氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。 本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

第1章 氧化镓简介
1.1 引言
1.2 氧化镓晶体的基本性质
1.2.1 结构性质
1.2.2 光学性质
1.2.3 电学性质
1.2.4 热学性质
1.3 总结与展望
参考文献
第2章 氧化镓体块单晶生长
2.1 氧化镓单晶提拉法生长
2.1.1 提拉法简介
2.1.2 提拉法生长氧化物晶体
2.1.3 提拉法氧化镓单晶生长探索及进展
2.1.4 提拉法晶体生长中的螺旋生长现象
2.2 氧化镓单晶导模法生长
2.2.1 导模法晶体生长简介
2.2.2 导模法氧化镓晶体生长及进展
2.2.3 导模法掺杂氧化镓晶体生长
2.3 氧化镓单晶布里奇曼法生长
2.3.1 布里奇曼法晶体生长基本原理
2.3.2 布里奇曼法的优缺点
2.3.3 布里奇曼法生长β-Ga2O3晶体
2.4 氧化镓单晶光学浮区法生长
2.5 总结与展望
参考文献
第3章 氧化镓单晶衬底加工
3.1 引言
3.2 晶体开裂特性及对加工的影响
3.2.1 解理
3.2.2 晶体力学性能
3.3 氧化镓晶体定向
3.3.1 X射线衍射的基础知识
3.3.2 定向仪的原理与操作
3.4 氧化镓晶体切割
3.4.1 内圆切割技术
3.4.2 激光切割技术
3.4.3 线切割技术
3.4.4 切割工序相关晶片参数
3.5 晶体机械研磨
3.5.1 晶片边缘倒角
3.5.2 研磨加工工艺
3.5.3 氧化镓晶片研磨
3.6 氧化镓化学机械抛光
3.6.1 抛光液的选择
3.6.2 抛光垫的选择
3.6.3 抛光工艺条件
3.7 晶体加工损伤分析
3.7.1 表面损伤及检测方法
3.7.2 亚表面损伤及检测方法
3.7.3 氧化镓加工损伤
3.8 衬底机械剥离与应用
3.8.1 衬底机械剥离
3.8.2 剥离获得的晶片质量
3.8.3 机械剥离晶片的应用
3.9 总结与展望
参考文献
第4章 氧化镓晶体中的缺陷
4.1 氧化镓晶体中的点缺陷
4.1.1 本征点缺陷
4.1.2 非本征点缺陷
4.2 氧化镓晶体中的线缺陷
4.2.1 位错
4.2.2 位错的运动
4.2.3 位错对器件性能的影响
4.2.4 位错形成机理
4.3 氧化镓晶体中的面缺陷
4.3.1 孪晶
4.3.2 堆垛层错
4.4 氧化镓晶体中的体缺陷
4.4.1 空洞
4.4.2 非晶及纳米晶
4.5 氧化镓晶体中的蚀坑
4.5.1 箭头型蚀坑
4.5.2 葫芦型蚀坑
4.5.3 蚀坑作用及形成机理
4.5.4 蚀坑类型变化及关系
4.6 总结与展望
参考文献
第5章 氧化镓薄膜外延
5.1 外延生长动力学原理
5.1.1 物理气相沉积法及其动力学原理
5.1.2 化学气相沉积法及其动力学原理
5.2 氧化镓外延方法
5.2.1 金属有机气相外延(MOVPE)
5.2.2 氢化物气相外延(HVPE)
5.2.3 低压化学气相沉积(LPCVD)
5.2.4 超声辅助雾相输运化学气相外延(Mist-CVD)
5.2.5 分子束外延(MBE)
5.2.6 激光脉冲沉积(PLD)
5.3 氧化镓外延进展
5.3.1 同质外延进展
5.3.2 异质外延进展
5.3.3 位错演化机制及控制技术
5.4 氧化镓基异质结结构外延及界面控制
5.4.1 合金外延及异质结结构制备
5.4.2 氧化镓基异质结界面控制
5.5 总结与展望
参考文献