半导体激光器激光器
激光器小信号频响
DFB激光器等效电路模型
FP，DFB，DBR的区别
【5G光模块】——FP激光器的模式分配噪声
DFB双峰对光通信系统的影响
DFB激光器双峰
DFB直调激光器的发展方向
相干光模块中的窄线宽激光器
用于突发模式下一代PON的MEL激光器双电级DFB
非制冷DWDM激光器
FP和DBR的区别
DFB的发展史
DFB的光栅
双腔DFB激光器
区分FP，DFB，DML，EML，VCSEL
激光器发散角优化结构
为什么激光器的BH结构需要多次外延
背光
为什么不能“轻易”把GPON ONU的DFB激光器换成便宜的FP
区分DFB，DML，EML80DBR激光器
DFB激光器的增益耦合光栅与折射率耦合光栅
多纵模激光器的传输距离
单纵模激光器的传输距离
FP与DFB的波长温度漂移
区分电光效应、光电效应与电致发光效应
相干通信历程、可调谐光源标准发展史
可调谐激光器
外腔激光器
DML的啁啾与补偿
激光器的啁啾、展宽与色散
啁啾
直调激光器啁啾管理的几个方案
啁啾光栅与色散补偿
利用微环做DML的啁啾管理
直调激光器的传输并不是距离越长TDP就一定越大
PT对称光栅
Avago的高速VCSEL
MEMS VCSEL
比VCSEL小100倍的BICSEL
Finisar VCSEL用OM4光纤可传输2.3km的56Gb/sPAM4信号
超薄激光器
铌酸锂调制器电光调制器
铌酸锂调制器
为何铌酸锂调制器那么长
铌酸锂薄膜制备
电吸收调制器
EAM电吸收调制器等效模型
为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压
电吸收调制器的吸收波长红移
非制冷单波100Gb/sEML
EML更容易实现更大的消光比
电吸收调制激光器EML
为什么EML要加一个TEC
半导体调制器
热光调制
PN结载流子耗尽型硅基调制器
光调制器的载流子耗尽型与注入型的区别
光探测器探测器
探测器响应度与光模块灵敏度之间的关系
几种探测器的结构
垂直型与波导型PIN
平衡探测器
探测器速率与结电容
探测器结构与响应度、灵敏度
探测器材料与截止波长
探测器材料之Si，GeSi，GaAs
探测器响应度下降原因218APD的盖革模式
APD盖革模式的应用
光电二极管台面结构
半导体工艺
GaAs衬底
激光器衬底——InP单晶
激光器中含铝材料
为什么激光器的热烧蚀，更容易发生在腔表面
激光器有源材料晶格缺陷与可靠性，GaAs比InP更难
激光器晶格缺陷之线位错
激光器衬底生长技术：VGF垂直梯度凝固法
分子束外延
半导体工艺中的“退火”
激光器材料生长——张应变和压应变
衍射极限
电子束光刻EBL
纳米压印
激光器波导结构制作： 干法刻蚀与湿法刻蚀
MACOM激光器垂直端面刻蚀
DFB激光器的倒台波导
磁控溅射——光芯片电极制作
CBN立方氮化硼
脉冲激光溅射
电子束蒸镀——光芯片电极制作
半导体激光器欧姆接触以及欧姆接触与肖特基接触的区别
激光器减薄，与台阶仪厚度检测原理
激光器端面钝化
激光器从材料到芯片310激光器晶圆划片与裂片
特殊波导制作与激光冷加工
半导体物理与器件结构
电芯片的材料Si，GeSi和GaAs
半导体材料，P型、N型半导体与PN结
FET，MOSFET，MESFET，MODFET
三星3nm全环栅结构
5nm晶体管技术之争GAA FET，IMEC 8nm纳米线
晶体管之BJT，FET，CMOS，HBT，HEMT
电芯片的锗硅与CMOS区别
MOSFET与符号
缩略语
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