅射设备
5.1.3 射频磁控溅射设备
5.1.4 磁控溅射和磁控管设计
5.2 磁控溅射真空系统及相关设备
5.2.1 靶材
5.2.2 真空系统
5.2.3 预加热系统和去气腔室
5.2.4 平台系统
5.3 磁控溅射沉积设备腔室结构
5.3.1 预清洗腔室
5.3.2 标准PVD腔室
5.3.3 长距PVD腔室
5.3.4 金属离子化PVD腔室
5.3.5 DC/RFPVD腔室
5.3.6 MCVD/ALD腔室的集合
5.4 金属薄膜沉积工艺评价指标
5.4.1 薄膜厚度和电阻
5.4.2 薄膜应力
5.4.3 薄膜反射率
5.4.4 颗粒和缺陷控制
5.4.5 薄膜组织结构
参考文献
第6章 等离子体增强化学气相沉积工艺与装备
6.1 化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积
6.1.1 化学气相沉积简介
6.1.2 等离子体增强化学气相沉积简介
6.2 PECVD工艺原理
6.2.1 PECVD冷等离子体特点和电子能量分布函数
6.2.2 PECVD等离子体α-mode和γ-mode
6.3 PECVD设备
6.4 PECVD设备在集成电路制造中的应用
6.4.1 刻蚀硬掩膜
6.4.2 光刻抗反射膜
6.4.3 关键尺寸空隙填充
6.4.43 DNAND栅极堆叠
6.4.5 应力工程和结构应用
6.4.6 电介质膜
6.4.7 低介电和扩散阻挡
6.5 PECVD工艺性能评价
6.5.1 变角度光学椭圆偏振仪
6.5.2 光谱反射计和棱镜耦合器
6.5.3 傅里叶红外光谱仪
6.5.4 C-V和I-V电学性质测量
参考文献
第7章 高密度等离子体化学气相沉积工艺与装备
7.1 高密度等离子体化学气相沉积工艺
7.1.1 浅沟槽
展开
