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出版时间 :
薄膜生长技术
0.00     定价 ¥ 118.00
图书来源: 浙江图书馆(由浙江新华配书)
此书还可采购25本,持证读者免费借回家
  • 配送范围:
    浙江省内
  • ISBN:
    9787030766335
  • 作      者:
    编者:金克新|责编:宋无汗//郑小羽
  • 出 版 社 :
    科学出版社
  • 出版日期:
    2024-01-01
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内容介绍
《薄膜生长技术》以作者在西北工业大学物理科学与技术学院的“薄膜物理学”课程讲义为蓝本,参考国内外薄膜物理学**教材,主要论述薄膜物理与薄膜生长技术的基本内容,系统介绍薄膜的形成与生长、物理化学制备薄膜的原理与方法,包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、离子束镀膜、化学气相沉积、脉冲激光分子束外延法等,注重激发学生的学习兴趣,提升学生的学习能力。
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精彩书摘
第1章薄膜的形成与生长
  1.1概述
  美国著名科学家、作家兼政治家本杰明?富兰克林(Benjamin Franklin)曾在1774年这样描述:不超过一茶匙的油倒入水池,会迅速展开至数平方米大小,然后慢慢扩展,直到抵达下风处的水池边缘,布满水池的整个区域,可能有半英亩(1英亩约为4046.86平方米)之广,水池表面平滑得像一面镜子。该“镜子”成的薄膜属于液体薄膜,是膜厚约为1nm的单分子层。与液体薄膜相比,固体薄膜的发展历史较短。如果从人类开始制作陶瓷器皿的彩釉算起,薄膜的制备与应用已经有一千多年的发展历史。实际上,*早的固体薄膜是1852年由德国化学家Bunsen和Grove发现的,分别经化学反应和辉光放电(glow discharge)实验确认是固体薄膜。一般固体薄膜是把原子或分子的粒子蒸发沉积(蒸镀)到光滑的基板表面上获得的。20世纪50年代开始,人们从制备技术、分析方法、形成机理等方面系统地研究薄膜材料,到20世纪80年代,薄膜科学发展成为一门相对*立的学科。促使薄膜科学迅速发展的重要因素是薄膜材料强大的应用背景、低维凝聚态理论的发展和现代分析技术的提高。
  通常情况下,某个方向的尺度远小于其他两个方向尺度的体系(固体或液体)称为膜。这一体系可以有附着材料(衬底或基底),英文为film,也可以没有附着材料,英文为foil或者membrane。有时,为了与厚膜相区别,称厚度小于1μm的膜为薄膜,称厚度大于1μm的膜为厚膜,本书的研究对象以有附着材料的薄膜为主。
  薄膜的生长过程是影响薄膜结构和物理性能的重要因素。薄膜沉积过程的粒子运动过程如图1.1.1所示,射向基板的粒子与薄膜表面的原子、分子相碰撞,一部分被反射,另一部分则在表面上停留下来。停留在表面的粒子仍具有部分能量,在高温基板的能量作用下,发生表面扩散(surface diffusion)和表面迁移(surface migration),其中一部分获得了足够的能量再蒸发并脱离表面,其余部分落到位能谷底,被表面吸附,发生了凝结过程。凝结一般伴随着晶体形核(又称成核)与生长过程,以及岛的形成、合并与生长过程,*终形成连续的膜层。
  热力学因素也决定了薄膜的生长过程。平常人们所接触的热力学过程,都可以认为是温度缓慢变化的准静态过程,即每时每刻都处于平衡态。在真空中沉积薄膜时,材料通常会在数百摄氏度的环境下进行加热蒸发。溅射镀膜时,在荷能粒子的轰击作用下,从靶表面溅射飞出的粒子携带的能量比蒸发粒子的更高。这些气化的原子或分子,一旦到达基底表面,在很短的时间内就会凝结为固体,是一种非平衡的热力学过程。薄膜沉积伴随着从气相到固相的急冷过程,从结构上看,薄膜中必然存在大量的缺陷。
  图1.1.1薄膜沉积过程的粒子运动过程
  此外,薄膜的形态尺寸与块体材料相差甚远,可近似为二维结构。薄膜结构和性能的不同与薄膜形成过程中的诸多因素密切相关。虽然薄膜的制备方法多种多样、形成机制也各不相同,但是在许多方面有相似之处。
  1.2凝结与表面扩散
  1.2.1吸附
  当用真空蒸发镀膜法或溅射镀膜法制备薄膜时,入射到基底表面上的粒子大概率会被基底表面吸附,同时伴随着能量交换。入射粒子的种类、入射粒子的能量、基底材料、基底表面结构和状态等一系列因素决定了一个入射粒子到达基底表面后能否被吸附及吸附的类型。
