本书重点介绍薄膜、厚膜及粉体样品组合材料芯片高通量制备技术及其应用示范，内容依托国家重点研发计划项目“低维组合材料芯片高通量制备及快速筛选关键技术与装备”（2016YFB0700200），同时增加了国内外相关技术领域的研究进展、应用案例和专利分析。本书技术内容11章：基于物理气相沉积的薄膜组合材料芯片高通量制备技术，基于化学气相沉积的薄膜厚膜组合材料芯片高通量制备技术，基于多源喷涂/光定向电泳沉积厚膜组合材料芯片高通量制备技术，基于外场加热结合的多通道并行合成粉体组合材料芯片制备技术，以及基于多通道微反应器的微纳粉体组合材料芯片制备技术。此外，在第12章专门对比分析国内外高通量制备技术与装备的专利特点和专利布局，对制定我国相关技术领域的发展战略具有参考价值。 本书适合材料科学与技术领域相关高等院校、科研院所、生产企业、政府管理部门的科研人员、管理人员、政策研究人员等阅读和参考，也可作为相关专业本科生和研究生的选修课教材。

丛书序
序一
序二
前言
第一篇 基于物理气相沉积的薄膜组合材料芯片高通量制备技术
第1章 基于磁控溅射的薄膜材料芯片高通量制备技术
1.1 基本原理
1.1.1 磁控溅射的基本原理
1.1.2 高通量磁控溅射制备技术的基本原理
1.1.3 梯度类超晶格高通量磁控溅射制备技术原理
1.2 高通量制备技术与装备
1.2.1 高通量共溅射磁控溅射制备技术与装备
1.2.2 高通量分立掩模磁控溅射制备技术与装备
1.2.3 高通量连续掩模磁控溅射制备技术与装备
1.2.4 基于梯度类超晶格工艺的高通量磁控溅射制备技术与装备
1.3 应用范例
1.3.1 基于共溅射的高通量实验案例
1.3.2 基于分立掩模法的高通量实验案例
1.3.3 基于连续掩模法的高通量实验案例
1.3.4 梯度类超晶格工艺的高通量实验案例
1.4 本章小结
参考文献
第2章 电子束蒸发高通量制备薄膜材料芯片技术
2.1 基本原理
2.2 高通量制备技术与装备
2.2.1 分立掩模镀膜技术
2.2.2 移动掩模镀膜技术
2.2.3 固定掩模镀膜技术
2.2.4 共沉积镀膜技术
2.2.5 电子束蒸发源
2.2.6 电子束蒸发薄膜材料芯片高通量制备系统
2.3 应用范例
2.3.1 储氢合金材料
2.3.2 磁性合金材料
2.3.3 钙钛矿电催化材料
2.4 本章小结
参考文献
第3章 基于脉冲激光沉积的薄膜材料芯片高通量制备技术
3.1 基本原理
3.1.1 薄膜材料芯片制备技术的一般原理
3.1.2 脉冲激光沉积技术
3.2 高通量制备技术与装备
3.2.1 基于脉冲激光沉积的连续掩模法
3.2.2 基于脉冲激光沉积的连续成分扩展法
3.2.3 基于脉冲激光沉积的分立掩模法
3.3 应用范例
3.3.1 基于脉冲激光沉积的连续掩模法的应用案例
3.3.2 基于脉冲激光沉积的连续成分扩展法的应用案例
3.3.3 基于脉冲激光沉积的分立掩模法的应用范例
3.4 基于脉冲激光沉积的其他高通量薄膜制备方法
3.5 本章小结
参考文献
第二篇 基于化学气相沉积的薄膜厚膜组合材料芯片高通量制备技术
第4章 化学气相沉积制备薄膜材料芯片技术
4.1 基本原理
4.2 高通量制备技术与装备
4.2.1 热丝CVD高通量沉积技术与装备
4.2.2 单腔体多基片CVD高通量沉积技术与装备
4.2.3 激光CVD高通量沉积技术与装备
4.2.4 PECVD高通量沉积技术与装备
4.2.5 高生产力组合PECVD装备平台
4.3 应用范例
4.3.1 热丝CVD高通量沉积技术制备薄膜硅
4.3.2 激光CVD高通量沉积技术制备HfO2薄膜
4.3.3 等离子体增强CVD高通量沉积技术制备石墨烯
4.3.4 高生产力组合设备平台技术筛选半导体材料与器件
4.4 本章小结
参考文献
第5章 多组元高温陶瓷涂层高通量化学气相沉积技术
5.1 基本原理和技术应用
5.1.1 CVD基本原理和步骤
5.1.2 CVD技术在陶瓷材料中的应用
5.2 高通量CVD技术与装备
5.2.1 高通量CVD系统总体设计
5.2.2 气体供给输运与控制系统设计
5.2.3 多通道气源导向装置与反应腔设计
5.2.4 CVD系统温度场设计
5.2.5 控制系统设计改造
5.3 高通量CVD技术在多组元陶瓷材料中的应用范例
5.3.1 Si-B-C涂层多通道CVD动力学与沉积控制机制
5.3.2 Si-B-C涂层化学组成与沉积工艺参数关系
5.3.3 Si-B-C涂层显微结构与涂层生长模式
5.3.4 Si-B-C涂层力学性能与抗氧化性
5.4 本章小结
参考文献
第三篇 基于多源喷涂/光定向电化学沉积厚膜组合材料芯片高通量制备技术
第6章 多源等离子喷涂高通量制备梯度厚膜组合材料芯片
6.1 基本原理
6.2 高通量制备技术与装备
6.2.1 多源等离子喷涂高通量厚膜制备技术设备
6.2.2 多源等离子喷涂厚膜制备工艺
6.3 应用范例
6.3.1 Ni-Al金属间化合物组合材料芯片的制备及性能分析
6.3.2 Ni-Cu基固溶体组合材料芯片的制备及性能分析
6.4 本章小结
参考文献
第7章 光定向电泳沉积制备阵列式厚膜组合材料芯片技术
7.1 基本原理与技术特征
7.1.1 光定向电泳沉积技术原理
7.1.2 光定向电泳沉积芯片结构
7.1.3 电极/溶液界面
7.1.4 光定向电泳沉积影响因素
7.1.5 光定向高通量电泳沉积的机理
7.2 高通量制备技术与装备
7.2.1 光定向高通量电泳沉积装备
7.2.2 光电极制作
7.2.3 光定向高通量电泳沉积流程
7.3 应用范例
7.3.1 光定向高通量电泳沉积制备NiO/YSZ复相阳极材料
7.3.2 光定向高通量电泳沉积制备