本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。 本书所介绍的纳米多孔GaN基薄膜材料与器件的制备、测试和表征方法可为从事宽禁带半导体的研究人员提供参考，也可作为高等院校微电子专业研究生学习薄膜生长、微纳湿法刻蚀工艺、性能测试和表征的参考资料。

“博士后文库”序言
前言
第1章 绪论
1.1 GaN的材料特性
1.2 GaN材料的应用背景
1.3 GaN单晶薄膜的研究现状
1.4 纳米多孔GaN单晶薄膜的研究现状
第2章 实验设备和测试方法
2.1 实验设备
2.1.1 有机金属化学气相沉积系统
2.1.2 电化学刻蚀系统
2.2 测试方法
2.2.1 表面形貌测试方法
2.2.2 晶体结构测试方法
2.2.3 物质成分测试方法
2.2.4 光学特性测试方法
2.2.5 力学特性测试方法
2.2.6 电学特性测试方法
2.2.7 其他测试方法
第3章 GaN薄膜在预刻蚀阶段的电化学刻蚀机理
3.1 实验部分
3.2 结果和讨论
3.3 本章小结
第4章 纳米多孔GaN薄膜的光催化特性
4.1 实验部分
4.1.1 纳米多孔GaN薄膜的制备
4.1.2 光催化测试
4.2 结果和讨论
4.2.1 纳米多孔GaN薄膜的表征
4.2.2 纳米多孔GaN薄膜的光催化活性
4.2.3 纳米多孔GaN薄膜和多孔Si的光催化活性的对比
4.3 本章小结
第5章 纳米多孔GaN薄膜的光电化学特性
5.1 实验部分
5.1.1 GaN单晶薄膜的制备
5.1.2 纳米多孔GaN薄膜的制备
5.1.3 测试和表征
5.2 结果和讨论
5.3 本章小结
第6章 纳米多孔GaN基MQW的制备及其光电化学特性
6.1 实验部分
6.2 结果和讨论
6.2.1 纳米多孔GaN基MQW的制备和表征
6.2.2 剥离的纳米多孔GaN基MQW的制备和表征
6.2.3 纳米多孔GaN基MQW的光电化学特性
6.3 本章小结
第7章 纳米多孔GaN基LED的制备及特性
7.1 实验部分
7.2 结果和讨论
7.3 本章小结
第8章 具有分布布拉格反射镜的GaN基LED制备及特性
8.1 实验部分
8.1.1 GaN薄膜的外延生长
8.1.2 片尺寸纳米多孔GaNDBR的制备
8.1.3 LED结构的外延生长
8.1.4 测试与表征
8.2 结果和讨论
8.3 本章小结
第9章 具有GaN/纳米空腔的InGaN基LED的制备及特性
9.1 实验部分
9.1.1 GaN薄膜的外延生长
9.1.2 片尺寸多层纳米多孔GaN结构的制备
9.1.3 LED结构的外延生长
9.1.4 测试与表征
9.2 结果和讨论
9.3 本章小结
第10章 具有中孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN/GaN光阳极的制备及其光电化学特性
10.1 实验部分
10.1.1 样品制备
10.1.2 测试和表征
10.2 结果和讨论
10.3 本章小结
第11章 自支撑纳米多孔InGaN/GaNMQW的制备及发光特性
11.1 实验部分
11.1.1 薄膜的外延生长
11.1.2 薄膜的光电化学刻蚀
11.1.3 测试和表征
11.2 结果和讨论
11.3 本章小结
第12章 具有纳米多孔GaN反射镜的多孔InGaN/GaNMQW的光解水特性
12.1 实验部分
12.1.1 薄膜外延生长
12.1.2 薄膜的电化学刻蚀
12.1.3 测试和表征
12.2 结果和讨论
12.3 本章小结
参考文献
编后记
彩图