  1.吸附现象
  具有一定能量的粒子入射到基底表面后可能发生以下三种现象:
  (1)与基底表面进行能量交换而后被吸附;
  (2)由于吸附后气相原子仍有比较大的解吸能,粒子在基底表面短暂停留(或扩散)后,再解吸蒸发(再蒸发或二次蒸发);
  (3)不与基底表面进行能量交换,立即被反射回去。
  固体表面会出现原子或分子间化学键的断裂,在固体表面形成的这种断裂键能够吸引外来原子或分子,称为不饱和键或悬挂键。入射到基底表面的气体粒子被不饱和键吸引住的现象称为吸附。与固体内部不同,固体表面的特殊状态使其具有一种过量的能量,称之为表面自由能。基底表面上原子会同时受气体原子的作用力和基片原子的作用力,基片原子密度大于气体,所以会对基底表面上的原子有更强的作用力。为了降低表面自由能,表面原子有向内移动的倾向。表面吸附气体原子后,自由能减小,表面变得更加稳定。吸附过程释放的能量称为吸附能。将吸附在固体表面上的气相原子去除的过程称为脱附(又称解吸),这一过程所需的能量称为脱附活化能(又称解吸能)。
  2.化学吸附和物理吸附
  通常,吸附可以分为物理吸附和化学吸附[1],如果吸附只有原子电偶极子之间的范德华力(弥散力)起作用,则称为物理吸附,吸附粒子与基底表面原子间的距离可能达到0.4nm;若吸附是由化学键起作用,则称为化学吸附,吸附粒子与基底表面原子间的距离仅为0.1~0.3nm,物理吸附和化学吸附的吸附能差异较大。
  从吸附粒子和基底结合状态的角度来看,发生化学吸附时表面的原子键处于不饱和状态,因而它是靠键(金属键、共价键、原子键、离子键等)的方式进行吸附;发生物理吸附时,表面的原子键处于饱和状态,因为范德华力(弥散力)、电偶极子和电四极子等的静电相互作用等将原子或分子吸附在表面上,所以表面是非活性的。从广义上说,这些吸附作用力都是基本粒子之间的电磁相互作用力。由于原子之间的范德华力是普遍存在的,所以各种固体和液体材料的表面都会发生物理吸附。同时,因为范德华力普遍较小,所以物理吸附能和解吸能也较小,物理吸附一般是在低温下发生,高温下发生解吸。
  可以用位能*线来表示物理吸附和化学吸附这两种吸附方式,如图1.2.1所示,Hp为脱附表面的活化能(从表面脱附所必要的能量)或者吸附热(物理吸附),Hc为化学吸附的吸附热,Ea为化学吸附活化能,Ed为化学吸附的脱附活化能或解吸能,Ed= Hc+Ea。在上述表面结合引力作用下,分子会靠近表面,又由于斥力的存在,分子会停留在一个位能*小的位置上。一般情况下,自由分子与表面的距离r较小时存在斥力,且随着r的减小,斥力将急剧增大。引力随着r的变化相对于斥力而言改变较小,且在较大范围内(数埃()左右)连续起作用。因此,吸附的物质会动态稳定在表面引力和斥力平衡的位置。
  在物理吸附状态下,如图1.2.1所示,斥力和引力合成物理吸附的*线,被吸附的分子会落在位能*低点,并在其附近做热振动,其能量为Hp。Hp的数据(表1.2.1)一般可以用在数值上基本一致的液化热Hl来代替(表1.2.2)。在表1.2.1中,**列指吸附剂,即吸附气体的固体;吸附质指被固体吸附的气体。对于气体吸附在金属表面上的情况,**层气体与金属的吸附热一般要比Hl大得多。当金属表面上吸附了多层气体,在附着的气体上再吸附时,就相当于相同气体的液化凝结,则吸附热接近Hl的值。
  图1.2.1吸附的位能*线
  表1.2.1物理吸附的吸附热Hp(单位:kcal/mol)
  注:cal为非法定计量单位,1kcal/mol≈4.18kJ/mol。
  在化学吸附状态下,由于化学反应,表面的分子会发生化学变化从而改变形态,如双原子的分子分解成两个原子。靠近表面的分子*先被物理吸附(图1.2.1),如果它获得的能量大于或等于化学吸附活化能Ea,则可能越过势垒A点发生化学吸附,并放出大量的能量(表1.2.3)。吸附热的数值接近于化合物的生成热,本质上都是形成化学键的放热,故可以用生成热作为其估计值(表1.2.4)。
  表1.2.2液化热Hl和生成热
  续表
  表1.2.4化学吸附的吸附热和化合物的生成热
  3.吸附概率和吸附时间
  与表面碰撞的分子,可能被反射回空间,也可能将动能传递给表面原子,从而被吸附于如图1.2.1所示的位能*低点。吸附分子与固体之间或者自身内部重新分配能量,*终稳定在某一能级上。如果吸附分子获得了脱附活化能,将会脱离表面。利用热适应系数α,可以表征入射气相原子(或分子)与基体(又称为基片、基板、基底或衬底)表面碰撞时相互交换能量程度,这在1.2.3小节将详细介绍。
  吸附概率可以按物理吸附和化学吸附来考虑。与表面碰撞的气体分子被物理吸附的概率称为物理吸附系数,被化学吸附的概率称为化学吸附系数。物理吸附分子中的一部分,越过位能*线的峰就会被化学吸附。但是,如图1.2.1所示,如果Ea> 0 (也存在Ea≤0的情况),要进入化学吸附,则需要有一定的激活能,且化学吸附的速率受到限制。
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前言
第1章薄膜的形成与生长 1
1.1概述 1
1.2凝结与表面扩散 2
1.2.1吸附 2
1.2.2表面扩散 9
1.2.3凝结过程 10
1.3晶核的形成与生长 13
1.3.1物理过程 13
1.3.2实验观察 14
1.3.3热学界面能理论 15
1.3.4原子聚集理论 23
1.4薄膜生长模式 27
1.4.1薄膜生长原理 27
1.4.2薄膜形成过程 29
1.4.3薄膜生长的三种模式 32
1.5薄膜的结构与缺陷 33
1.5.1薄膜生长的晶带模型 33
1.5.2纤维状生长模型 36
1.5.3薄膜的缺陷 38
1.5.4外延薄膜的生长 39
1.6本章小结 42
习题 42
参考文献 43
第2章真空蒸发镀膜 44
2.1真空蒸发镀膜原理 44
2.1.1概述 44
2.1.2饱和蒸气压 46
2.1.3蒸发粒子的速度与能量 50
2.1.4蒸发速率与沉积速率 50
2.1.5厚度分布 52
2.2蒸发源特性 52
2.2.1加热方式 52
2.2.2蒸发特性 65
2.2.3基板配置 71
2.2.4合金及化合物的蒸发 77
2.3本章小结 81
习题 82
参考文献 83
第3章溅射镀膜 84
3.1溅射原理 84
3.1.1概述 84
3.1.2辉光放电 85
3.1.3基本概念 89
3.1.4溅射过程与溅射机制 101
3.2溅射方式 108
3.2.1二极溅射 109
3.2.2偏压溅射 111
3.2.3三极溅射和四极溅射 112
3.2.4射频溅射 114
3.2.5磁控溅射 117
3.2.6ECR溅射 128
3.2.7对向靶溅射 129
3.2.8反应溅射 130
3.2.9零气压溅射 132
3.2.10自溅射 135
3.2.11离子束溅射 139
3.3溅射镀膜的厚度均匀性分析 141
3.3.1二极溅射的膜厚均匀性分析 141
3.3.2磁控溅射的膜厚均匀性分析 142
3.4溅射镀膜与真空蒸发镀膜的比较 143
3.5本章小结 144
习题 145
参考文献 146
第4章离子束镀膜 147
4.1离子镀原理 147
4.2离子镀对镀膜的影响 149
4.2.1离化率 149
4.2.2沉积前离子轰击的效果 151
4.2.3离子轰击对薄膜生长的影响 153
4.2.4离子轰击对基体和镀层交界面的影响 153
4.2.5离子镀的蒸发源 155
4.3离子镀的类型及特点 157
4.3.1直流二极型离子镀 159
4.3.2三极型和多阴极方式的离子镀 160
4.3.3多弧离子镀 162
4.3.4活性反应离子镀 165
4.3.5空心阴极放电离子镀 167
4.4本章小结 170
习题 171
参考文献 171
第5章化学气相沉积 173
5.1概述 173
5.2基本原理 174
5.2.1沉积过程 174
5.2.2反应类型 175
5.2.3特点及应用 179
5.3化学气相沉积类型 180
5.3.1热化学气相沉积 180
5.3.2等离子体化学气相沉积 185
5.3.3光化学气相沉积 192
5.3.4金属有机化学气相沉积 194
5.3.5金属化学气相沉积 197
5.4本章小结 204
习题 205
参考文献 205
第6章脉冲激光分子束外延法 206
6.1概述 206
6.1.1方法简介 206
6.1.2方法特点 210
6.2沉积过程及原理 212
6.2.1沉积过程 212
6.2.2沉积原理 214
6.3影响薄膜质量的因素 219
6.3.1偏轴、靶基距的影响 220
6.3.2激光参数的影响 221
6.3.3衬底材料的影响 221
6.3.4衬底温度的影响 222
6.3.5沉积气氛及压强的影响 223
6.3.6清洗工艺的影响 223
6.3.7表面活性剂的影响 225
6.3.8PLD镀膜实例 226
6.4激光镀膜技术的发展与应用前景 227
6.4.1激光镀膜技术的发展 228
6.4.2激光镀膜技术的应用前景 231
6.5本章小结 232
习题 232
参考文献 233
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